Ляшенко Олег Всеволодович

Номер патенту: 87818

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Велещук Віталій Петрович, Киселюк Максим Павлович, Власенко Олександр Іванович, Ляшенко Олег Всеволодович, Босий Віталій Ісаєвич

МПК: G01R 1/00

Мітки: маркування, прихованого, об'єкта, спосіб, розпізнавання

Формула / Реферат:

Спосіб прихованого маркування об'єкта і його розпізнавання, який включає нанесення на поверхню ділянки з двох шарів напівпровідників і домінуючим механізмом випромінювальної рекомбінації, які створюють р-n-перехід, і нанесення на шарах елементів маркування, який відрізняється тим, що нанесення елементів маркування здійснюють шляхом створення механічних заглиблень в верхньому шарі напівпровідника, а для розпізнавання маркування до...

Номер патенту: 85050

Опубліковано: 11.11.2013

Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович, Борщ Володимир Васильович, Босий Віталій Ісаєвич, Власенко Зоя Костянтинівна, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович

МПК: G01R 31/26

Мітки: спосіб, діагностики, світлодіодних, структур, мікроплазм, електролюмінесценції, характеризації

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...

Номер патенту: 76641

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович, Велещук Віталій Петрович, Бойко Микола Іванович

МПК: G01R 31/26

Мітки: технологічних, світлодіодних, дефектів, контролю, основі, структурах, критичних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...

Номер патенту: 65759

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Криськов Анатолій Андрійович, Криськов Цезарій Андрійович, Велещук Віталій Петрович, Босий Віталій Ісаєвич, Киселюк Максим Павлович

МПК: G01R 31/02

Мітки: тестування, неактивного, світлодіодів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для неактивного тестування світлодіодів, який містить джерело живлення, вихід якого з'єднаний з клемами для підключення виводів світлодіодів, які перевіряються, і з'єднаними з ними і між собою вимірювальними пристроями, який відрізняється тим, що застосовується джерело живлення постійного струму і паралельно до нього під'єднано додаткове джерело живлення постійної напруги, а як вимірювальні пристрої використовуються амперметр та...

Номер патенту: 56827

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Босий Віталій Ісаєвич, Ляшенко Олег Всеволодович

МПК: H01L 21/66

Мітки: напівпровідникових, відбракування, спосіб, світлодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...