Марончук Ігор Євгенович

Номер патенту: 107662

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Сушко Борис Іванович, Найденкова Марія Володимирівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 11/00, C30B 35/00, C30B 7/00 ...

Мітки: об'ємних, кристалічних, злитків, спосіб, розчинів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування об'ємних кристалічних злитків з розчинів в розплавах легкоплавких металів, що здійснюють в вакуумованій камері, що містить нагрівальну піч, тигель, в якому швидкість вирощування злитків визначається переміщенням розчину-розплаву, обумовлена природною конвенцією з області насичення в область кристалізації злитка на затравці, що охолоджують з подальшим переміщенням збідненого розчину в область його насичення, відокремленої...

Номер патенту: 103253

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кононов Алєксандр, Кушнір Костянтин Вадимович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: H01L 21/208, C30B 19/00

Мітки: фазі, структур, рідкої, наногетероепітаксійних, вирощування, установка, квантовими, точками

Формула / Реферат:

Установка для вирощування наногетероепітаксійних структур з квантовими точками з рідкої фази, що складається з вакуумно-газорозподільної системи, комп'ютеризованої системи автоматики, управління та контролю параметрів процесу, систем електроживлення, технологічної системи, яка включає корпус, піч опору, в якій розміщений кварцовий реактор з металевими кришками, що мають отвори для штоків, технологічне оснащення, яке містить касету для...

Номер патенту: 98161

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/037, C01B 33/00 ...

Мітки: кремнію, установка, очищення, технічної, чистоти

Формула / Реферат:

1. Установка для очищення кремнію технічної чистоти у вакуумі або атмосфері інертного газу, яка містить камеру (1) для очищення кремнію, з герметично замкненими дверима, в якій розміщена піч опору (2) з електричними введеннями (3), що забезпечує нагрівання до 1200 °С, тигель (4) з розплавом легкоплавкого металу, введення для штоків для здійснення обертання і переміщення уздовж своїх осей, ємність (5) з множиною отворів для витягання...

Номер патенту: 97576

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович, Найденкова Марія Владиміровна

МПК: C01B 33/037

Мітки: очищення, чистоти, спосіб, кремнію, технічної

Формула / Реферат:

Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, потім здійснюють кристалізацію розчиненого кремнію на поверхні кристалічної затравки, опущеної в одержаний розчин-розплав, витягання отриманого зливка кристалічного кремнію з тигля та його очищення від атомів...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Ігорович

МПК: H01L 21/20, C30B 29/00, C30B 19/00 ...

Мітки: точок, масивами, квантових, епітаксійних, спосіб, вирощування, наногетероструктур

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Номер патенту: 59518

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Руденко Павло Тимофійович, Гуславська Кристина Володимирівна, Єфіменко Володимир Вікторович

МПК: C01B 33/00

Мітки: очищення, металургійного, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб очищення металургійного кремнію, що включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розчинника-розплаву, кристалізацію кремнію, масоперенос розчинного кремнію, розплав примусово перемішують, який відрізняється тим, що кристалізація і ріст кристалів відбувається у низькотемпературній зоні тигля при фіксованій температурі, а на початку процесу виконують температурний стрибок від 1200 °С до 1250 °С, при цьому в...

Номер патенту: 94180

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна

МПК: C01B 33/00

Мітки: технічної, очищення, чистоти, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому на стадії очищення від домішок, металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, здійснюють масоперенесення розчиненого кремнію, кристалізацію його на лицьовій поверхні кристалічної затравки при охолодженні її з тильної сторони в умовах, які дозволяють отримати...

Номер патенту: 90286

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Ігорович, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/023, C01B 33/02 ...

Мітки: чистоти, ступеня, одержання, високого, спосіб, кремнію, алюмотермічний

Формула / Реферат:

Алюмотермічний спосіб одержання кремнію високого ступеня чистоти з діоксиду кремнію SiO2, який включає розміщення в реакторі тигля з легкоплавким металом, нагрів тигля в вакуумі та потоці аргону з одержанням розплаву, введення у розплав алюмінію та діоксиду кремнію, відновлення SiO2 алюмінієм в розплаві легкоплавкого металу до елементарного кремнію, кристалізацію кремнію, відділення одержаних кристалів кремнію від розплаву з наступною...

Номер патенту: 89661

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C01B 33/00, C01B 33/021, C01B 33/02 ...

Мітки: одержання, зливка, діоксиду, установка, чистого, кремнію

Формула / Реферат:

Установка для одержання зливка чистого кремнію з діоксиду кремнію шляхом його алюмотермічного відновлення, яка містить реактор для відновлення кремнію з діоксиду кремнію у вакуумі або середовищі інертного газу, розташовану в реакторі піч (7), тигель (5) для розміщення в ньому розчину кремнію у розплаві легкоплавкого металу, пристрій (9) для постійного перемішування вказаного розчину-розплаву, яка відрізняється тим, що реактор являє собою...

Номер патенту: 84653

Опубліковано: 10.11.2008

Автори: Комар Фідель Леонідович, Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Ігорович

МПК: C01B 33/037, C01B 33/02, C01B 33/021 ...

Мітки: металургійного, очищення, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...

