Патенти з міткою «полікристалічного»

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Когутич Антон Антонович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Філеп Михайло Йосипович

МПК: C01G 15/00, H01L 35/00, H01L 35/16 ...

Мітки: термоелектричної, потужності, полікристалічного, спосіб, тетраталію(і, покращення, триселеностанату(іі)-тi4snse3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Номер патенту: 120296

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Гаргін Владислав Герасимович, Супрун Михайло Вікторович, Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович, Яворська Луціна, Закора Анатолій Петрович

МПК: B01J 3/06, B24D 18/00

Мітки: зносостійкого, полікристалічного, алмазного, надтвердого, матеріалу, виготовлення, спосіб, композиційного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення надтвердого алмазного полікристалічного композиційного матеріалу, який включає послідовне виготовлення шихти, що містить алмазну масу, яка складається з мікропорошку і/або шліфпорошку природного і/або синтетичного алмазу, та спікання її з активуючою процес спікання добавкою при високому тиску з витримкою при високій температурі, який відрізняється тим, що при виготовленні шихти додатково вводять нановуглецевий матеріал...

Номер патенту: 113565

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Гаргін Владислав Герасимович, Закора Анатолій Петрович, Богданов Роберт Костянтинович, Шульженко Олександр Олександрович, Яворська Луціна, Романко Людмила Олексіївна, Соколов Олександр Миколайович

МПК: B24D 18/00

Мітки: матеріалу, спосіб, алмазного, полікристалічного, надтвердого, композиційного, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення надтвердого алмазного полікристалічного композиційного матеріалу, який включає послідовне виготовлення шихти, що містить алмазну масу, яка складається з мікропорошка і/або шліфпорошка природного і/або синтетичного алмазу, та спікання її з активуючою процес спікання добавкою, яка утворює карбід, при високому тиску з витримкою при високій температурі, який відрізняється тим, що при виготовленні шихти додатково вводять...

Номер патенту: 113564

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Яворська Луціна, Романко Людмила Олексіївна, Гаргін Владислав Герасимович, Соколов Олександр Миколайович, Шульженко Олександр Олександрович

МПК: B24D 18/00

Мітки: алмазного, виготовлення, матеріалу, спосіб, полікристалічного, електропровідного

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення електропровідного алмазного полікристалічного матеріалу, який включає послідовне виготовлення шихти, що містить нано- і/або мікропорошок природного і/або синтетичного алмазу з додаванням графену, та спікання її без активуючих процес добавок при високому тиску з витримкою при високій температурі, який відрізняється тим, що при виготовленні шихти використовують нано-і/або мікропорошки від 5 нм до 60 мкм, а за графен -...

Номер патенту: 111178

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Венгер Євген Федорович, Шека Галина Костянтинівна, Родіонов Валерій Євгенович

МПК: C01B 33/021, C01B 33/00, C01B 33/02 ...

Мітки: порошку, кремнію, полікристалічного, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію, при якому використовують як вихідну речовину діоксид кремнію, при цьому технологічний процес містить чотири послідовні стадії, де на 1 стадії в першому реакторі діоксид кремнію обробляють елементним фтором (фторують) з надлишковою його кількістю відносно необхідної стехіометричної кількості; на 2 стадії у другому реакторі здійснюють фторування надлишкової кількості діоксиду кремнію...

Номер патенту: 107606

Опубліковано: 10.06.2016

Автори: Троценко Едуард Анатолійович, Баженов Євгеній Васильович, Шварцман Леонід Якович

МПК: C01B 33/035, H01L 21/66

Мітки: кремнію, полікристалічного, водневим, спосіб, трихлорсилану, одержання, відновленням

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію водневим відновленням трихлорсилану, який подають в складі парогазової суміші, на кремнієвих стрижнях, розігрітих електричним струмом до заданої температури їх поверхні, що включає запам'ятовування керованих і керуючих параметрів еталонних режимів ведення процесу, вимірювання параметрів кремнієвих стрижнів, коригування процесу шляхом зміни керуючих параметрів режимів при відхиленні вимірюваних...

