Термоелектричні гілки із функціонально-градієнтних матеріалів на основі si-ge

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 24211

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Вихор Людмила Миколаївна

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Термоелектричні гілки функціонально-градієнтних матеріалів на основі Si-Ge, що містять гілки n- та p-типу провідності генераторних термоелементів на основі функціонально-градієнтних оптимізованих матеріалів з кристалів твердих розчинів Si-Ge, які відрізняються тим, що легуючі домішки розподілені вздовж висоти гілок таким чином, що концентрація носіїв струму N змінюється від 1020 cм-3 біля холодної до 1,3·1020 cм-3 біля гарячої граней за законом N=(1,0+0,4·х+0,3·х2-0,4·х3)·1020 ( - безрозмірна координата вздовж висоти гілки ) для гілок n-типу провідності та від 2·1020 cм-3 біля холодної до 3,5·1020 cм-3 біля гарячої граней за законом N=(2,2+0,2·х+4,8·х2-3,5·х3)·1020 для гілок p-типy провідності за умов, що похибка реалізації цих залежностей не перевищує 20 %.

Текст

Термоелектричні гілки функціональноградієнтних матеріалів на основі Si-Ge, що містять гілки n- та p-типу провідності генераторних термоелементів на основі функціонально-градієнтних оптимізованих матеріалів з кристалів твердих розчинів Si-Ge, які відрізняються тим, що легуючі 3 24211 4 існуючих підприємствах електронної промислого з однорідних термоелектричних матеріалів на вості. основі Si-Ge. На Фіг. представлено графіки оптимальних Література: розподілів концентрації носіїв струму Nn , Np 1. Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлевздовж довжини l віток n- і р-типу провідності, відктрические устройства. Справочник. - Киев: Науповідно, які необхідно реалізувати у заявлених кова думка, 1979. - 766с. вітках з функціонально-градієнтних матеріалів на 2. Охотин А.С., Ефремов А.А., Охотин B.C., основі Si-Ge. Такі функції неоднорідності матеріаПушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы. лу були нами отримані шляхом застосування ком- М.: Атомиздат, 1971. - 288с. п'ютерних методів, що базуються на теорії опти3. Анатычук Л.И. Термоэлектричество. Т.П. мального керування [4]. Проведені нами Термоэлектрические преобразователи энергии. розрахунки показали, що застосування запропоноКиев, Черновцы: Институт термоэлектричества, ваних віток з функціонально-градієнтних матеріа2003. - 376с. лів на основі Si-Ge n- і p-типу провідності дозволяє 4. Vikhor L.N. Optimal Function as a New Step of підвищити значення ККД генераторних модулів в the Thermoelectricity Development // J. of Thermoe1.2-1.3 рази порівняно з ККД модуля, виготовленоlectricity. - N4. - 1996. - p.29-37. Комп’ютерна в ерстка І.Скворцов а Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Thermoelectric branches of functional-gradient materials on the base of si-ge

Автори англійською

Anatychuk Lukian Ivanovych, Vykhor Liudmyla Mykolaiivna

Назва патенту російською

Термоэлектрические ветки функционально-градиентных материалов на основе si-ge

Автори російською

Анатичук Лукьян Иванович, Вихор Людмила Николаевна

МПК / Мітки

МПК: H01L 35/12

Мітки: si-ge, основі, гілки, матеріалів, функціонально-градієнтних, термоелектричні

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-24211-termoelektrichni-gilki-iz-funkcionalno-gradiehntnikh-materialiv-na-osnovi-si-ge.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Термоелектричні гілки із функціонально-градієнтних матеріалів на основі si-ge</a>

Подібні патенти