Патенти з міткою «термоелектричні»

Номер патенту: 96424

Опубліковано: 10.02.2015

Автори: Горський Петро Володимирович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/30

Мітки: bi-sb-te, провідності, p-типу, наноструктурованих, матеріалів, гілки, термоелектричні

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Bi-Sb-Te р-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність зерен узгоджена зі зміною температури вздовж висоти гілки таким чином, щоб при кожному значенні температури досягалось найбільше значення термоелектричної добротності матеріалу.

Номер патенту: 90765

Опубліковано: 10.06.2014

Автори: Горський Петро Володимирович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/00

Мітки: провідності, n-типу, нанопорошків, bi2te3, гілки, термоелектричні

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки для охолоджувальних та генераторних термоелементів на основі оптимізованих наноструктурованих матеріалів з порошків Ві2Те3 n-типу провідності, які відрізняються тим, що крупність порошку змінюється вздовж висоти гілки таким чином, щоб найбільш імовірний радіус r0 (в нанометрах) наночастинок порошку змінювався з температурою вздовж гілки за законом:

Номер патенту: 92062

Опубліковано: 27.09.2010

Автори: Грайнер Андреас, Грезер Мартін, Кюлінг Клаус, Вендорфф Йоахім Х.

МПК: D01D 5/00, D01F 8/04, B29C 47/92 ...

Мітки: наноматеріали, термоелектричні

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення нанодроту шляхом обробки нановолокна, що містить принаймні один несучий матеріал і принаймні один термоелектрично активний матеріал або попередник термоелектрично активного матеріалу, який включає:(A) приготування розплаву або розчину, що містить принаймні один несучий матеріал або придатний попередник несучого матеріалу і принаймні один термоелектрично активний матеріал або попередник термоелектрично активного...

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: основі, pb-te, термоелектричні, матеріалів, провідності, функціонально-градієнтних, гілки, p-типів

Формула / Реферат:

1. Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі Рb-Те для генераторних термоелементів, які відрізняються тим, що розподіл легуючих домішок вздовж висоти гілок створюється таким чином, що концентрація носіїв струму  змінюється від  см-3 біля холодної до...

Номер патенту: 24211

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: si-ge, функціонально-градієнтних, матеріалів, гілки, основі, термоелектричні

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки функціонально-градієнтних матеріалів на основі Si-Ge, що містять гілки n- та p-типу провідності генераторних термоелементів на основі функціонально-градієнтних оптимізованих матеріалів з кристалів твердих розчинів Si-Ge, які відрізняються тим, що легуючі домішки розподілені вздовж висоти гілок таким чином, що концентрація носіїв струму N змінюється від 1020 cм-3 біля холодної до 1,3·1020 cм-3 біля гарячої...

Номер патенту: 23851

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріалів, термоелектричні, ві-те-se-sb, гілки, основі, функціонально-градієнтних

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки із функціонально-градієнтних матеріалів на основі Bi-Tе-Sе-Sb, що містять гілки n- та p-типу провідності генераторних термоелементів на основі функціонально-градієнтних оптимізованих матеріалів з кристалів твердих розчинів Ві-Те-Se-Sb, які відрізняються тим, що легуючі домішки розподілені вздовж висоти гілок таким чином, що концентрація носіїв струму N змінюється від 1019 см-3 біля холодної до 6·1019 см-3 біля...