Спосіб очищення силіцію

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, на 3 12665 4 легований оловом і містить велику кількість доміПриклад конкретного виконання. шок. Для реалізації способу використають силіцій зі В основу дійсної корисної моделі поставлене змістом 98мас.% Si і галій марки ГЛ-00 класу чисзавдання створити такий спосіб очищення силіцію, тоти В4. технологічні особливості якого забезпечили б моШматковий силіцій закріплюють на дні стекложливість підвищення виходу й чистоти силіцію. углеродного тигля діаметром 50мм, у який налиЦе досягається тим, що в способі очищення вають галій при кімнатній температурі. Тигель пометалургійного силіцію, яке включає введення мішують у реактор, нагрівають розплав до 900°С и металургійного силіцію в розплав металустворюють градієнт температури 4-8°С/см таким розчинника, нагрівання розплаву, створення темчином, щоб гаряча зона перебувала внизу тигля, а пературного градієнта уздовж тигля й кристалізахолодна - угорі. Уведення кристала-запалу на цію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розпякому відбувається ріст силіцію здійснюють у верлав, введення силіцію в розплав галію здійснюють хній холодній зоні. Масоперенос розчиненого силішляхом закріплення силіцію на дні тигля при націю з нижньої у верхню зону проводять природним гріванні розплаву до 800-1000°С, створення темконвективним переносом у розплаві, забезпечуючи пературного градієнту 4-8°С/см й кристалізації високу швидкість росту силіцію на кристалі-запалі: силіцію зі швидкістю 1кг за 3,5 години. за 1 годину в тиглі діаметром 50мм розчиняється, На відміну від прототипу, куди вихідний метапереноситься й кристалізується 298м силіцію. У лургійний кремній вводять у розплав оловапідсумку, для перекристалізації 1кг Si необхідно свинцю у вигляді порошку, що спливає на поверх~3,5 години. Шлаки, які спливають на поверхню ню розплаву з-за малої щільності, відповідно до галію, віддаляються продувкою реактора. пропонованого технічного рішення, вихідний метаЗміст галію в очищеному силіції відповідає лургійний кремній вводять у розплав галію у виграничній розчинності при даній температурі вигляді шматків, закріплених на дні тигля, так щоб рощування. Спосіб дозволяє очищувати силіцій зі він там розчинявся не спливаючи. Використання змістом більш 98,0мас.% Si. При наступному вияк метал-розчинник - галію, дозволило проводити рощуванні монокристалічних злитків за методом процес очищення силіцію при температурах 800Чохральского відбувається очищення силіцію від 1000°С, з достатньою розчинністю силіцію в галії галію (коефіцієнт сегрегації 8 10-3). Вирощені зли10% і низьким змістом галію у вирощеному кристки мають питомий опір 0,25-0,2Ом см, тобто наталі силіцію. Збільшення температури розплаву далі придатні для виготовлення ФЕП. >1000°С, а з нею й розчинності Si, недоцільно у Таким чином, запропонований спосіб очищензв'язку з тим, що зростання тиску пар Ga веде до ня силіцію дозволяє підвищити ефективність очийого втрат і забруднення реактора через осадженщення, що спричиняє перспективність його проминя на стінках. Зменшення ж температури