C30B 29/06 — кремній

Номер патенту: 122252

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Топоровська Лілія Романівна, Серкіз Роман Ярославович, Парандій Петро Петрович, Турко Борис Ігорович

МПК: B82B 3/00, C01B 33/00, C30B 29/06 ...

Мітки: композитного, спосіб, фотокаталізатора, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання композитного фотокаталізатора, за яким з розчину реагентів вирощують наноструктури ZnO з n-типом електропровідності на шарі зародків ZnO з n-типом електропровідності, що міститься на поруватому кремнії з р-типом електропровідності, який відрізняється тим, що як наноструктури використовують наноквіти ZnO з розвиненою поверхнею.

Номер патенту: 116768

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Дяденчук Альона Федорівна, Кідалов Валерій Віталійович, Хрипко Сергій Леонідович

МПК: H01L 31/00, H01L 21/00, C30B 29/06 ...

Мітки: отримання, монокристалічному, елементів, використанням, сонячних, нанорозмірного, поруватого, кремнії, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сонячних елементів з використанням поруватого кремнію як антивідбиттєвого покриття, який відрізняється тим, що для отримання якісного покриття порувату поверхню кремнію отримують шляхом електрохімічної обробки монокристалічних кремнієвих зразків у гальваностатичному режимі в електроліті з різними співвідношеннями HF:H2О:C2H5ОH=2:1:1.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщину шарів поруватого кремнію в...

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 29/06 ...

Мітки: кристалізатор, заготовки, спосіб, напівпровідникової, монокристалічної, виробництва

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Номер патенту: 111753

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Ранкулі Гілберт, Дюбуа Лоран, Мартен Крістіан

МПК: C30B 11/14, C30B 11/00, C30B 28/06 ...

Мітки: виготовлення, виробництва, напівпровідникових, спосіб, кристалічних, кристалізатор, заготовок

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виробництва кристалічних напівпровідникових заготовок, що включає внутрішній об'єм, який обмежується дном (1а), верхня поверхня якого включає плоску частину, яка утворює першу горизонтальну площину (Н), та периферійними боковими стінками (1b), кожна з яких має внутрішню поверхню, яка включає по суті вертикальну плоску частину, яка утворює по суті вертикальну площину (V), перпендикулярну першій горизонтальній площині...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Власенко Тимур Вікторович, Черпак Юрій Володимирович, Хенриксен Бьорн Руне, Форвальд Карл

МПК: C30B 29/06, C01B 33/037

Мітки: виготовлення, сонячних, спосіб, придатного, фотогальванічних, кремнію, виробництва, елементів, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/00, C01B 33/02, C30B 33/00 ...

Мітки: кремнію, одержання, спосіб, полікристалічного, зливках

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Номер патенту: 107030

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 15/02, C01B 33/00, H01L 31/048, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнію, одержання, сонячних, придатного, мультикристалічного, методом, індукційним, виготовлення, зливка, елементів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання придатного для виготовлення сонячних елементів зливка мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає:попереднє задання діапазону питомого опору і типу електропровідності зливка, що одержують,вибір принаймні одного додаткового легуючого елемента,визначення розрахункового розподілу питомого опору зливка, що мають одержати, з урахуванням легуючого елемента або легуючих елементів, що є у...

Номер патенту: 107029

Опубліковано: 10.11.2014

Автор: Литвак Марина Леонідівна

МПК: C30B 29/06, C30B 15/08, C30B 15/02, C30B 35/00 ...

Мітки: зливків, подачі, матеріалу, містить, одержання, завантажувального, розплавленому, плавильній, вузол, установка, кремнію, вигляді

Формула / Реферат:

1. Плавильний вузол для подачі завантажувального матеріалу в розплавленому вигляді, що включає тигель плавильного вузла, оточений ізоляцією та індукційним нагрівачем, і бункер подачі кускової шихти, де тигель плавильного вузла має отвір, причому, плавильний вузол виконаний з можливістю розташування над тиглем для одержання зливків кремнію, який відрізняється тим, що отвір тигля плавильного вузла розташований в верхнійчастині його стінки і...

