Композиція фототермопластичного шару носія інформації

1607592 Т а б л и ц а При- Количестмер во фото. проводника» мас.% Количест- Количество плас- во сенситификабилизатора, мас.% тора, мае..% I 91 6 3 2 3 80 7 9 3 4 5 6 7 88 86 85 11 12 9 9 88,5 87,5 Пороговая фоточувствнтельность t Дж/см 8-10~Г 4,5-10~ 7 1 -10~т 3,4 0 0~Т 9-10~т 3,8 0 0 ' 5,2-10~7 3 3 3 2,5 3,5 Т а б л и ц а 2 Дифференциальная Цикл ЭффеКТИВНОCTt . 1 2 3 4 5 6 7. заявляемое 1 прототип 20 20 20 20 18,5 17,9 17,4 17 19,5 го 9 20 20 20 20 20 10 11 12 13 4 • 0,5 0 19 8 16 15*5 . 14 12 И 9,0 7 Дибракционная эффективность, Ь , % 20 24 30 26 18 23 20 1 Т а б л я ц а З Дифракционная эффективность (X) при частоте (лин/мм) Цикл 340 300 Пр 1 2 3 4 5 6 7 8 9 SO 11 12 13 14 15 16 7 18 19 3,5 3,5 3.5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 2,0 3>5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,4 3,0 2,0 2,0 З 3.5 3,5 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 2,0 1,5 Ї.4 ї,0 ,Ї.1 -2,0 .5 ,5 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 2,0 0 0 0 0 0 1.5 0 1*3 1,2 1,1 1,1 0 0 0 3,5 . і ,і 0 1.1 3,5 И 3,5 3,5 .і .і 0 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 0 1,1 1.1 3.5 ,3 Л 3»-* 3,5 3,5 3,5 3,5 3,4 2,9 2,1 2,0 1,5 1,5 1,3 1,3 І»1 U1 їй 1.1 1.1 460 ІЕ1П І Пр 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 420 380 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 2,0 0 0 0 0 3,5 3,5 1,5 і.5 Э.5 ї,4 3,0 1.1 2,0 .5 ,5 ,3 ,3 ,1 ,1 .1 .1 ,1 3,5 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3 3,5 3,5 3,5 3,1 2,1 2,0 3,5 3,5 3,5 2,0 0 0 0 0 3.5 >*.5 і.з 1,3 1,1 1,1 1.1 1,1 580 540 500 Пр 3,5 3,5 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 2 0 0 0 0 3 ,5 3 ,5 3 .0 2 ,1 2 .0 І ,5 1 ,5 1 ,3 1 ,3 1 ,1 1 ,1 1 ,1 1 ,1 1 ,1 3 Пр 3,5 3,5 3,5 3,0 3,5 2,0 3,5 Ї.О 3,5 .5 3.5 ,5 3,5 .3 3,5 .3 3,5 ,1 2. ,1 0 ,1 0 .1 0 .1 ?1 З І Пр З ] Пр 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 .5 3 .5 3 .5 3 .5 3 .5 2 ,0 3,0 2,2 2.0 1,5 1,5 1.3 1,3 0 1,1 1,1 0 660 620 з Г пР З ] Пр О 1,1 3 .5 3 ,5 3 .5 3 ,5 3 .5 3 ,5 3 .5 1.1 3 ,5 1.1 740 700 3 .5 2 .0 0 2, І. 2, 0 1. 5 1. 5 І. 3 •> 1. 3 1, 1 і, 1 1 і ,і І, 1 3 , 5 2. 0 3 .5 І. 5 3 ,5 3 ,5 3 .5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 .5 2 ,0 1. 5 І, 3 ї, 3 ! 1, І 1, І 1. 1 1, 1 і 3 .5 3 .5 3 ,5 3 .5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 .7 ,3 .3 .1 .1 ,5 1 и 3 .5 1 ,1 3 ,5 1 ,1 3 ,5 3 ,5 3 .5 3 ,5 3 .5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 ,6 .3 ,3 ,і ,1 ,1 .1 .1 3 .5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 .5 3 ,5 ,3 ,3 ,1 ,1 ,1 .1 И 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 г, з1 І. 1, ] 1 і, І і. 1 и І І Р а и е ч а н не;! заявляемы? • Пр - прототип • m 1607592 О О О О'-. fi ПОЛЬЗОВАНИЯ э к з . ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО 119) (51)5 G 03 G 5/02^ слоя ^ = ^ 7 і.Лазяикова, н Старенькая f772.93(088-8) С ССЇ ск°е 81 (н 60851 U60851, кя пр0В изобретение несеребрядля а с т и ф в Ь П р И іч *. , лученном из композиции п/ ДЛЯ СЛУЖЕБНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ ЭКЗ № СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИН SU«, 1607592 (19) (505 А1 G 03 G 5/022 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4490504/31-12 (22) 03.10.88 t (71) Киевский государственный университет им.Т.Г.Шевченко (72) Ю.П.Гетманчук, Л.И.Шолудченко, И.Д.Лазникова, И.В.Таршинов и. В.Н.Старенькая (53) 772.93(088.8) (56) Авторское свидетельств СССР № 991721, кл, G 08 G 65/22, G 03 G 5/07, 1981 (непублик) Авторское свидетельство СССР № 1160851, кл. G 03 Н 1/18, 1/26» 1983 (непублик.) (54) КОМПОЗИЦИЯ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОГО СЛОЯ НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ (57) Изобретение относится к электро-*фотографии и позволяет улучшить качество фототермопластической записи информации при последовательной записи нескольких голограмм за счет ограничения долговременной памяти фототермопластического слоя. Композицию следующего состава, мас.