Номер патенту: 107555

Опубліковано: 12.01.2015

Автори: Хенриксен Бьорн Руне, Берінгов Сергій Борисович, Форвальд Карл, Черпак Юрій Володимирович, Власенко Тимур Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна

МПК: C30B 29/06, C01B 33/037

Мітки: виробництва, придатного, виготовлення, полікристалічного, сонячних, кремнію, елементів, спосіб, фотогальванічних

Формула / Реферат:

Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...

Номер патенту: 95096

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Шварцман Леонід Якович, Прутцьков Дмитро Володимирович, Меркер Рольф Курт, Додонов Володимир Миколайович

МПК: C01B 33/107, C01B 33/04

Мітки: спосіб, одержання, полікристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію, який включає змішування діоксиду кремнію та відновлювача, високоенергетичну обробку суміші, взаємодію одержаного продукту з хлоруючим агентом з утворенням хлорвмісної сполуки кремнію, яку направляють на одержання з неї полікристалічного кремнію, при цьому здійснюють переробку побічних продуктів, який відрізняється тим, що як діоксид кремнію використовують кварцовий пісок та/або техногенну...

Номер патенту: 107167

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Онищенко Олександр Веніамінович, Алєксєєнко Олександр Володимирович, Гринь Григорій Васильович

МПК: C30B 29/06, C01B 33/02, C30B 15/00 ...

Мітки: одержання, зливках, полікристалічного, спосіб, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб одержання полікристалічного кремнію в зливках, що включає плавлення відходів кремнію в кварцовому тиглі, витримку розплаву, очищення та кристалізацію розплаву, який відрізняється тим, що кристалізацію розплаву здійснюють шляхом витягування зливка полікристалічного кремнію із розплаву на затравку з вуглецевого матеріалу при швидкості обертання тигля не менше 15 об./хв, при цьому над поверхнею розплаву створюють горизонтальний...

Номер патенту: 106026

Опубліковано: 10.07.2014

Автори: Самохін Антон Дмитрович, Лазарєв Ігор Вікторович, Галунов Микола Захарович

МПК: C30B 29/54, C30B 28/00

Мітки: виготовлення, полікристалічного, стильбену, основі, спосіб, сцинтилятора

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного сцинтилятора на основі стильбену, що включає одержання кристалічної сировини з наступним її гарячим пресуванням шляхом одновісного стискання, підвищення тиску від атмосферного до заданого, витримку при цьому тиску, потім зниження його до атмосферного і повільне охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що вихідну сировину у вигляді гранул одержують шляхом кріогенного дроблення під...

Номер патенту: 83364

Опубліковано: 10.09.2013

Автори: Іваніщев Олексій Григорович, Крігер Олександр Сергійович, Реков Юрій Васильович, Трегуб Олексій Михайлович, Голєв Євген Олександрович

МПК: C01B 33/035, C23C 16/00

Мітки: реакторі, полікристалічного, кріплення, кремнію, вирощування, тримач, прутків-підкладок

Формула / Реферат:

1. Тримач для кріплення прутків-підкладок у реакторі вирощування полікристалічного кремнію, який містить перехідник із встановленим у ньому цанговим фіксатором для розміщення прутка-підкладки, що має встановлювальну частину, металевий охолоджуваний струмоввід, з'єднаний з електродом, при цьому струмоввід має приймальне гніздо, в якому розміщена встановлювальна частина перехідника, який відрізняється тим, що глибина приймального гнізда...

Номер патенту: 102244

Опубліковано: 25.06.2013

Автор: Ловцюс Андрєй Альгєрдовіч

МПК: C01B 33/035

Мітки: полікристалічного, одержання, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію осадженням з газової фази, що включає подачу в реактор, відновлення через систему патрубків газової суміші на основі газу, що містить кремній і осадження кремнію на нагрітих поверхнях з утворенням газової суміші, що відходить, який відрізняється тим, що процес осадження кремнію здійснюють одночасно в принаймні двох реакторах, які з'єднують між собою послідовно системою патрубків для...