Номер патенту: 106916

Опубліковано: 27.10.2014

Автори: Березос Володимир Олександрович, Пікулін Олександр Миколайович, Ахонін Сергій Володимирович, Северин Андрій Юрійович

МПК: C30B 13/00, C22B 9/22, C01B 33/037 ...

Мітки: електронно-променевої, спосіб, кремнію, очищення, методом, плавки

Формула / Реферат:

1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...

Номер патенту: 104640

Опубліковано: 25.02.2014

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, B22D 11/041, B22D 11/01 ...

Мітки: кремнію, використаний, мультикристалічного, одержання, ньому, зливків, холодний, індукційним, тигель, пристрій, методом

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що включає камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхоплений індуктором холодний тигель з рухомим дном та чотирма стінками із секцій, що мають вертикальні щілини, які утворюють плавильний простір прямокутного чи квадратного поперечного перерізу, протидеформаційні засоби тигля, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване...

Номер патенту: 103707

Опубліковано: 11.11.2013

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C23C 4/04, C30B 29/06, C30B 15/10 ...

Мітки: спосіб, монокристалічного, вирощування, великого, методом, чохральського, злитка, підготовки, тигля, діаметра

Формула / Реферат:

Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка великого діаметра за методом Чохральського, що включає формування барійвмісного покриття напилюванням суспензії з гідроксиду барію у атмосфері повітря на внутрішній і зовнішній поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 130-150 °C, який відрізняється тим, що на внутрішній поверхні тигля формують барійвмісне покриття з розрахунку 1,5-2,0 mМ гідроксиду барію на 1000 см2,...

Номер патенту: 101298

Опубліковано: 25.03.2013

Автор: Ліщук Віталій Євгенович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/06

Мітки: росту, спосіб, завершення, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Спосіб завершення росту монокристалів, переважно кремнію, при вирощуванні їх за методом Чохральського з відокремленням кристала від розплаву та його охолодженням, який відрізняється тим, що перед відокремленням тигель та кристал переміщують у зону нагрівання.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що швидкість переміщення кристала поступово збільшують до швидкості переміщення тигля.

Номер патенту: 100736

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Піскун Наталія Василівна, Бабич Вілик Максимович, Асніс Юхим Аркадійович, Статкевич Ігор Іванович, Баранський Петро Іванович

МПК: C30B 29/06, C30B 13/12, C30B 33/02, C30B 13/22 ...

Мітки: методом, спосіб, здійснення, безтигельної, електронно-променевої, зонної, одержання, пристрій-натікач, легованих, плавки, монокристалів, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання легованих монокристалів кремнію методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки, який полягає в тому, що розплавляють зону вихідного стрижня дисковим електронним променем і подають легуючу домішку у плавильну камеру, яка вакуумується, при цьому газ легуючої домішки подають безпосередньо в плавильну камеру за допомогою пристрою-натікача, що включає циліндричний корпус з штуцерами для підключення входу і виходу...

Номер патенту: 72174

Опубліковано: 10.08.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02, C30B 35/00, C30B 29/06 ...

Мітки: мультикристалічних, злитків, вирощування, кремнієвих, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який відрізняється тим, що додаткову кремнієву сировину переміщують за допомогою пристрою для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків з його бункера до камери печі вирощування на тверду кремнієву пробку, що утворюється на поверхні розплаву.

Номер патенту: 67692

Опубліковано: 12.03.2012

Автор: Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 35/00

Мітки: мультикристалічних, пристрій, злитків, завантаження, вирощування, печі, кремнієвих

Формула / Реферат:

Пристрій для завантаження печі для вирощування мультикристалічних кремнієвих злитків, який характеризується тим, що складається з накопичувального бункера, вібратора, подавальної труби та пристрою, контролюючого введення додаткової маси кремнієвої сировини.

