Веремійченко Георгій Микитович

Номер патенту: 119746

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01M 4/04, H01M 4/58

Мітки: струму, джерело, літій-іонне

Формула / Реферат:

1. Літій-іонне джерело струму, яке містить катодний колектор струму, на якому розташований катод, який контактує з сепаратором, композитний анод та анодний колектор струму, яке відрізняється тим, що композитний анод виконаний у вигляді багатошарової плівкової системи, яка складається з щонайменше одного двошарового компонента, шари якого містять однакові елементи, мають різну структуру та повторюються, при цьому елементами, з яких...

Номер патенту: 105520

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01G 9/00

Мітки: одержання, електрода, електричним, подвійним, шаром, конденсаторів, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання електрода для конденсаторів з подвійним електричним шаром на основі електродної алюмінієвої фольги, що включає в себе нанесення в вакуумній камері титану способом фізичного парового осадження при безпосередньому переміщенні фольги та подачі суміші робочих газів в зону осадження титану, який відрізняється тим, що поверхню електродної фольги спочатку обробляють спрямованим потоком плазми геліконного розряду з щільністю іонів...

Номер патенту: 105436

Опубліковано: 25.03.2016

Автор: Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H05H 1/00, H01L 21/3065

Мітки: обробки, пристрій, прецизійної, плазмової

Формула / Реферат:

1. Пристрій прецизійної плазмової обробки, який містить в собі вакуумну камеру з засобами відкачки та запірно-регулюючою газовою системою, в нижній частині якої вісесиметрично розміщені тримач з оброблюваною підкладкою та кільцевий електрод, тримач і кільцевий електрод з'єднані через узгоджувальні пристрої з ВЧ-генераторами, а зовні камера облаштована магнітною системою, який відрізняється тим, що в верхній частині камери змонтоване...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Слєпова Олександра Станіславівна, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Семенов Олександр Володимирович, Зайцев Борис Васильович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/861

Мітки: діод, ганна, фосфід-індієвий

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Дуб Максим Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/52, H01L 29/40 ...

Мітки: алмазу, контактна, термостійка, приладу, система, напівпровідникового, омічна

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сай Павло Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Шеремет Володимир Миколайович, Семенов Олександр Володимирович, Слєпова Олександра Станіславівна, Конакова Раїса Василівна, Голинна Тетяна Іванівна, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, діод, основі

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 93531

Опубліковано: 10.10.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Семенюк Валерій Федорович

МПК: H01L 21/00, C23C 14/34

Мітки: резонаторами, плазмовими, аксіальними, пристрій

Формула / Реферат:

1. Плазмовий технологічний пристрій, що містить вакуумну камеру з системою напуску та контролю газів, в верхній частині якої вісесиметрично розташоване діелектричне вікно з антеною, яка з'єднана з ВЧ генератором через пристрій узгодження, в нижній частині камери розташований тримач з підкладкою, з можливістю підключення до джерела живлення, ззовні камера охоплена магнітною системою з двох соленоїдальних елементів, який відрізняється тим, що в...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Семенов Олександр Володимирович, Холевчук Володимир Васильович, Мітін Вадим Федорович

МПК: G01K 1/00

Мітки: температури, датчик

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Номер патенту: 91107

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/00

Мітки: технологічний, резонатором, пристрій, перестрійним, плазмовий

Формула / Реферат:

1. Плазмовий технологічний пристрій з перестрійним резонатором, що містить вакуумну камеру з системою напуску та контролю газів, в верхній частині якої вісесиметрично розташоване діелектричне вікно з антеною, яка з'єднана з ВЧ генератором через пристрій узгодження, в нижній частині камери розташований тримач з підкладинкою, що може бути підключений до джерела живлення, ззовні камера охоплена магнітною системою з соленоїдальних елементів,...

Номер патенту: 90462

Опубліковано: 26.05.2014

Автори: Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H03B 7/00

Мітки: генератор, перестрійний, нвч

Формула / Реферат:

1. Перестрійний НВЧ генератор, що містить резонатор у вигляді відрізка прямокутного хвилеводу з закорочуючим поршнем на одному з кінців, а другий кінець через трансформатор повного опору з'єднаний з узгодженим навантаженням, активний напівпровідниковий діод з від'ємним опором та параметричний діод, які встановлені по широкій стінці хвилеводу на відстані  один від одного, та...