Номер патенту: 75089

Опубліковано: 26.11.2012

Автори: Кліменко Віталій Григорович, Грабченко Анатолій Іванович, Пижов Іван Миколайович

МПК: B24B 53/00

Мітки: абразивної, синтетичного, рівня, спосіб, алмазу, полікристалічного, оцінювання, спроможності

Формула / Реферат:

Спосіб оцінювання рівня абразивної спроможності синтетичного полікристалічного алмазу, згідно з яким використовують непрямий критерій оцінювання, встановлюють його значення, після чого роблять висновок про рівень абразивної спроможності, який відрізняється тим, що як непрямий критерій використовують максимальну питому потужність шліфування випробовуваного полікристалу алмазним кругом на органічній зв'язці, а її значення розраховують за...

Номер патенту: 74031

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Копілевич Володимир Абрамович, Лаврик Руслан Володимирович

МПК: C01B 25/42

Мітки: подвійного, спосіб, іі, полікристалічного, трипірофосфату, одержання, калію-мангану

Формула / Реферат:

Спосіб одержання подвійного трипірофосфату калію-мангану (II) у твердому полікристалічному стані загальної формули К4Мn4(Р2О7)3, що включає використання розплаву механічної суміші полікристалічних речовин, який відрізняється тим, що механічну суміш КРО3 та МnО розтирають в агатовій ступці, висипають в платиновий тигль (фарфоровий тигль) об'ємом 100 мл і гомогенізують протягом 1-2 години при температурі 650 °С, одержаний розплав насичують -...

Номер патенту: 74030

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Лаврик Руслан Володимирович, Копілевич Володимир Абрамович

МПК: C01B 25/42

Мітки: натрію-мангану, ііі, полікристалічного, подвійного, оксодиортофосфату, спосіб, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання подвійного оксодиортофосфату натрію-мангану (III) у твердому полікристалічному стані загальної формули Na2Mn2O(PO4)2, що включає використання розплаву механічної суміші полікристалічних речовин, який відрізняється тим, що механічну суміш NаРО3 та МnО розтирають в агатовій ступці, висипають в платиновий тигель (фарфоровий тигель) об'ємом 100 мл і гомогенізують протягом 1-2 годин при температурі 600 °С, одержаний розплав...

Номер патенту: 74029

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Копілевич Володимир Абрамович, Лаврик Руслан Володимирович

МПК: C01B 25/42

Мітки: ііі, одержання, літію-мангану, подвійного, спосіб, оксотриортофосфату, полікристалічного

Формула / Реферат:

Спосіб одержання подвійного оксотриортофосфату літію-мангану (III) у твердому полікристалічному стані загальної формули Li8МnО(РО4)3, що включає використання розплаву механічної суміші полікристалічних речовин, який відрізняється тим, що механічну суміш LiРО3 та МnО розтирають в агатовій ступці, висипають в платиновий тигль (фарфоровий тигль) об'ємом 100 мл і гомогенізують протягом 1-2 години при температурі 350 °С, одержаний розплав...

Номер патенту: 72917

Опубліковано: 27.08.2012

Автори: Скільсара Василь Михайлович, Онопрієнко Андрій Андрійович, Крігер Олександр Сергійович, Гапієнко Анатолій Олександрович, Котляренко Олег Миколайович

МПК: F25J 3/00, B01D 53/00, F25J 3/06 ...

Мітки: хлорсиланів, водню, виробництва, полікристалічного, підготовки, розділення, кремнію, технологічної, установка, лінії, хлористого

Формула / Реферат:

Установка для розділення і підготовки хлористого водню і хлорсиланів технологічної лінії виробництва полікристалічного кремнію, яка містить ректифікаційну колону, верхня частина якої сполучена через дефлегматор зі збірником флегми, на виході з якого встановлений насос, вихід якого сполучається з верхньою частиною ректифікаційної колони і з накопичувачем хлористого водню, а також систему трубопроводів із запірно-регулюючою арматурою, яка...