Номер патенту: 14276

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Єрохін Сергій Юрійович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: H01L 21/208

Мітки: епітаксії, установка, рідкофазної

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка виконана у вигляді розбірної конструкції, і має основу, прикріплену до основи пластину з ростовими комірками, що містить систему каналів і отворів, де ростові комірки мають змінні вкладиші для регулювання висоти ростових зазорів, де вкладиші виконані з пазами для розміщення фальшпідкладок, утримуючий підкладку слайдер, що має вікно над підкладкою і встановлений...

Номер патенту: 12665

Опубліковано: 15.02.2006

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Соловйов Олег Володимирович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/021

Мітки: силіцію, спосіб, очищення

Формула / Реферат:

Спосіб очищення силіцію, що включає введення силіцію в розплав металу-розчинника, нагрівання розплаву, створення температурного градієнта уздовж тигля й кристалізацію силіцію на кристалі-запалі, зануреному в розплав, який відрізняється тим, що введення силіцію в розплав галію (металу-розчинника) здійснюють шляхом закріплення силіцію на дні тигля при нагріванні розплаву до 800-1000°С, створення температурного градієнту 4-8°С/см й кристалізації...

Номер патенту: 9615

Опубліковано: 17.10.2005

Автори: Андронова Олена Валеріївна, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, H01L 021/208, C30B 19/00 ...

Мітки: спосіб, одержання, гомо, шарів, гетероепітаксійних, фазі, рідкої

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...

Номер патенту: 62235

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович

МПК: C30B 29/40, H01L 21/208, C30B 19/00 ...

Мітки: фазі, спосіб, шарів, гетероепітаксійних, рідкої, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...

Номер патенту: 62234

Опубліковано: 15.12.2003

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Калашников Андрій Веніамінович, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович, Журба Олександр Михайлович

МПК: H01L 21/208

Мітки: епітаксії, рідкофазної, установка

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка має багато комірок, утримуючий підкладку слайдер, встановлений із можливістю переміщення крізь касету уздовж комірок, для підведення підкладки в комірки, а також контейнери для гомогенізації і термопару, яка відрізняється тим, що касета виконана у вигляді розбірної конструкції, яка складається з основи, у пазу якої встановлений із можливістю переміщення слайдер...

Номер патенту: 52230

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Славінська Яна Вікторівна, Коленчук Дмитро Миколайович, Марончук Ігор Євгенович, Домбровський Андрій Генадійович, Данилець Євген Валентинович, Кучерук Олександр Дмитрович

МПК: G01L 5/04, D03D 49/04

Мітки: визначення, нитки, сенсор, натягу

Формула / Реферат:

Сенсор визначення натягу нитки, що складається з джерела випромінювання, оптичного елемента, позиційно-чутливого фотоприймача з вихідними контактами, який відрізняється тим, що сенсор обладнаний напівпровідниковим лазером як джерелом випромінювання, оптичним елементом є вгнута лінза, а позиційно-чутливий фотоприймач виготовлений на основі епітаксійних структур GaAs:Si з поперечним фотоефектом.

Номер патенту: 41116

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Коленчук Дмитро Миколайович, Ардашев Віктор Олексійович, Марончук Ігор Євгенович, Цепелєв Юрій Петрович

МПК: F03D 3/02

Мітки: агрегат, вітроенергетичний

Формула / Реферат:

Вітроенергетичний агрегат у складі корпусу, фундаменту, дифузора, горизонтальних і вертикальних каналів, генератора струму з вітроколесом, який відрізняється тим, що дифузор виконаний у вигляді реторти з жорстко приєднаним до нього вертикальним патрубком, з'єднаний з стаціонарно закріпленим у фундаменті трубчастим стояком із можливістю обертання навколо цього стояка, підсиленого в ослабленому місці коробом квадратного перерізу з ребрами...

Номер патенту: 38218

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Коленчук Дмитро Миколайович, Крапівко Генадій Іванович

МПК: E04C 3/04

Мітки: вітроагрегату, щогла

Текст:

...в якому флюгер розміщують позаду турбіни у зоні турбулізації повітря, у винаході два додаткові флюгери розміщені поза цією зоною і рівномірно по довжині стовбур у, що забезпечує використання додаткового зусилля для здійснення повороту всієї конструкції навколо вертикального стояку і розподіляє по її довжині скручуючий момент Мк . На відміну від прототипу, в якому основний об'єм робіт виконують на будівельному майданчику, у винаході...

Номер патенту: 33442

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Марончук Ігор Євгенович, Курак Владислав Володимирович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/34

Мітки: транзисторів, n-p-n, спосіб, біполярних, виготовлення, високочастотних

Текст:

...отримання не різкого, а плавного або лінійного переходу колектор-база і невисока концентрація бора в базі та на еміторному переході, а також збільшена товщина бази транзистора. Використання плавного р-n переходу колектор-база дозволяє збільшити пробивну напругу UKEO та UKEO за лавинним механізмом пробою. Зменшена концентрація NES ДОЗВОЛЯЄ ПІДВИЩИТИ пробивну напругу UEBO, а збільшена товщина бази транзистора зменшує кількість "проколів"...