Номер патенту: 88045

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: A01K 47/02

Мітки: теплообміном, внутрішнім, вулик

Формула / Реферат:

1. Вулик з внутрішнім теплообміном, що містить в собі двостінний корпус, льоток, вуликові рамки, стелини, знімне дно та дах, який відрізняється тим, що внутрішні вертикальні стінки корпусу виконані із теплопровідного матеріалу, призначеного для контакту з харчовими продуктами, а товщина стінки  визначається за допомогою співвідношення:

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/66

Мітки: нвч, дискретний, пристрій, активний

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Номер патенту: 87747

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Одіноков Вадім Васільєвіч, Павлов Гєоргій Яковлєвіч, Руденко Едуард Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Семенюк Валерій Федорович, Короташ Ігор Васильович, Сологуб Вадім Алєксандровіч

МПК: C23C 14/34

Мітки: пристрій, багатошарових, покриттів, нанесення, плазмовий, плівкових

Формула / Реферат:

1. Плазмовий пристрій нанесення багатошарових плівкових покриттів, що містить технологічну вакуумну камеру із засобами відкачування та систему напуску і дозування технологічного газу, два чи більше розміщених вертикально по периферії камери дугових джерел матеріалів, що наносяться, з джерелами живлення, столик з підкладкою, який розташований горизонтально та вісесиметрично в нижній частині камери, і магнітну систему, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 86943

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Семенюк Валерій Федорович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: C23C 14/00

Мітки: покриттів, багатокомпонентних, багатошарових, пристрій, одержання

Формула / Реферат:

1. Пристрій для формування багатокомпонентних та багатошарових покриттів, який містить в собі технологічну вакуумну камеру з плазмово-дуговим джерелом та джерелом газової плазми, тримач з підкладинкою, розташований вісесиметрично до джерела газової плазми, систему напуску та контролю технологічних газів, джерела живлення та засоби відкачування, який відрізняється тим, що плазмово-дугові джерела містять в собі магнітні системи з трьома...

Номер патенту: 86105

Опубліковано: 10.12.2013

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Семенюк Валерій Федорович

МПК: C23C 14/00

Мітки: пристрій, покриттів, формування, плазмово-дуговий

Формула / Реферат:

1. Плазмово-дуговий пристрій формування покриттів, що містить в собі вакуумну камеру, в якій осесиметрично послідовно розташовані осесиметричний катод з електропровідного матеріалу, анод, який охоплює катод, екрануючий електрод, який розміщений між катодом та анодом, магнітна система, що складається з двох послідовно розташованих соленоїдальних елементів, тримач підкладинки та джерела живлення, який відрізняється тим, що магнітна система...

Номер патенту: 75722

Опубліковано: 10.12.2012

Автори: Коваленко Олександр Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Рогозін Володимир Миколайович, Коломієць Микола Федорович

МПК: G21G 4/00, H05H 5/00

Мітки: трубка, газодинамічна, прискорювальна, нейтронна

Формула / Реферат:

1. Прискорювальна нейтронна трубка, що містить в собі вакуумний металокерамічний об'єм, в якому вісесиметрично послідовно розміщені емітер електронів, розрядний пристрій типу Пеннінга, постійний магніт, розташований зовні вакуумного об'єму і який охоплює розрядний пристрій, електростатична лінза, прискорювальний електрод, всередині якого розміщена нейтроноутворююча мішень, та джерело ізотопів водню, яке розміщене біля емітера електронів, яка...

Номер патенту: 73523

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Ковтун Станіслав Іванович, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H05B 7/02

Мітки: електронної, зварювання, техніки, елементів, приладів, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для зварювання елементів приладів електронної техніки, що містить два стрижні з тугоплавкого матеріалу у формі циліндрів з плоскими боковими поверхнями або у формі багатогранників, які з'єднанні між собою плоскими поверхнями при допомозі діелектричного кільця або стискувача та електрично відокремлені один від одного за допомогою окремої смужки слюди або іншого подібного матеріалу, при цьому робочі частини стрижнів виконані у...