Номер патенту: 97488

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Буасвер Рене, Леблан Домінік

МПК: F27B 7/06, C01B 33/037, C30B 29/06, C01B 33/02 ...

Мітки: печі, очищення, кремній, полікристалічний, газі, кремнієвмісного, низької, матеріалу, ньому, цим, відхідні, чистоти, застосування, барабанної, розплав, одержані, твердий, способом, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, який включає етапи, на яких:(a) забезпечують плавильний пристрій, обладнаний кисневим пальником, і(b) в цьому плавильному пристрої плавлять кремнієвмісний матеріал низької чистоти з одержанням розплаву кремнієвмісного матеріалу більш високої чистоти.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що плавильний пристрій з етапу (а) включає в себе барабанну...

Номер патенту: 67361

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Яцюк Сергій Анатолійович, Андрієнко Віктор Богданович, Бучовська Ірина Богданівна, Власенко Тимур Вікторович, Берінгов Сергій Борисович, Лясковський Олександр Анатолійович

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00

Мітки: елементів, кристалізації, вирощування, придатного, направленої, виготовлення, сонячних, установка, зливків, методом, кремнію

Формула / Реферат:

1. Установка для вирощування зливків кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, методом направленої кристалізації, що включає встановлені в камері для вирощування зливків кремнію тигель, призначений для розміщення сировини і що має затравочну ділянку для розміщення принаймні однієї затравки монокристалічного кремнію, нагрівач для плавлення сировини, ізоляцію та теплообмінник, обладнаний опорною конструкцією і виконаний з...

Номер патенту: 96558

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Власенко Тимур Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна, Берінгов Сергій Борисович, Власюк Марина Сергіївна

МПК: H01L 31/048, C01B 33/00, C30B 29/06, C30B 15/02 ...

Мітки: одержання, сонячних, виготовлення, спосіб, елементів, кремнію, придатного, злитка

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання злитка кремнію, придатного для виготовлення сонячних елементів, що включає вибір щонайменше одного легуючого елемента, одержання розплаву з вихідної сировини та вирощування злитка, який відрізняється тим, що попередньо задають діапазон питомого опору та тип електропровідності злитка, що мають одержати, додатково визначають тип електропровідності гаданого злитка з вихідної сировини, вибір легуючого елемента здійснюють з...

Номер патенту: 95326

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Тьощин Володимир Вікторович, Шифрук Олександр Сергійович, Кравченко Олександр Володимирович

МПК: B05D 5/08, B05D 3/02, C30B 29/06 ...

Мітки: кремнію, спосіб, зливка, розплаву, твердого, кварцового, підготовки, тигля, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки кварцового тигля для формування твердого зливка кремнію з розплаву, що включає приготування водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози для нанесення антиадгезійного покриття, формування антиадгезійного покриття на внутрішній поверхні нагрітого кварцового тигля шляхом нанесення в дві стадії водної суспензії з нітриду кремнію і ефіру целюлози та наступне випалювання кварцового тигля з сформованим антиадгезійним...

Номер патенту: 95131

Опубліковано: 11.07.2011

Автори: Онищенко Володимир Євгенович, Шевчук Андрій Леонідович, Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Марченко Степан Анатолійович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 21/00, B22D 11/16, B22D 11/041 ...

Мітки: кремнію, індукційним, зливків, мультикристалічного, спосіб, методом, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, який включає подачу шихти кремнію у плавильний простір охолоджуваного тигля, оточеного індуктором, формування дзеркала розплаву, плавлення при контролі вихідних параметрів джерела живлення індуктора і витягування зливка мультикристалічного кремнію при контрольованому його охолодженні, який відрізняється тим, що при плавленні встановлюють масову швидкість подачі...