Номер патенту: 72384

Опубліковано: 10.08.2012

Автори: Терехов Сергій Ігорович, Крігер Олександр Сергійович, Скільсара Василь Михайлович, Тахтай Іван Миколайович

МПК: F16B 1/00

Мітки: осадження, полікристалічного, тримач, прутків-підкладок, установки, кремнію

Формула / Реферат:

1. Тримач прутків-підкладок установки для осадження полікристалічного кремнію, який включає корпус, цанговий фіксатор з каналом для розміщення прутка, який має встановлювальну частину, при цьому в корпусі виконане приймальне гніздо для приймання встановлювальної частини фіксатора, який відрізняється тим, що на торцевій поверхні встановлювальної частини цангового фіксатора виконана вибірка, що утворює повітряний теплоізоляційний проміжок між...

Номер патенту: 98864

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Пономарьов Вадим Євгенович, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: cu6ps5cl, одержання, основі, міді, спосіб, хлорид-пентатіофосфату, полікристалічного, композиту

Формула / Реферат:

Спосіб одержання композиту на основі полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl, який включає синтез сполуки Cu6PS5Cl, який відрізняється тим, що синтезовану сполуку Cu6PS5Cl подрібнюють до стану мікрокристалічного порошку з середнім діаметром частинок 50 мкм, який змішують з полівінілацетатом, пресують під тиском 150 МПа в таблетки діаметром 8 мм та товщиною 0,2-2 мм і висушують при кімнатній температурі протягом 15 годин з...

Номер патенту: 98148

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Чуканов Андрєй Павловіч, Смєтанкіна Стелла Валєрьєвна, Вахрушин Алєксандр Юрьєвіч, Шевчєнко Руслан Алєксєєвіч, Манчулянцев Олєг Алєксандровіч

МПК: C01B 33/033

Мітки: одержання, полікристалічного, спосіб, пристрій, кислоти, кремнію, кременефтористоводневої, розчину

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію з розчину кременефтористоводневої кислоти, який відрізняється тим, що одержують органорозчинну сіль кременефтористоводневої кислоти з розчину кременефтористоводневої кислоти шляхом взаємодії кременефтористоводневої кислоти з органічною основою, одержану сіль кременефтористоводневої кислоти сушать повітрям або інертним газом при температурі 55-60 ºС, одержують газоподібний тетрафторид кремнію...

Номер патенту: 97691

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Буасвер Рене, Леблан Домінік

МПК: C01B 33/00, C01B 33/037

Мітки: одержання, спосіб, високої, твердого, полікристалічного, чистоти, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання твердого полікристалічного кремнію високої чистоти шляхом очищення металургійного кремнію низької чистоти, що містить щонайменше одну з наступних забруднювальних домішок Аl, As, Ba, Ві, Са, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ті, V, Zn, Zr і В, причому вказаний спосіб включає етапи, на яких:(a) витримують розплав металургійного кремнію низької чистоти у формі, причому вказана...

Номер патенту: 96530

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Шурінов Роман Володимирович, Бадіян Євген Юхимович, Тонкопряд Алла Григорівна, Шеховцов Олег Валерійович

МПК: G01N 21/00

Мітки: полікристалічного, зерен, зразка, поверхні, виявлення, спосіб, меж

Формула / Реферат:

Спосіб виявлення меж зерен на поверхні полікристалічного зразка, який полягає у тому, що після попередньої підготовки, яка включає шліфування та полірування досліджуваної поверхні, проводять обробку цієї поверхні, а потім під дією світла виявляють межі зерен, який відрізняється тим, що при обробці наносять на досліджувану поверхню серію паралельних подряпин, наприклад як при склерометруванні, а світловий пучок направляють під гострим кутом...