Номер патенту: 72164

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Маруненко Юрій Володимирович, Рижков Микола Ігорович, Зоренко Олександр Вольтович, Березюк Федір Борисович, Крицька Тетяна Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: G01R 23/02

Мітки: надвисоких, шотткі, бар'єром, планарному, змішувач, частот, діоді

Формула / Реферат:

Змішувач надвисоких частот на планарному діоді з бар'єром Шотткі, що містить активний параметричний елемент - безкорпусний діод з бар'єром Шотткі, який виконаний з плоскими смужковими виводами і з'єднаний анодним кінцем з узгодженою смужковою лінією передачі, розміщеною вздовж симетричної і паралельно вузькій стороні хвилеводу з пристроями для подавання сигналів, які приймаються приймачем та гетеродином, узгоджену з активним елементом...

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Зоренко Олександр Вольтович, Крицька Тетяна Володимирівна, Рижков Микола Ігорович, Басанець Володимир Васильович, Маруненко Юрій Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: імпульсний, лавинно-пролітний, діод

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 66914

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/00

Мітки: системою, діод, металів, групи, лавинно-пролітний, контактною, основі, платинової

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод, виконаний у вигляді кремнієвої мезаструктури р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані багатошарові низькоомні контактні системи, що складаються послідовно з шарів паладію, контактуючих з поверхнями кремнію р+ та n+, з'єднувальних шарів платини, сполучних шарів з плівок золота та інтегрального тепловідводу з міді до сторони р+, який відрізняється тим, що шари паладію мають оптимальну товщину L, яка находиться в...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Мілєнін Віктор Володимирович, Бобиль Олександр Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Тарасов Ілля Сергійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Арсентьєв Іван Микитович, Новицький Сергій Вадимович, Іванов Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/66

Мітки: контролю, спосіб, катодного, ганна, якості, контакту, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 51542

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Раєвська Нелля Сергіївна, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, індію, фосфіду, діод

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний діод Ганна з фосфіду індію, який містить в собі епітаксіальну мезаструктуру типу n-n+-n++, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний контакти із сплаву золото-германій, бар'єрні шари із дибориду титану або дибориду цирконію, до яких сформовані контактуючі шари з молібдену, потім з'єднувальні шари із золота та тепловідвід до катодного контакту, і яка вісесиметрично розташована в діелектричному корпусі із...

Номер патенту: 51493

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Кривуца Валентин Антонович, Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 23/48

Мітки: бар'єри, шотткі, діод, нвч, параметричний

Формула / Реферат:

НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...

Номер патенту: 50180

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Гуцул Антон Вікторович, Болтовець Микола Силович, Зоренко Александр Вольтович, Личман Кирило Олексійович, Веремійченко Георгій Микитович, Крицька Тетяна Володимирівна

МПК: H03K 17/00

Мітки: перемикаючий, надвисокочастотний, пристрій

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний перемикаючий пристрій, що містить в собі металевий корпус, забезпечений коаксіальними вводом та виводом енергії, вводом живлення постійної напруги, закріплену всередині корпуса металізовану діелектричну підкладинку з чотирма мікросмужковими відрізками передавальної лінії та послідовно ввімкненими між ними р-і-n діодами, фільтрами, які розв'язують лінію передачі від джерела живлення, два співвісні коаксіально-мікросмужкові...

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бєляєв Олександр Євгенійович, Веремійченко Георгій Микитович, Міленін Віктор Володимирович, Кудрик Ярослав Ярославович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Конакова Раїса Васильйовна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: індія, ганна, діод, фосфіду

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...

Номер патенту: 49867

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Коростинська Тамара Васильовна, Веремійченко Георгій Микитович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна

МПК: H01L 29/00

Мітки: системою, контактною, термостійкою, діод, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...

Номер патенту: 48718

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Кривуца Валентин Антонович, Суворова Лідія Михайлівна, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/04, H01L 29/86 ...

Мітки: надвисокочастотний, р-i-n, кремнієвий, діод

Формула / Реферат:

Кремнієвий надвисокочастотний р-i-n діод, який містить в собі вісесиметричну структуру з високоомного кремнію і-типу, на протилежних поверхнях якої сформовані два сильнолеговані шари р+- та n+-типу провідності та омічні контакти до них, на які нанесені з'єднувальні шари з приєднаними електричними виводами та багатошаровий діелектрик, який покриває поверхню частини кремнію, вільну від контактної системи до сторони р+, який відрізняється тим,...