%: пластификатор - толилнафтнлметан 7 - И ; сенсибилизатор-хлоранил 2,5-3,5; органический фотополупроводннк - поли-3-^ -(9-флуоренил) эпитиопропан-1,2 со степенью полимеризации 50-60 остальное, растворяют в соответствующем растворителе и наносят на стеклянные подложки с гокопроводящим покрытием из диоксида олоиа. 3 табл. і СО С Изобретение относится к несеребряным фоточувсгвительным материалам для фототермической записи информации и может быть использовано в многоэкслозиционной голографической интерферометрии и для записи изображений на различных несущих пространственных частотах. Цель»о изобретения является повышение качества записи информации за счет ограничения долговременной памяти фототермопластического слоя при последовательной записи нескольких голограмм. Предложенная композиция фототермопластического слоя содержит органический фотополупроводник поли-3-(9-флуоренил)эпитиопропан-1,2 42-90 І —-* OLJO. где п = 50-60, пластификатор - толилнафтилметан и сенсибилизатор - хлоранил при следующем соотношении компонентов, мас.%: Толилнафтилметан 7-1I Хлоранил 2,5-3,5 Органический фотополупроводник Остальное. П р и м е р I. В 3 мп толуола растворяют 0,091 г органического фотополупроводника поли-3-(,9-флуоренил)-эпитиопропана-1,2, 0,003 г сенсибилиV 1607592 затора - хлоранила и 0,006 г пластификатора - толилнафтилметана. Путем полива полученного раствора на стеклянные подложки с токопроводящим слоем из диоксида олова и высушивания в пылезащитной камере при 20°С получают слой толщиной 2 мкм. Материал заряІжают в коронном разряде до потенциала 200 В (100 В/мкм). Записывают голо10 грамму плоского волнового фронта с пространственной частотой 300 лин/мм, Источником света служит гелий-неоновый лазер с *к = 0,63 мкм, интенсив2 ностью 5-10" Вт/см ". Соотношение ин15 тенсивностей опорного и предметного пучков 1:5. Скрытое изображение проявляют, пропуская по подложке импульсы тока длительностью 10-40 мс амплитудой 80-150 В до получения максималь-™ ной дифракционной эффективности. П р и м е р 2-7. Аналогично примеру 1 получают и испытывают слой с различным содержанием фотополупроводника, сенсибилизатора и пластифи- 25 катора. Их состав и основные характеристики приведены в табл.1. считывание восстановленного изображения. Проводят измерение дифракционной эффективности на каждой из записанных частот. Результаты испытаний приведены в табл.3. Из табл.2 и 3 видно, что материал, изготовленный из предложенной композиции, обладает ограниченной памятью» резко уменьшающейся после 9-го цикла и полностью исчезающей, начиная с 12-го цикла, в то время как материал, изготовленный по прототипу, "помнит" записанную информацию и после большего числа циклов записи, однако характеризуется постоянным от цикла к циклу снижением качества восстановленного изображения. Материал, изготовленный на основе предложенной композиции, позволяет записывать несколько изображений последовательно с одинаковыми значениями дифракционной эффективности. Все записанные изображения восстановятся без потери дифракционной эффективности не более 9 раз, а начиная с 15-го цикла на материале можно проводить запись новой информации. П р и м е р е . Для материала, поФ о р м у л а и з о б р е т е н и я лученного из композиции по примеру 3, Композиция фототермопластического показавшего наилучшие информационные 30 слоя носителя информации, содержасвойства, проводят сравнительные с щая органический фотополупроводник прототипом испытания на наличие доли сенсибилизатор, о т л и ч а ю говременной памяти. Для этого записыщ а я с я тем, что, с целью повышевают голограмму плоского волнового ния качества записи информации за фронта на пространственной частоте 35 счет ограничения долговременной па300 лин/мм, проявляют до достижения мяти фототермопластического слоя при дифракционной эффективности 20%. Воспоследовательной записи нескольких становленное изображение стирают. голограмм, ока содержит дополнительСлой повторно заряжают и проявляют но пластификатор - толилнафтилметан, без экспонирования. За счет долго40 в качестве сенсибилизатора - хлорвременной памяти изображение восстаанил, в качестве органического фотонавливается. Измеряют дифракционную полу проводника - флуоренсодержащий эффективность восстановленного изоболигомер формулы: ражения от цикла к циклу. Результаты измерений представлены в табл.2. 