Номер патенту: 60164

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Різун Анатолій Романович, Муштатний Григорій Павлович, Кононов Вячеслав Юрійович, Морев Геннадій Миколайович, Голень Юрій Володимирович, Рачков Олексій Миколайович, Сиворижська Наталя Іванівна, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Жекул Людмила Олександрівна

МПК: B02C 19/18, C01B 33/00

Мітки: дроблення, електророзрядного, полікристалічного, кремнію, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для електророзрядного дроблення полікристалічногокремнію, що містить заповнену рідиною розрядну камеру, внутрішня поверхня якої має неметалеве покриття, з розміщеними в ній класифікатором, який виконано у вигляді стакана, бокова поверхня якого складається з вертикальних прутків, які рівномірно розміщені по колу, а дном є решітка, та двома електродними системами, що встановлені зовні класифікатора, позитивні електроди яких з'єднані з...

Номер патенту: 60128

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович, Пономарьов Вадим Євгенович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18

Мітки: джерела, матеріалу, енергії, полікристалічного, хлорид-пентатіофосфату, застосування, cu6ps5cl, твердоелектролітичного, композиту, міді

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного хлорид-пентатіофосфату міді Cu6PS5Cl як матеріалу композиту, що має високу іонну електропровідність та низьку енергію активації провідності, для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 60046

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Голень Юрій Володимирович, Різун Анатолій Романович, Морев Геннадій Миколайович, Жекул Людмила Олександрівна, Муштатний Григорій Павлович, Денисюк Тетяна Дмитрівна, Рачков Олексій Миколайович, Сиворижська Наталя Іванівна, Кононов Вячеслав Юрійович

МПК: B02C 19/18

Мітки: кремнію, дроблення, спосіб, полікристалічного, електророзрядного

Формула / Реферат:

Спосіб електророзрядного дроблення полікристалічного кремнію шляхом дії на нього імпульсними хвилями стиску, що генерують електричні розряди в рідині з параметрами, які встановлюють в залежності від міцності на розрив полікристалічного кремнію, який відрізняється тим, що електричні розряди здійснюють при енергії конденсаторних батарей від 2,5 до 5,0 кДж з частотою 0,5-1,0 Гц при питомих витратах енергії 13,9-14,0 кВт·год./т.

Номер патенту: 93021

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Зєтова Тетяна Расімовна, Тонкопряд Алла Григорівна, Шурінов Роман Володимирович, Шеховцов Олег Валерійович, Бадіян Євген Юхимович

МПК: G01N 33/20, G01N 21/17, G01N 21/00 ...

Мітки: спосіб, зразка, орієнтації, полікристалічного, поверхні, зерен, кристалографічно, визначення

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення кристалографічної орієнтації зерен на поверхні полікристалічного зразка, який полягає у тому, що на плоску поверхню зразка досліджуваного полікристалічного матеріалу направляють потік електромагнітного випромінювання, реєструють випромінювання, розсіяне поверхнею, що опромінюють, і судять про кристалографічну орієнтацію зерен на опромінюваній поверхні полікристалічного зразка, який відрізняється тим, що плоску поверхню...

Номер патенту: 92392

Опубліковано: 25.10.2010

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шевчук Андрій Леонідович, Черпак Юрій Володимирович, Онищенко Володимир Євгенович, Позігун Сергій Анатолійович, Марченко Степан Анатолійович, Шкульков Анатолій Васілієвіч

МПК: C30B 11/00, B22D 11/08, B22D 11/00 ...

Мітки: спосіб, одержання, кремнію, здійснення, індукційним, зливків, пристрій, полікристалічного, методом

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання зливків полікристалічного кремнію індукційним методом, що включає подачу і стартовий розігрів кускової шихти кремнію у контрольованій атмосфері на рухомому дні у плавильному просторі водоохолоджуваного тигля, формування ванни розплаву і наступне плавлення і лиття за формою плавильного простору, кристалізацію зливка полікристалічного кремнію і контрольоване його охолодження з використанням комплекту засобів нагріву,...