Номер патенту: 46834

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Личман Кирило Олексійович, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Кривуца Валентин Антонович, Басанець Володимир Васильович, Голинная Тетяна Іванівна, Уріцкая Надія Ярославівна

МПК: H01L 29/86, H01L 21/04, H01L 21/02 ...

Мітки: надвисокочастотний, карбіду, кремнію, p-i-n-діод

Формула / Реферат:

Надвисокочастотний р-і-n діод з карбіду кремнію, який містить напівпровідникову структуру визначеної геометрії, з необхідними рівнями легування р- і n-шарів, до протилежних сторін якої сформовані омічні контакти, до того ж р-область захищена пасивуючою плівкою двоокису кремнію, яка відрізняється тим, що р-і-n структура з карбіду кремнію нижньою n-областю з контактною системою закріплена осесиметрично в діелектричному кільцевому корпусі за...

Номер патенту: 43851

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Голинная Тетяна Іванівна, Кривуца Валентин Антонович, Уріцкая Надія Ярославівна

МПК: H01L 29/86, H01L 21/02, H01L 21/04 ...

Мітки: надвисокочастотний, діод, напівпровідниковий, p-і-n

Формула / Реферат:

Напівпровідниковий надвисокочастотний р-і-n-діод, що містить кристал у вигляді мезоструктури з високоомного напівпровідникового матеріалу, на протилежних поверхнях якого сформовані сильнолеговані шари р- і n-типу провідності, омічні контакти до них; змонтований осесиметрично всередині кільцевого діелектричного корпусу із металізованими протилежними площинами, який відрізняється тим, що напівпровідниковий кристал виконано з карбіду...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Слєпова Олександра Станіславівна, Миколаєнко Валентина Іванівна

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: лавино-пролітний, діод

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...

Номер патенту: 36917

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 29/40

Мітки: мілкозалегаючим, структури, багатошарова, переходом, кремнієвої, система, контактна

Текст:

...рівняння: T1=T 2+DRT×P (4) DRT - гранично допустиме значення теплового опору бар'єрного шару; Р - потік тепла через бар'єрний шар. Вирішуючи (2) відносно L, знаходимо гранично максимальну товщин у бар'єрного шару: м3 Q - кількість речовини, накопиченої на поверхні розділу метал-бар'єрний шар, атом . м3 2 Новими ознаками, які має дане технічне рішення порівняно з прототипом, є виконання бар'єрного шару з певним відношенням титану до азоту і...

Номер патенту: 33483

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Коростинська Тамара Василівна, Болтовець Микола Силович

МПК: C23C 30/00, C23C 28/00

Мітки: плівкових, багатошарових, пристрій, покриттів, вакуумі, отримання

Текст:

...(15) - 1995-C. 2305-2309]. Пристрій містить вакуумну камеру з розміщеними в ній електронно-променевим випарником та сітковим іонізатором, утримувач з підкладкою і газову систему. Процес отримання плівок TiN реалізований при тиску азоту 5-Ю" 4 мм.рт.ст. З швидкістю 0.16 мкміхв при температурі підкладки 350ч-370 °С. Бар'єрні плівки високої пластичності були отримані при прискорюючій напрузі 5 кВ. Параметри електронно-променевого випарника — U =...

Номер патенту: 21980

Опубліковано: 30.04.1998

Автор: Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H05H 1/26, C23C 16/26

Мітки: вуглець, вакуумі, покриття, собі, містить, нанесення, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство нанесення углеродосодержащих покритий в вакууме, содержащее вакуумную ка­меру с размещенными в ней разрядными злектро-дами в виде подложки й накаленной вольфрамовой нити, источники питання, газовую систему, отличающееся тем, что в вакуумную камеру введено сверхзвуковое сопло Лаваля, с дозвуковой частью которого соединен вмход газовой системи, а воль­фрамовая нить, размещенная за виходным срезом сопла, заключена в зкран, имеющий...