Киселюк Максим Павлович
Енергозберігальна установка для знезараження води ультрафіолетовим випромінюванням
Номер патенту: 104519
Опубліковано: 10.02.2016
Автори: Даулєтмуратов Борібай Коптілєуовіч, Киселюк Максим Павлович, Велещук Віталій Петрович, Нелюба Дмитро Миколайович, Шульга Олександр Васильович, Власенко Олександр Іванович, Власенко Зоя Костянтинівна, Борщ Олена Борисівна, Борщ Володимир Васильович, Пугач Микола Васильович
МПК: C02F 1/32
Мітки: випромінюванням, води, ультрафіолетовим, знезараження, енергозберігальна, установка
Формула / Реферат:
Установка для бактерицидного знезараження води ультрафіолетовим випромінюванням, що містить проточну камеру знезараження у вигляді порожнистого циліндра з вертикально орієнтованою віссю, внутрішня поверхня якого має дзеркальне покриття, трубчасту лампу ультрафіолетового випромінювання, яка розташована в центрі камери співвісно з ним і зовні закрита кварцовою оболонкою, датчик контролю інтенсивності ультрафіолетового випромінювання та...
Спосіб експресного контролю критичних дефектів у світлодіодних структурах на основі gаn
Номер патенту: 89047
Опубліковано: 10.04.2014
Автори: Власенко Олександр Іванович, Велещук Віталій Петрович, Власенко Зоя Костянтинівна, Киселюк Максим Павлович
МПК: G01R 31/26
Мітки: спосіб, критичних, експресного, світлодіодних, дефектів, основі, контролю, структурах
Формула / Реферат:
Спосіб експресного контролю критичних дефектів світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають максимально можливу неруйнуючу постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікроплазм, який відрізняється тим, що вимірюють кількість точок свічення мікроплазм NМП при даній напрузі, і по значенню NМП контролюють критичні дефекти у світлодіодних GaN структурах та оцінюють їх надійність.
Спосіб прихованого маркування об’єкта і його розпізнавання
Номер патенту: 87818
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Велещук Віталій Петрович, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович, Босий Віталій Ісаєвич, Власенко Олександр Іванович
МПК: G01R 1/00
Мітки: спосіб, прихованого, об'єкта, маркування, розпізнавання
Формула / Реферат:
Спосіб прихованого маркування об'єкта і його розпізнавання, який включає нанесення на поверхню ділянки з двох шарів напівпровідників і домінуючим механізмом випромінювальної рекомбінації, які створюють р-n-перехід, і нанесення на шарах елементів маркування, який відрізняється тим, що нанесення елементів маркування здійснюють шляхом створення механічних заглиблень в верхньому шарі напівпровідника, а для розпізнавання маркування до...
Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних gan структур по електролюмінесценції мікроплазм
Номер патенту: 85050
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович, Борщ Володимир Васильович, Босий Віталій Ісаєвич, Власенко Зоя Костянтинівна, Ляшенко Олег Всеволодович
МПК: G01R 31/26
Мітки: спосіб, характеризації, мікроплазм, діагностики, електролюмінесценції, структур, світлодіодних
Формула / Реферат:
Спосіб діагностики та характеризації світлодіодних GaN структур, в якому до світлодіодної структури прикладають постійну зворотну напругу і фіксують свічення мікоплазм, який відрізняється тим, що величину зворотної напруги збільшують до максимально можливого неруйнівного значення і вимірюють спектр електролюмінесценції всіх мікоплазм, і за величиною інтенсивності електролюмінесценції та величиною відношення інтенсивностей максимумів синьої...
Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі gan
Номер патенту: 76641
Опубліковано: 10.01.2013
Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Велещук Віталій Петрович, Киселюк Максим Павлович, Бойко Микола Іванович
МПК: G01R 31/26
Мітки: дефектів, технологічних, основі, критичних, спосіб, контролю, структурах, світлодіодних
Формула / Реферат:
Спосіб контролю критичних технологічних дефектів у світлодіодних структурах на основі GaN, в якому до світлодіодної структури прикладають напругу, який відрізняється тим, що прикладають постійну зворотну напругу і її величину збільшують до моменту свічення першої мікроплазми та фіксують величину напруги, струму та її місцезнаходження і відповідно до цього визначають критичні етапи технології, що призводять до утворення структурних дефектів,...
Пристрій для неактивного тестування світлодіодів
Номер патенту: 65759
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович, Ляшенко Олег Всеволодович, Киселюк Максим Павлович, Власенко Олександр Іванович, Босий Віталій Ісаєвич, Велещук Віталій Петрович
МПК: G01R 31/02
Мітки: неактивного, пристрій, світлодіодів, тестування
Формула / Реферат:
Пристрій для неактивного тестування світлодіодів, який містить джерело живлення, вихід якого з'єднаний з клемами для підключення виводів світлодіодів, які перевіряються, і з'єднаними з ними і між собою вимірювальними пристроями, який відрізняється тим, що застосовується джерело живлення постійного струму і паралельно до нього під'єднано додаткове джерело живлення постійної напруги, а як вимірювальні пристрої використовуються амперметр та...
Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів
Номер патенту: 56827
Опубліковано: 25.01.2011
Автори: Велещук Віталій Петрович, Власенко Олександр Іванович, Босий Віталій Ісаєвич, Киселюк Максим Павлович, Ляшенко Олег Всеволодович
МПК: H01L 21/66
Мітки: світлодіодів, спосіб, напівпровідникових, відбракування
Формула / Реферат:
Спосіб відбракування напівпровідникових світлодіодів на основі GaN, GaAs, GaP, який включає вимірювання напруги, який відрізняється тим, що для випробування на надійність світловипромінюючих структур попередньо для зразків із партії, виготовленої в одному технологічному циклі, методами акустичної емісії вимірюють середній струм , при якому виникає акустична емісія, і...