45 П р и м е р 9 . На материале, полученном из композиции по примеру 3, проводят сравнительные с прототипом испытания на запись нескольких голограмм на различных несущих частотах. 50 Для этого последовательно записывают где п - 50-60, голограммы плоского волнового фронта при следующем содержании компоненс частотами 300, 340, 380, 420, тов ,.j4ac.%: 460..., 820 лин/мм, меняя каждый раз Толилнафтилметан 7-11 пространственную частоту на 40 лин/м ^5 Хлоранил 2,5-3,5 и проявляя каждую записываемую голоОрганический фотограмму до дифракционной эффективносполупроводник Остальное. ти 3,5%, что обеспечивает уверенное 1607592 Т а б л и ц а При- Количестмер во фотопроводника, мас.% Количест- Количество плас- во сенситификабилизатора, тора, мае. % мас.% 6 3 4 91 80 88 86 9 1 1 Г2 3 3 7 88,5 87,5 9 9 1 2 3 5 б 7 S5 Пороговая фоточувствительность , Дж/см 3 8-10~' 4,5-10 7 7 3 2,5 3,4*10 9-10" т 3,8-10 5,2-10 - 7 і -ю -7 з,5 Т а б л и ц а Цикл . 2 Дифференциальная эффективное™ Г заявляемое j прототип .1 2 3 4 5 6 7 . 8 9 10 11 12 13 20 20 20 20 20 20 20 20 20 16 4 0,5 0 20 19,5 19 18,5 17,9 17,4 17 15,5 14 12 11 9,0 7 Дифракционная эффективность , У} , % 20 24 30 26 18 23 20 1 Т а б л и ц а З Дифракционная эффективность (Z) при частоте (лин/мн) Цикл 340 300 ] Пр Пр 1 2 3 4 5 6 7 8 9 .0 11 12 13 14 15 16 17 18 19 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 2,0 0 0 0 0 3,5 3,5 3,5 3,5 3.5 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,4 3,0 2,0 2,0 1,5 1,5 і.з 1,2 UI 1,! і !і 380 3,5 3,5 3,5 3,5 3,4 2,9 2.1 2,0 1,5 1,5 1,3 1,3 1,1 1,1 1,1 I.I 500 460 3 ] Пр Ї 3 Гпр 3,5 3.5 , •3,5 3,5 3.5 3,5 3.5 3,1 3,5 3.5 3,1 3,5 3,5 3,4 3,5 3,5 і,С 3,5 3,5 3,5 2, 3,5 -2.C 3,5 є 2,0 3,5 с 2,0 0 ,0 ,3 0 ,2 0 0 0 0 0 3,5 f 3,5 3,5 3,5 .3,5 f 3,5 3,5 П р и м е ч а н и е ; 420 3,5 : ,5 3,5 : ,5 3,5 : ,5 3,5 : ,4 3,5 '. .0 3,5 2 ,1 3,5 3 ,0 ,5 3,5 3,5 1 ,5 ,3 2,0 0 ,3 0 ,1 0 0 3.5 3,5 и и 3 ] Пр 3,5 3,5 3.5 3.5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 2,0 0 0 0 0 3.5 3 - заявляемый; Пр - прототип. 3,5 3,5 3,5 3,1 2,1 2,0 1,5 1,5 1,3 1,3 1,1 1.1 1,1 1,1 1И 3 |Пр 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 2 0 0 0 3,5 3,5 3,0 2,1 2,0 1.5 1,5 1,3 1,3 I.I 1,1 1J 0 1И 540 3 [lip 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3.5 3,5 3.5 3,5 20 0 0 3,5 3,0 2,0 2,0 1,5 1,5 1,3 1.3 1,1 1,1 1,1 1.1 1И 3 | Пр 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 2,0 0 0 660 620 580 3,0 2,2 2,0 1.5 1,5 1,3 1,3 1,1 1,1 1.1 1,1 3 J Пр 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3.5 3,5 2,0 1,1 0 2,2 2.0 1,5 1,5 1,3 1,3 1,1 3 J _ПР___ 3 I 3,5 3.5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 1,1 3,5 1,1 3,5 1,1 2,0 *и 700 2,0 1,5 1,5 1,3 1,3 1,1 1,1 1.1 1,1 S,l 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 Пр 1,5 1,7 1,3 1,3 1.1 1,1 1,1 1,1 1,1 740 820 780 —Г" ЗІПр n .LL ! 3,5 3,5 3.5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 1,6 1,3 1,3 1,1 1,1 1.1 1.1 1,1 3 .5 3 ,5 3 *5 3,5 3,5 3 ,5 3,5 ,3 .3 ,1 ,1 ,1 ,1 ,1 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 3 ,5 !•,: i,i i. i.i i.i m 1607592 Редактор В.Трубченко Составитель В.Шиманская Техред Л.Олийнык Корректор Т.Малец Заказ 3936/ДСП Тираж 168 Подписное ВНЙИПИ Государственного комитета по изооретениям и открытиям при 1 киТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород» ул. Гагарина, 101