Номер патенту: 94784

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Чепурний Богдан Васильович, Онищенко Володимир Євгенович, Шкульков Анатолій Васільєвич, Марченко Степан Анатолійович, Позігун Сергій Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: B22D 11/01, C30B 29/06

Мітки: індукційним, одержання, мультикристалічного, методом, пристрій, кремнію, зливків

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання зливків мультикристалічного кремнію індукційним методом, що містить камеру, в якій встановлені засіб стартового розігріву кремнію, обхвачений індуктором охолоджуваний тигель з рухомим дном та чотирма стінками, котрі складені з секцій, що розділені вертикальними щілинами, засоби переміщення, зв'язані з рухомим дном, і, розташоване нижче охолоджуваного тигля, відділення контрольованого охолодження, причому внутрішньою...

Номер патенту: 94312

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Гаврилюк Олег Якович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/00, C30B 33/02 ...

Мітки: очищення, кремнію, оборотів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає плавлення оборотів кремнію електронним променем в плавильній ємності у вакуумі, витримку розплаву, зливання розплаву в тигель, який відрізняється тим, що плавлення і витримку розплаву ведуть в потоці інертного чи реакційного газу над поверхнею розплаву при глибині розплаву не більше ніж 5 см та максимальній потужності електронного променя, яка не призводить до кипіння розплаву.

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Марченко Степан Анатолійович, Черпак Юрій Володимирович, Берінгов Сергій Борисович, Шкульков Анатолій Васілієвіч, Шевчук Андрій Леонідович, Онищенко Володимир Євгенович, Позігун Сергій Анатолійович

МПК: B22D 11/08, C30B 11/00, B22D 11/00 ...

Мітки: одержання, кремнію, індукційним, полікристалічного, здійснення, спосіб, пристрій, методом, зливків

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 44908

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/06

Мітки: кремнію, пластин, мультикристалічного, спосіб, кремнієвих, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кремнієвих пластин з мультикристалічного кремнію, що включає розрізання зливка мультикристалічного кремнію на блоки та різання блока на пластини, який відрізняється тим, що додатково кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані, не меншій за 0,1 мм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що кожну торцеву сторону пластини обрізають лазерним різанням на відстані 0,1-10 мм.

Номер патенту: 43896

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, C30B 33/00

Мітки: пластин, кремнієвих, монокристалічних, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічних кремнієвих пластин, що включає обробку зливка монокристалічного кремнію на квадратері з наданням псевдоквадратної форми в горизонтальному перерізі зливка, при цьому розмір горизонтального перерізу псевдоквадратованого зливка відповідає заданому розміру пластини з припуском, видалення припуску, різання псевдоквадратованого зливка на пластини, який відрізняється тим, що при обробці на квадратері припуск...

Номер патенту: 87525

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Єлісєєв Валерій Андрійович, Кравченко Віктор Леонович, Берінгов Сергій Борисович, Куліковський Станіслав Володимирович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06, C30B 35/00, C01B 33/00 ...

Мітки: протікання, сигналізації, розплаву, індикацією, кремнію, пристрій, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для одержання кремнію з розплаву з індикацією протікання розплаву, що містить тигель для одержання розплавленого матеріалу, супорт тигля і індикатор протікання розплаву кремнію, електрично зв'язаний з блоком сигналізації, який відрізняється тим, що індикатор протікання розплаву кремнію додатково містить чотири датчики протікання кремнію, супорт тигля складається з чотирьох бокових плит і нижньої плити, що має чотири отвори, при...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Фр'єстад Кеннет, Детлофф Крістіан

МПК: C01B 33/02, C01B 33/00, C30B 13/00 ...

Мітки: шляхом, направленої, плавки, зливка, одержуваного, кристалізації, полікристалічного, спосіб, зонної, чохральського, еремнію, виготовлення, методом

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 86168

Опубліковано: 25.03.2009

Автор: Фр'єстад Кеннет

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10, C30B 35/00 ...

Мітки: спосіб, матеріалу, пристрій, розплавленого, рафінування

Формула / Реферат:

1. Спосіб рафінування матеріалу, який включає стадії: утворення розплаву матеріалу в ємності; приведення температурно-контрольованої контактної поверхні у контакт з поверхнею розплаву, при цьому вказана температурно-контрольована контактна поверхня не контактує зі стінками ємності і забезпечує кристалізацію розплавленого матеріалу та його утримування; і поступової кристалізації розплавленого матеріалу зверху вниз з утворенням твердого зливка...

