H01L 35/12 — вибір матеріалів для плечей переходу

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 19/00, C01G 1/12, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 92213

Опубліковано: 11.10.2010

Автор: Хаасс Франк

МПК: H01L 35/12, H01L 35/28, C01B 19/00, C04B 35/515 ...

Мітки: термоелектричного, термоелектричний, генератор, застосування, матеріал, містить, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий матеріал для термоелектричного застосування, що містить сполуку формули:Рb1-(х1+х2+...+хn)А1х1А2х2…АnхnТe1+z, де n - кількість відмінних від Рb та Те хімічних елементів, причому індекси незалежно один від одного мають наступні значення:1 ч. млн. £ х 1 ... хn £ 0,05,-0,05 £ z £ 0,05, таn ³ 2,А1 .... Аn відрізняються один від одного та...

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Глух Олег Станіславович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Глух Олег Станіславович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріалів, p-типів, гілки, провідності, pb-te, термоелектричні, функціонально-градієнтних, основі

Формула / Реферат:

1. Термоелектричні гілки n- і p-типів провідності з функціонально-градієнтних матеріалів на основі Рb-Те для генераторних термоелементів, які відрізняються тим, що розподіл легуючих домішок вздовж висоти гілок створюється таким чином, що концентрація носіїв струму  змінюється від  см-3 біля холодної до...

Номер патенту: 24211

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Вихор Людмила Миколаївна

МПК: H01L 35/12

Мітки: гілки, термоелектричні, функціонально-градієнтних, si-ge, матеріалів, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки функціонально-градієнтних матеріалів на основі Si-Ge, що містять гілки n- та p-типу провідності генераторних термоелементів на основі функціонально-градієнтних оптимізованих матеріалів з кристалів твердих розчинів Si-Ge, які відрізняються тим, що легуючі домішки розподілені вздовж висоти гілок таким чином, що концентрація носіїв струму N змінюється від 1020 cм-3 біля холодної до 1,3·1020 cм-3 біля гарячої...

Номер патенту: 23851

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Вихор Людмила Миколаївна, Анатичук Лук'ян Іванович

МПК: H01L 35/12

Мітки: гілки, термоелектричні, основі, матеріалів, функціонально-градієнтних, ві-те-se-sb

Формула / Реферат:

Термоелектричні гілки із функціонально-градієнтних матеріалів на основі Bi-Tе-Sе-Sb, що містять гілки n- та p-типу провідності генераторних термоелементів на основі функціонально-градієнтних оптимізованих матеріалів з кристалів твердих розчинів Ві-Те-Se-Sb, які відрізняються тим, що легуючі домішки розподілені вздовж висоти гілок таким чином, що концентрація носіїв струму N змінюється від 1019 см-3 біля холодної до 6·1019 см-3 біля...

Номер патенту: 6514

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Фотій Василь Давидович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: твердих, кристалах, міцності, bi-te-se-sb, шарів, підвищення, спосіб, нікелю, адгезійної, антидифузійних, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення адгезійної міцності антидифузійних шарів нікелю на кристалах твердих розчинів Bi-Te-Se-Sb, що включає температурний відпал кристала з хімічно нанесеними шарами нікелю, який відрізняється тим, що в процесі температурного відпалу кристали з хімічно нанесеними шарами нікелю піддаються одночасній дії зовнішніх постійного магнітного та імпульсного електричного полів за допомогою циліндричного гіротропного конденсатора при...

Номер патенту: 35194

Опубліковано: 15.06.2004

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00, H01L 35/12

Мітки: елемент, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний елемент, що містить напівпровідниковий матеріал, який відрізняється тим, що термоелектричний елемент сформовано на основі однієї термочутливої напівпровідникової сполуки - стержня із двох кристалоподібних частин з протилежними типами провідності та керованою температурою.

Номер патенту: 43181

Опубліковано: 15.11.2001

Автор: Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Застосування тетратіотитанату талію /ІУ/ - Tl4TiS4 як термоелектричного матеріалу.

Номер патенту: 20443

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Попик Юрій Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: керування, напівпровідника, параметрами, спосіб, термоелектричними

Формула / Реферат:

Спосіб керування термоелектричними пара­метрами напівпровідника, що включає його нагрівання та охолодження, який відрізняється тим, що напівпровідник р-типу нагрівають вище температури, при якій змінюється знак термоЕРС із додатнього на від'ємний, далі проводять охоло­дження в область температур, при яких термоЕРС знову стає додатньою, при цьому додаткове збільшення термоЕРС здійснюється повторним нагрівом, задовільняючи...