Номер патенту: 89460

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Тарновський Олександр Васильович, Ройтман Юхим Мойсейович, Бакай Едуард Аполлінарійович, Бурцев Федір Володимирович, Котвицький Денис Вадимович

МПК: C01B 33/02, C01B 33/037

Мітки: полікристалічного, кремнію, одержання, спосіб, порошку

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію сонячної градації, який включає багатостадійну хімічну обробку технічного кремнію, який відрізняється тим, що хімічну обробку кремнію здійснюють кислотою в три стадії, на першій - використовують хлористоводневу кислоту, на другій - азотну кислоту й на третій - фтористоводневу кислоту, причому на першій стадії використовують технічний кремній, а на другій і третій стадіях кремній,...

Номер патенту: 86336

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Ліпашов Віктор Олексійович, Бакай Едуард Аполінарійович, Тарасевич Юрій Стефанович, Богомаз Валерій Ігоревич, Огенко Володимир Михайлович, Тарасевич Олексій Юрійович

МПК: F01B 9/02, C01B 33/00, C01B 33/027 ...

Мітки: одержання, кремнію, полікристалічного, установка, здійснення, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію термохімічним розкладанням газоподібних кремнієвмісних сполук, який відрізняється тим, що вказане розкладання проводять при дії інерційних, переважно відцентрових сил, забезпечуючи в силовому полі утворення і стиснення потоку вихідних компонентів і протитечійного потоку одержаних продуктів, переважно водню, з перенесенням теплової енергії в потоках, ущільнення утворених частинок та їх...

Номер патенту: 86295

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Детлофф Крістіан, Фр'єстад Кеннет

МПК: C01B 33/00, C01B 33/02, C30B 13/00 ...

Мітки: методом, кристалізації, зонної, плавки, одержуваного, полікристалічного, зливка, еремнію, виготовлення, спосіб, чохральського, шляхом, направленої

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення полікристалічного зливка кремнію, одержуваного шляхом направленої кристалізації за методом Чохральського, методом зонної плавки з кремнієвої сировини сонячної якості, яка спочатку містить (0,2-10)‰ бору та (0,1-10)‰ фосфору, який відрізняється тим, що у випадку, коли вміст бору в кремнієвій сировині перевищує вміст фосфору, то під час процесу направленої кристалізації зливка кремнію вміст бору в розплавленому кремнії...

Номер патенту: 40001

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Осипьонок Микола Михайлович, Дімітрієв Олег Петрович, Пуд Олександр Аркадієвич, Смертенко Петро Семенович

МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...

Мітки: полікристалічного, омічного, основі, структур, нанесення, спосіб, контакту, гнучкого

Формула / Реферат:

Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...

Номер патенту: 85158

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Бучук Роман Юрійович, Пріц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Коперльос Богдан Михайлович, Панько Василь Васильович

МПК: H01M 6/18, H01M 6/00

Мітки: композита, твердоелектролітичного, енергії, міді, матеріалу, застосування, полікристалічного, джерела, cu6ps5i, йодидпентатіофосфату

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодидпентатіофосфату міді Cu6PS5I як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 38013

Опубліковано: 25.12.2008

Автори: Панько Василь Васильович, Пріц Іван Павлович, Студеняк Ігор Петрович, Бучук Роман Юрійович, Коперльос Богдан Михайлович

МПК: H01L 29/00

Мітки: застосування, джерела, полікристалічного, твердоелектролітичного, cu6ps5i, йодид-пентатіофосфату, композита, міді, енергії, матеріалу

Формула / Реферат:

Застосування полікристалічного йодид-пентатіофосфату міді Сu6РS5І як матеріалу композита для твердоелектролітичного джерела енергії.

Номер патенту: 80210

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Чундак Степан Юрійович, Кедик Ігор Васильович, Тюпа Олександр Іванович, Трапезнікова Людмила Віталіївна, Сливка Олександр Георгієвич

МПК: C30B 7/00, C30B 27/00, C30B 29/54 ...

Мітки: тригліцинсульфату, полікристалічного, спосіб, легованого, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступове додавання осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та альфа- або бета-аланіну у співвідношенні 2,85: 0,15 відповідно, а як розчин з осаджуваними іонами використовують водний розчин сульфатної кислоти в стехіометричному співвідношенні гліцин плюс альфа- або бета-аланін:сульфатна кислота, що дорівнює...

