C01B 33/021 — отримання
Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі
Номер патенту: 117157
Опубліковано: 26.06.2017
Автори: Дмітрієв Валерій Максимович, Бондаренко Борис Іванович, Сімейко Костянтин Віталійович, Кожан Олексій Пантелеймонович
МПК: B01J 8/42, B01J 8/18, B01J 19/14 ...
Мітки: псевдозрідженому, реактор, високотемпературних, шарі, процесів
Формула / Реферат:
Реактор для високотемпературних процесів у псевдозрідженому шарі, що включає зовнішній циліндричний корпус з теплоізоляцією, в якому встановлено реакційну камеру з псевдозрідженим шаром, у верхній частині якої співвісно встановлений рухомий електрод, а у нижній - повітряна камера з газопровідними трубками та газорозподільними ковпачками, який відрізняється тим, що він оснащений нагрівальною камерою з нагрівним елементом, розміщеним всередині...
Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію
Номер патенту: 111178
Опубліковано: 10.11.2016
Автори: Шека Галина Костянтинівна, Родіонов Валерій Євгенович, Венгер Євген Федорович
МПК: C01B 33/02, C01B 33/00, C01B 33/021 ...
Мітки: одержання, полікристалічного, кремнію, порошку, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію, при якому використовують як вихідну речовину діоксид кремнію, при цьому технологічний процес містить чотири послідовні стадії, де на 1 стадії в першому реакторі діоксид кремнію обробляють елементним фтором (фторують) з надлишковою його кількістю відносно необхідної стехіометричної кількості; на 2 стадії у другому реакторі здійснюють фторування надлишкової кількості діоксиду кремнію...
Каскадний комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості
Номер патенту: 108789
Опубліковано: 25.07.2016
Автори: Циба Андрій Вікторович, Кузема Павло Олександрович, Карплюк Олександр Іванович
МПК: B22F 9/28, C01B 31/36, C01B 33/021, C04B 35/565 ...
Мітки: якості, промислового, карбіду, кремнію, порошку, виробництва, каскадний, високої, комплекс
Формула / Реферат:
1. Каскадний комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості, який містить перший змішувач компонент колоїдного розчину, таких як джерело кремнію і джерело вуглецю, який зв'язаний з сушильною піччю, яка зв'язана з піччю синтезу карбіду кремнію, який відрізняється тим, що містить n змішувачів компонент колоїдного розчину, вихід кожного з яких зв'язаний з входом сушильної печі, вихід якої зв'язаний з входом печі...
Комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості
Номер патенту: 108544
Опубліковано: 25.07.2016
Автори: Циба Андрій Вікторович, Караульщук Володимир Антонович, Новоженюк Любомир Іванович, Карплюк Олександр Іванович, Кузема Павло Олександрович, Сухоставець Володимир Маркович
МПК: C01B 31/36, B22F 9/00, C01B 33/021, C04B 35/565 ...
Мітки: кремнію, карбіду, комплекс, порошку, якості, виробництва, промислового, високої
Формула / Реферат:
1. Комплекс промислового виробництва порошку карбіду кремнію високої якості, виробничий ланцюг якого містить блок завантаження вхідних компонент, у складі яких є цукор, змішувач, випарник, вихід якого зв'язаний з входом печі карбонізації, вихід якої зв'язаний з входом печі синтезу карбіду кремнію, вихід якої зв'язаний з входом печі декарбонізації, який відрізняється тим, що блок завантаження вхідних компонент містить механізм завантаження...
Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом
Номер патенту: 67586
Опубліковано: 27.02.2012
Автор: Берінгов Сергій Борисович
МПК: C30B 35/00, C01B 33/021
Мітки: методом, кремнію, система, мультикристалічного, автоматизована, індукційним, виробництва
Формула / Реферат:
1. Автоматизована система виробництва мультикристалічного кремнію індукційним методом в холодному тиглі, що включає ділянку підготовки сировини, засіб доставки сировини, понад одну установку отримання зливка мультикристалічного кремнію, зв'язану з диспетчерським центром керування, кожна з яких обладнана бункером подачі сировини, засобами утримування і переміщення зливка та засобами вилучення зливка, і засіб транспортування зливка в зону...
Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти
Номер патенту: 90286
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: C01B 33/023, C01B 33/02, C01B 33/021 ...
Мітки: чистоти, алюмотермічний, спосіб, одержання, кремнію, ступеня, високого
Формула / Реферат:
Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти з діоксиду кремнію SiO2, який включає розміщення в реакторі тигля з легкоплавким металом, нагрів тигля в вакуумі та потоці аргону з одержанням розплаву, введення у розплав алюмінію та діоксиду кремнію, відновлення SiO2 алюмінієм в розплаві легкоплавкого металу до елементарного кремнію, кристалізацію кремнію, відділення одержаних кристалів кремнію від розплаву з наступною...
Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію
Номер патенту: 89661
Опубліковано: 25.02.2010
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна
МПК: C01B 33/023, C01B 33/02, C01B 33/00, C01B 33/021 ...
Мітки: чистого, діоксиду, зливка, кремнію, установка, одержання
Формула / Реферат:
Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію шляхом його алюмотермічного відновлення, яка містить реактор для відновлення кремнію з діоксиду кремнію у вакуумі або середовищі інертного газу, розташовану в реакторі піч (7), тигель (5) для розміщення в ньому розчину кремнію у розплаві легкоплавкого металу, пристрій (9) для постійного перемішування вказаного розчину-розплаву, яка відрізняється тим, що реактор являє собою...
Тигель для кристалізації кремнію та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 88964
Опубліковано: 10.12.2009
Автор: Ранкулі Гілберт
МПК: B22D 41/02, C01B 33/021, C04B 35/14 ...
Мітки: тигель, виготовлення, кристалізації, спосіб, кремнію
Формула / Реферат:
1. Тигель (1) для кристалізації кремнію, який включаєa) основний корпус (2), який включає нижню поверхню (21) та бокові стінки (22), які обмежують внутрішній об'єм;b) шар підкладки (25), який включає від 80 до 100 мас. % нітриду кремнію на поверхні бокових стінок (22), спрямованій до внутрішнього об'єму;c) проміжний шар (3), який включає від 50 до 100 мас. % кремнезему над шаром підкладки (25); таd) поверхневий шар...
Спосіб одержання високочистого кремнію та пристрій для його здійснення
Номер патенту: 85324
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Огенко Володимир Михайлович, Тарасевич Олексій Юрійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Борисюк Сергій Михайлович, Тарасевич Юрій Стефанович
МПК: F01B 9/02, C01B 33/027, C01B 33/021 ...
Мітки: здійснення, кремнію, пристрій, одержання, високочистого, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання високочистого кремнію, який включає термохімічний розклад очищених кремнійвмісних сполук в присутності газоподібних компонентів, утворення та уловлювання дисперсних частинок в псевдозрідженому шарі і розділення одержаних продуктів, який відрізняється тим, що в реактор термохімічного розкладу очищених кремнійвмісних сполук періодично подають вихідні компоненти в присутності відновника та формують дисперсні...
Спосіб очищення металургійного кремнію
Номер патенту: 84653
Опубліковано: 10.11.2008
Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Марончук Ігор Ігорович, Комар Фідель Леонідович
МПК: C01B 33/037, C01B 33/02, C01B 33/021 ...
Мітки: металургійного, очищення, спосіб, кремнію
Формула / Реферат:
Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...
Спосіб очищення кремнію
Номер патенту: 17528
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Семенюк Олександр Васильович, Волохов Сергій Олександрович, Тербан Віктор Андрійович
МПК: C01B 33/158, C01B 33/021
Мітки: спосіб, кремнію, очищення
Формула / Реферат:
1. Спосіб очищення кремнію, який включає механічну обробку кремнієвмісної шихти, видалення металевих та неметалевих домішок і видалення вологи шляхом сушіння в середовищі інертного газу, який відрізняється тим, що механічну обробку здійснюють до одержання з шихти порошку, після чого одержаний порошок змішують з водним розчином кислоти, вибраної з НСl та/або Н3РO4, та/або H2SO4, або суміші НСl / Н3РO4, Н3РO4 / H2SO4 та Н3РO4 /НСl/ H2SO4, суміш...