Номер патенту: 77594

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович, Куликовський Едуард Володимирович, Коломоєць Сергій Дмитрович, Шифрук Олександр Сергійович

МПК: C30B 29/06, C30B 15/10

Мітки: вирощування, чохральського, тигля, спосіб, методом, підготовки, монокристалічного, злитка

Формула / Реферат:

1. Спосіб підготовки тигля для вирощування монокристалічного злитка за методом Чохральського, який включає формування барієвмісного покриття з гідроксиду барію на внутрішній і/або зовнішній поверхні нагрітого кварцового тигля, який відрізняється тим, що зазначене формування барієвмісного покриття здійснюють на поверхні кварцового тигля, нагрітого до температури 100-150 °С.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування...

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Хлопенова Ірина Анатоліївна, Марончук Ігор Євгенович, Соловйов Олег Володимирович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/021

Мітки: силіцію, спосіб, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Номер патенту: 74660

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Святелик Володимир Федосійович, Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович, Шульга Юрій Григорович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/06, H01L 21/02 ...

Мітки: одержання, елементів, спосіб, кремнію, сонячних, мультикристалічного, пластин

Формула / Реферат:

Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, який полягає в тому, що злиток, одержаний з розплаву кремнію методом спрямованої кристалізації, розрізують на брикети, а брикети розрізують на пластини, який відрізняється тим, що додатково перед розрізуванням брикетів на пластини здійснюють відпалювання брикетів при температурі 500-1000°С протягом 2,5-3,5 годин з наступним охолоджуванням зі швидкістю...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 29/06, H01L 21/304, C30B 29/00 ...

Мітки: мультикристалічного, сонячних, елементів, спосіб, кремнію, пластин, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Номер патенту: 39567

Опубліковано: 15.07.2004

Автори: Мокеєв Юрій Генадійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: C30B 15/20, C30B 29/06

Мітки: спосіб, кремнію, виготовлення, монокристалічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення монокристалічного кремнію, що включає розплавлення вихідного матеріалу, обертання розплаву i витягування кристала з розплаву, який відрізняється тим, що визначають відстань від початкового рівня розплаву до верхнього краю тигля, процес ведуть із зміною зазначеної відстані при початковій частоті обертання тигля, меншій за таку для кристала, з поступовим збільшенням частоти обертання тигля відносно кристала i відповідною...

Номер патенту: 41605

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Мокеєв Юрій Генадійович, Немчин Олександр Федорович

МПК: C30B 29/06

Мітки: монокристалічний, кремній

Формула / Реферат:

1. Кремній монокристалічний, що містить мікродомішки кисню, вуглецю та легуючу добавку, який відрізняється тим, що він додатково містить мікродомішки заліза, міді та золота при такому їх співвідношенні, ат/см3: кисень 7·1017 - 1,1·1018 вуглець 5·1016 - 3·1017 легуюча добавка 2,3·1013 – 1,2·1017 залізо 5·1015 -...

Номер патенту: 10594

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Красножонов Євген Павлович, Островський Петро Іванович, Байцар Роман Іванович, Островська Анастасія Степанівна

МПК: C30B 29/00, C30B 29/06

Мітки: резонаторів, струнних, спосіб, вирощування, кристалів, ниткоподібних, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування напівпровідникових ни­ткоподібних кристалів для струнних резонаторів в вакуумованій кварцевій ампулі, яка містить вихідний кремній, легований бором, легуючі домішки Pt, Au, В2О3 в присутності галоїда, як компонента-розчинника, та при наявності перепа­ду температур між кінцями ампули, який відрізняється тим, що в ампулу поряд з кремнієм дірковим, легованим бором до номінального пито­мого опору 0,4 Ом•см, додатково вводять...