Хлопенова Ірина Анатоліївна

Номер патенту: 38627

Опубліковано: 12.01.2009

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Буряченко Володимир Іванович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Стогній Дмитро Васильович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/00, C30B 19/00 ...

Мітки: отримання, гетероепітаксійних, сполук, напівпровідникових, спосіб, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.

Номер патенту: 34731

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Китаєв Олександр Васильович, Хлопенова Ірина Анатоліївна

МПК: H02N 11/00, H02J 1/00

Мітки: постійного, струму, електричний, генератор

Формула / Реферат:

Електричний генератор постійного струму, що складається зі статора, призначеного для створення нерухомого магнітного поля, двох підшипникових щитів і ротора з елементами: валом, сердечником, який відрізняється тим, що обмотка ротора виконана трифазною, виводи її через трифазний мостовий випрямляч, який закріплений на валу ротора, приєднані до двох контактних кілець, які розташовані на тому ж валу.

Номер патенту: 30395

Опубліковано: 25.02.2008

Автори: Гришко Олександр Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Хлопенова Ірина Анатоліївна

МПК: H02K 57/00

Мітки: зварювального, керування, високочастотного, джерела, блок, струму

Формула / Реферат:

Блок керування для високочастотного джерела зварювального струму, що містить послідовно з'єднані датчик струму, контролер, драйвер і силовий електронний ключ - транзистор, які виконані на печатній платі, який відрізняється тим, що він додатково містить вузол в складі компаратора та таймера, який підключений паралельно до датчика струму та контролера.

Номер патенту: 14278

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Соловйов Олег Володимирович, Повстяний Михайло Васильович

МПК: C01B 33/021

Мітки: силіцію, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання силіцію, який включає пряме електродугове відновлення двооксигенту силіцію і його очищення, який відрізняється тим, що пряме електродугове відновлення двооксигенту силіцію здійснюють карбоном шляхом використання електродів складу С : SiO2.

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Соловйов Олег Володимирович, Хлопенова Ірина Анатоліївна

МПК: C01B 33/021, C30B 29/06

Мітки: очищення, силіцію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Номер патенту: 8439

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Масенко Борис Павлович, Соловйов Олег Володимирович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Повстяний Михайло Васильович, Афонченкова Тетяна Миколаївна

МПК: C01B 33/025, C22B 4/00, C01B 33/021 ...

Мітки: отримання, установка, силіцію

Формула / Реферат:

Установка для отримання силіцію складена з апарата прямого електродугового відновлення силіцію, що включає електроди, випускний жолоб-накопичувач для збору відновленого силіцію, трубок подачі інертного газу і відведення газоподібних продуктів реакції, яка відрізняється тим, що апарат електродугового відновлення виконаний у вигляді горизонтального кварцового реактора, який з'єднаний з високочастотним генератором дуги змінного струму, вздовж...

Номер патенту: 7761

Опубліковано: 15.07.2005

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Повстяний Михайло Васильович, Соловйов Олег Володимирович

МПК: C01B 33/00

Мітки: виготовлення, електродів, спосіб, двоокису, електродугового, силіцію, відновлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення електродів для електродугового відновлення силіцію з двоокису силіцію, що включає хімічне змішування порошкоподібних компонентів, як такі використовують метали і неметали у вигляді дрібнодисперсних часток, який відрізняється тим, що хімічне змішування часток металу-відновника з частками порошку SіО2 здійснюють шляхом осадження з розчину на поверхні часток металу-відновника при інтенсивному одночасному перемішуванні з...

Номер патенту: 5396

Опубліковано: 15.03.2005

Автори: Масенко Борис Павлович, Соловйов Олег Володимирович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Афонченкова Тетяна Миколаївна, Повстяний Михайло Васильович

МПК: C01B 33/023, C01B 33/021

Мітки: отримання, спосіб, силіцію

Формула / Реферат:

Спосіб отримання силіція, який включає пряме електродугове відновлення двооксигенту силіція і його очищення, який відрізняється тим, що пряме електродугове відновлення двооксигенту силіція здійснюють металом-відновлювачем шляхом використання електродів складу Me:SiО2 і одноразовим очищенням.