Спосіб реутилізації тригліцинсульфату
Номер патенту: 35077
Опубліковано: 26.08.2008
Автори: Лендєл Василь Георгійович, Чундак Степан Юрійович, Тюпа Олександр Іванович, Трапезнікова Людмила Віталіївна, Сливка Олександр Георгійович
Формула / Реферат
Спосіб реутилізації тригліцинсульфату, який включає кристалізацію із насиченого водного розчину твердої полікристалічної фази, який відрізняється тим, що як вихідну сировину для приготування насиченого розчину тригліцинсульфату використовують відходи промислової технології одержання робочих елементів піроелектричних сенсорів із монокристалічного тригліцинсульфату, а саме паразитні та неякісні кристали, їх уламки, обрізки після виготовлення у-зрізів, які розчиняють у дистильованій воді в інтервалі температур від 20 до 70 °С при постійному перемішуванні одержаного робочого розчину з наступною кристалізацією продукту зі швидкістю охолодження 5 °С за годину.
Текст
Спосіб реутилізації тригліцинсульфату, який включає кристалізацію із насиченого водного роз 3 35077 Приклад 1. Розчин готують вимішуванням протягом двох-трьох діб при постійній температурі максимально усереднених твердих відходів промислової технології одержання робочих елементів піроелектричних сенсорів із монокристалічного ТГС у дистильованій воді. Потім температуру розчину підвищують на 15°С у порівнянні з такою насиченого розчину і продовжують вимішування. Операцію вимішування повторюють, підвищуючи температуру розчину ще на 15°С та поступово доводять до 70°С до повного розчинення твердої фази. Перегрітий розчин витримують при температурі 70°С протягом 30-40 хвилин, потім починають охолодження його зі швидкістю 5°С на годину. Одержують полікристалічний ТГС - шихту для приготування робочого ростового розчину в технологічному процесі вирощування монокристалів ТГС. Приклад 2. Насичений розчин готують вимішуванням при постійній температурі протягом 2-3 діб твердих відходів у технології одержання піроелектричних сенсорів на основі монокристалів ТГС з розрахунку 111г відходів на 298г дистильованої води, як описано в прикладі 1. Зниження температури перегрітого розчину проводять за вказаним вище графіком, що забезпечує одержання полікристалічного продукту розмірами ~1,5х1,5х1,5мм 3, та в подальшому - монокристалів ТГС. Приклад 3. Відпрацьований ростовий розчин, який залишається після вилучення монокристалу ТГС, виливають у кристалізатори таким чином, щоб висота розчину дорівнювала 1-1,5см і залишають на кристалізацію при кімнатній температурі. Отримані полікристали 1,5х1,5х1,5мм 3 є вихідною сировиною для вирощування монокристалічного ТГС. Отже, описаним вище способом, створено замкнутий цикл маловідходної, безстічної технології одержання полікристалічного ТГС -шихти для ви Комп’ютерна в ерстка І.Скворцов а 4 рощування монокристалів та робочих пластин gзрізів-піроприймачів та піровідиконів на їх основі з вторинної сировини - твердих і рідких відходів у технології їх одержання, які відповідають технічним характеристикам для у-зрізів, що дозволяє використовува ти їх практично. Технічні характеристики для пластин піроелектричних сенсорів з реутилізованого тригліцинсульфату знаходяться на рівні: піроелектричний коефіцієнт, Кл м -2К-1 3,5 10-4 діелектрична проникність 30 тангенс кута втрат 4 10-3 Крім цього, чутливі елементи датчиків на основі ТГС, практично не мають конкурентів при використанні їх у піроелектричних відиконах, точкових приймачах, тепловізорах то що. Одержані технічні характеристики у поєднанні з відсутністю селективності по гранично широкому діапазону детекторних частот та з відсутністю необхідності глибокого охолодження, обов'язкового для тепловізорів з напівпровідниковими мішенями, забезпечує надзвичайно широкі можливості застосування піроелектричних сенсорів (піровідиконів і піроприймачів) з робочими елементами на основі кристалів ТГС та його ізоморфів. Корисна модель може бути використана при виготовленні робочих пластин для піровідиконів, які виявляють різноманітні об'єкти та дозволяють розробити промислову апаратур у без кріогенного охолодження та таку для оборони, пожежнорятувальних робіт і неруйнуючого контролю, а також медицини з різницею температур, що знаходиться у межах 0,1-0,05°С при високій роздільній здатності. Джерела інформації: 1. Колдобская М.Ф., Гаврилова И.В. Выращивание крупных ограненных кристаллов триглицинсульфата в лабораторных условиях// Рост Кристаллов. -М.: Изд-во АН СССР, 1961. Т.3. – С.278282. - прототип. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod of re-using triglycine sulfate
Автори англійськоюTrapeznikova Liudmyla Vitaliivna, Tiupa Oleksandr Ivanovych, Chundak Stepan Yuriiovych, Lendiel Vasyl Heorhiiovych, Slyvka Oleksandr Heorhiiovych
Назва патенту російськоюСпособ реутилизации триглицинсульфата
Автори російськоюТрапезникова Людмила Витальевна, Тюпа Александр Иванович, Чундак Степан Юрьевич, Лендел Василий Георгиевич, Сливка Александр Георгиевич
МПК / Мітки
Мітки: спосіб, реутилізації, тригліцинсульфату
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-35077-sposib-reutilizaci-triglicinsulfatu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб реутилізації тригліцинсульфату</a>
Попередній патент: Робочий еталон об`єму і витрати газу дзвонового типу
Наступний патент: Оптичний датчик газу
Випадковий патент: Станина для обтискних клітей прокатного стана, виконана з декількох компонентів