Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, отличающийся тем, что он содержит статический индукционный транзистор, сток которого соединен с полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения.

Текст

Изобретение относится к области силовой электроники и может найти применение в преобразовательных устройствах для стабилизации уровня напряжения и защиты полупроводниковых приборов от перенапряжения, в частности, в высоковольтных интегральных схемах. В преобразовательных устройствах используют высоковольтные стабилитроны на основе p-n-перехода, работающего на участке лавинного пробоя [Промышленная электроника./B.C.Руденко, В.И.Сенько, В.В.Трифонюк, Е.Е.Юдин, - К.:Техніка, 1979. - С.28]. Недостатком таких стабилитронов является отсутствие требуемой номенклатуры по напряжениям и токам В интегральной схемотехнике использование подобных стабилитронов ограничено ввиду сложности формирования р-n-переходов с требуемыми напряжениями пробоя. Наиболее близкими по совокупности признаков к заявляемому стабилитрону является интегральный стабилитрон на основе биполярного транзистора [Гребен А.Б. Проектирование аналоговых интегральных Схем. Пер. с англ. - М.: "Энергия", 1976. -С 79]. Стабилитрон содержит биполярный транзистор, коллектор которого подключен к одному выводу делителя из двух резисторов, база - к средней точке этого делителя, а эмиттер, через стабилитрон, - к другому выводу делителя. Работает такой стабилитрон следующим образом: если увеличивать напряжение на делителе, то до определенного напряжения биполярный транзистор будет закрыт и ток, потребляемый стабилитроном, будет определяться током делителя. При некотором напряжении, когда напряжение в средней точке делителя превысит напряжение стабилизации низковольтного стабилитрона и напряжение база-эмиттер биполярного транзистора (БТ), БТ открывается и начинает проводить ток. Это и есть напряжение стабилизации высоковольтного стабилитрона на БТ. Максимальный ток высоковольтного стабилитрона приблизительно в b раз больше тока делителя, следовательно, для увеличения тока стабилизации (и, в частности, при использовании в качестве защитного диода), необходимо увеличивать ток делителя, что приводит к дополнительной потере мощности и является недостатком известного стабилитрона. В основу изобретения поставлена задача создания высоковольтного стабилитрона, в котором, за счет замены элементов схемы, обеспечивается расширение диапазона напряжений стабилизации и уменьшение потерь мощности. Для решения поставленной задачи высоковольтный стабилитрон, содержащий низковольтный стабилитрон, соединенный с источником напряжения, согласно изобретению, содержит статический индукционный транзистор (СИТ), сток которого соединен с полюсным источником напряжения, а затвор соединен через низковольтный стабилитрон с истоком и другим полюсом источника напряжения. На фиг.1 представлена схема заявляемого высоковольтного стабилитрона; на фиг.2 - е го вольтамперные характеристики. Высоковольтный стабилитрон содержит статический индукционный транзистор 1, сток которого соединен с одним полюсом источника напряжения, а затвор, через низковольтный стабилитрон 2, соединен с истоком и с другим полюсом источника напряжения Работает высоковольтный стабилитрон следующим образом. Если приложить напряжение, для данного типа СИТ плюс к стоку и минус к затвору, и начать постепенно его увеличивать, то до определенного значения напряжения СИТ будет закрыт, т.к. цепь истока разорвана большим обратным сопротивлением стабилитрона. При некотором значении напряжения (UCT) произойдет электрический пробой стабилитрона и в целом сток-исток СИТ потечет ток, величина которого резко возрастает при незначительном изменении напряжения. Величина напряжения стабилизации UCT зависит от напряжения стабилизации низковольтного стабилитрона и коэффициента блокирования Кб СИТ, величина которого может быть найдена по статическим характеристикам СИТ: Кб = Uси/Uзи. где Uси - напряжение сток-исток СИТ, которое необходимо приложить, чтобы через СИТ начал протекать ток при заданном Uзи. Коэффициент блокирования зависит от геометрических размеров структуры и электрофизических параметров материала СИТ, и может задаваться при проектировании. На фиг.2 приведены ВАХ высоковольтного стабилитрона, собранного на СИТ типа КП926 (напряжение отсечки 5В) с разными низковольтными стабилитронами в цепи истока СИТ. Меняя величину напряжения стабилизации низковольтного стабилитрона или величину коэффициента блокирования, можно в широких пределах менять напряжение стабилизации высоковольтного стабилитрона. Мо щность на высоковольтном стабилитроне рассеивается только при протекании тока через СИТ, причем величина его ограничена лишь максимально допустимой рассеивающей мощностью. Таким образом с одной стороны достигается уменьшение рассеиваемой мощности стабилитрона, с другой - расширяется диапазон возможных токов через стабилитрон при работе его в качестве защитного диода.

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

High voltage stabilitron

Автори англійською

Pereverzev Anatolii Vasyliovych, Antoshyn Serhii Volodymyrovych

Назва патенту російською

Высоковольтный стабилитрон

Автори російською

Переверзев Анатолий Васильевич, Антошин Сергей Владимирович

МПК / Мітки

МПК: H01L 29/00

Мітки: високовольтний, стабілітрон

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-22192-visokovoltnijj-stabilitron.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Високовольтний стабілітрон</a>

Подібні патенти