Лінія для одержання кремнію з кремнієвмісних відходів
Номер патенту: 17527
Опубліковано: 15.09.2006
Автори: Семенюк Олександр Васильович, Тербан Віктор Андрійович, Волохов Сергій Олександрович
МПК: C01B 33/021, C01B 33/158
Мітки: кремнієвмісних, кремнію, одержання, лінія, відходів
Формула / Реферат:
1. Лінія для одержання кремнію з кремнієвмісних відходів, що складається з блока чищення шихти від механічних домішок, з яким зв'язані блок промивання, блок сушіння, блок вивантаження чистого кремнію, станція подачі кислотних розчинів та станція подачі води.2. Лінія за п. 1, яка додатково містить дозатор для завантаження мірної кількості відходів виробництва кремнію у вигляді порошку.3. Лінія за п. 1 або п. 2, яка додатково...
Спосіб отримання силіцію
Номер патенту: 14278
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Повстяний Михайло Васильович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Соловйов Олег Володимирович
МПК: C01B 33/021
Мітки: силіцію, спосіб, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання силіцію, який включає пряме електродугове відновлення двооксигенту силіцію і його очищення, який відрізняється тим, що пряме електродугове відновлення двооксигенту силіцію здійснюють карбоном шляхом використання електродів складу С : SiO2.
Спосіб очищення силіцію
Номер патенту: 12665
Опубліковано: 15.02.2006
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Соловйов Олег Володимирович, Хлопенова Ірина Анатоліївна
МПК: C01B 33/021, C30B 29/06
Мітки: силіцію, спосіб, очищення
Формула / Реферат:
Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...
Спосіб одержання тетрафториду кремнію, спосіб відділення тетрафториду кремнію від кисню і високолетких фторидів домішок, спосіб одержання порошку кремнію з тетрафториду кремнію
Номер патенту: 73847
Опубліковано: 15.09.2005
Автори: Домашев Євген Дмитрович, Карєлін Владімір Алєксандровіч, Абубекєров Равіль Абдурахімович, Карєлін Алєксандр Івановіч
МПК: C01B 33/021, C01B 33/03, C01B 33/02 ...
Мітки: високолетких, фторидів, відділення, домішок, порошку, кисню, кремнію, одержання, спосіб, тетрафториду
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання тетрафториду кремнію, що полягає в тому, що здійснюють фторування природних кремнієвмісних концентратів з 97,0 - 99,998 % мас. SiO2 у дві наступні стадії, що протікають незалежно без поділу продуктів реакцій:- на 1-ій стадії фторування проводять у факелі при 1500 - 2000 °С з надлишком елементного фтору 15-20 % мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виводом із процесу нелетких фторидів при 100 - 350°С, а...
Установка для отримання силіцію
Номер патенту: 8439
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Повстяний Михайло Васильович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Афонченкова Тетяна Миколаївна, Масенко Борис Павлович, Соловйов Олег Володимирович
МПК: C01B 33/021, C01B 33/025, C22B 4/00 ...
Мітки: установка, силіцію, отримання
Формула / Реферат:
Установка для отримання силіцію складена з апарата прямого електродугового відновлення силіцію, що включає електроди, випускний жолоб-накопичувач для збору відновленого силіцію, трубок подачі інертного газу і відведення газоподібних продуктів реакції, яка відрізняється тим, що апарат електродугового відновлення виконаний у вигляді горизонтального кварцового реактора, який з'єднаний з високочастотним генератором дуги змінного струму, вздовж...
Спосіб отримання силіцію
Номер патенту: 5396
Опубліковано: 15.03.2005
Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Повстяний Михайло Васильович, Масенко Борис Павлович, Соловйов Олег Володимирович, Афонченкова Тетяна Миколаївна
МПК: C01B 33/023, C01B 33/021
Мітки: спосіб, силіцію, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання силіція, який включає пряме електродугове відновлення двооксигенту силіція і його очищення, який відрізняється тим, що пряме електродугове відновлення двооксигенту силіція здійснюють металом-відновлювачем шляхом використання електродів складу Me:SiО2 і одноразовим очищенням.