Власенко Зоя Костянтинівна

Номер патенту: 104519

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Велещук Віталій Петрович, Даулєтмуратов Борібай Коптілєуовіч, Власенко Зоя Костянтинівна, Пугач Микола Васильович, Киселюк Максим Павлович, Борщ Олена Борисівна, Власенко Олександр Іванович, Нелюба Дмитро Миколайович, Борщ Володимир Васильович, Шульга Олександр Васильович

МПК: C02F 1/32

Мітки: енергозберігальна, випромінюванням, води, установка, ультрафіолетовим, знезараження

Формула / Реферат:

Установка для бактерицидного знезараження води ультрафіолетовим випромінюванням, що містить проточну камеру знезараження у вигляді порожнистого циліндра з вертикально орієнтованою віссю, внутрішня поверхня якого має дзеркальне покриття, трубчасту лампу ультрафіолетового випромінювання, яка розташована в центрі камери співвісно з ним і зовні закрита кварцовою оболонкою, датчик контролю інтенсивності ультрафіолетового випромінювання та...

Номер патенту: 89047

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Велещук Віталій Петрович, Власенко Зоя Костянтинівна

МПК: G01R 31/26

Мітки: основі, експресного, критичних, спосіб, контролю, структурах, світлодіодних, дефектів

Формула / Реферат:

Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.

Номер патенту: 85050

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Зоя Костянтинівна, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Босий Віталій Ісаєвич, Велещук Віталій Петрович, Борщ Володимир Васильович

МПК: G01R 31/26

Мітки: мікроплазм, спосіб, електролюмінесценції, характеризації, світлодіодних, структур, діагностики

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...