Номер патенту: 22257

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: кремнію, полікристалічного, карбіду, вирощування, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування полікристалічного карбіду кремнію, що складається із синтезатора, тигля, нагрівального елемента, який відрізняється тим, що синтезатор виконано у вигляді двох циліндрів однакової висоти, у нижній частині синтезатора розміщено тигель, в об’ємі синтезатора поміщені вертикально і горизонтально касети, зверху синтезатор закритий кришкою з отворами, причому синтезатор з тиглем, пластинами всередині і кришкою зверху...

Номер патенту: 19072

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Янішин Ігор Борисович, Сергеєв Олег Тимофійович

МПК: C30B 23/02, C30B 35/00

Мітки: полікристалічного, спосіб, карбіду, кремнію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування полікристалічного карбіду кремнію, який включає прямий синтез кремнію і вуглецю, які розташовані в квазізамкнутому об'ємі, виготовленому із графіту, який розташований в нагрівачі високотемпературної печі, який відрізняється тим, що для одержання полікристалічного карбіду кремнію високої чистоти джерелом кремнію є високочистий кремній, розташований в тиглі, виготовлений із ізостатичного графіту високої щільності і чистоти, а...

Номер патенту: 16526

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Сливка Олександр Георгієвич, Трапезнікова Людмила Віталіївна, Тюпа Олександр Іванович, Чундак Степан Юрійович, Кедик Ігор Васильович

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Мітки: тригліцинсульфату, одержання, полікристалічного, спосіб, легованого

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступове додавання осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та -аланіну у співвідношенні 2,85:0,15 відповідно, а як розчин з осаджуваними іонами використовують водний розчин сульфатної кислоти в стехіометричному співвідношенні гліцин та...

Номер патенту: 70575

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Таіров Борис Хусаінович, Хайдакін Василь Іванович, Курченко Іван Павлович, Сніжко Петро Михайлович

МПК: C01B 31/36

Мітки: монолітного, кремнію, одержання, виробів, карбіду, полікристалічного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання виробів із монолітного полікристалічного карбіду кремнію (МПК), що включає змішування карбіду кремнію з вуглецевим компонентом, який відрізняється тим, що до суміші додатково додають нафтовий кокс та сульфітно-спиртову барду, формують вироби, сушать їх і піддають силіціюванню  до  температури 1950 °С  та витримці 4-4,5 години.Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що нагрів при силіціюванні здійснюють з інтенсивністю...

Номер патенту: 49463

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Шварцман Леонід Якович, Касаткін Юрій Алєксандровіч, Свірідєнко Дмітрій Івановіч, Петрик Адольф Гаврилович

МПК: C01B 33/029

Мітки: одержання, замкнутому, циклу, спосіб, полікристалічного, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання полікристалічного кремнію по замкнутому циклу, який містить стадії синтезу хлорсиланів у реакторі "киплячого шару" часток технічного кремнію, з одержанням парогазової суміші, яка містить переважно трихлорсилан і тетрахлорид кремнію та побічні продукти реакції, диспропорціювання трихлорсилану, одержаного на стадії синтезу хлорсиланів у реакційній колоні, що має зону диспропорціювання, з утворенням моносилану і...

Номер патенту: 29130

Опубліковано: 16.10.2000

Автори: Трапєзнікова Людмила Віталіївна, Горват Андрій Андрійович, Тюпа Олександр Іванович

МПК: C30B 28/00

Мітки: полікристалічного, одержання, тригліцинсульфату, легованого, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання легованого полікристалічного тригліцинсульфату, який включає поступову подачу осаджувача в розчин, що містить осаджувані іони, який відрізняється тим, що як осаджувач використовують суміш твердих гліцину та аланіну, а як розчин з осаджувальними іонами - сірчану кислоту густиною 1,65...1,68 г/см3 в стехіометричному співвідношенні