Патенти з міткою «монокристала»

Номер патенту: 106179

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Матвієнко Леонід Федорович, Засімчук Ігор Костянтинович, Дехтяр Олександр Ілліч

МПК: C30B 29/10, C30B 13/34, C22C 27/00 ...

Мітки: одержання, вольфрам-тантал, сплаву, монокристала, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р≤8,10-3 Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т≥1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Номер патенту: 87727

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Дехтяр Олександр Ілліч, Засімчук Ігор Костянтинович, Матвієнко Леонід Федорович

МПК: C22C 27/00, C30B 13/00, C30B 28/00 ...

Мітки: вольфрам-тантал, сплаву, одержання, спосіб, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб одержання монокристала сплаву вольфрам-тантал, що включає виготовлення штабиків гідростатичним пресуванням попередньо змішаних порошків вольфраму і танталу впродовж 200-300 секунд, наступну термічну обробку штабиків у вакуумі з залишковим тиском Р£8.10-3Па, спікання штабиків у вакуумі при температурі Т³1500 °C впродовж не менше двох годин з наступним охолодженням зі швидкістю 300 °C/годину, переплавлення...

Номер патенту: 104249

Опубліковано: 10.01.2014

Автори: Бадіян Євген Юхимович, Казачкова Катерина Станіславівна, Шеховцов Олег Валерійович, Зєтова Тетяна Расімовна, Тонкопряд Алла Григорівна, Шурінов Роман Володимирович

МПК: G01N 21/00, G01N 33/20

Мітки: морфології, окремих, візуалізації, спосіб, монокристала, неоднорідності, орієнтаційної, поверхні, зерен, полікристала

Формула / Реферат:

Спосіб візуалізації орієнтаційної неоднорідності та морфології поверхні монокристала або окремих зерен полікристала, який включає виявлення, шляхом хімічного травлення, квазіперіодичної структури поверхні досліджуваного зразка, характеристики якої визначені його кристалографічною орієнтацією, освітлювання досліджуваної поверхні зразка білим світлом та реєстрацію за допомогою цифрової фотокамери та комп'ютера колірних орієнтаційних карт в...

Номер патенту: 78213

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Богданов Євген Іванович, Низкова Ганна Іванівна, Богданов Сергій Євгенович, Молодкін Вадим Борисович, Мазанко Володимир Федорович, Храновська Катерина Миколаївна

МПК: G01N 23/00, G01N 23/20, G01N 13/00 ...

Мітки: домішок, визначення, спосіб, об'ємі, розподілу, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу домішок в об'ємі монокристала, що включає опромінення монокристала випромінюванням, реєстрацію випромінювання, розрахунок концентрації домішок в монокристалі, який відрізняється тим, що опромінювання монокристала здійснюють рентгенівським випромінюванням, послідовно видаляють шари монокристала товщиною порядку 3-5 довжин абсорбції, вимірюють інтенсивність дифракційних рентгенівських ліній у кожному шарі, визначають...

Номер патенту: 96896

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бабенко Галина Миколаївна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович, Сало Віталій Іванович

МПК: G01T 1/202

Мітки: калію, матеріал, сцинтиляційний, дигідрофосфату, монокристала, детектор, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що додатково активований церієорганічним комплексом з коефіцієнтом когерентної спряженості від  до , причому концентрація церію (Се) в монокристалі складає від 0,01 до 0,001 мас. %.2. Сцинтиляційний...

Номер патенту: 96894

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01T 1/202

Мітки: амонію, матеріал, детектор, сцинтиляційний, монокристала, основі, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату амонію додатково активований талієм, причому концентрація активатора в монокристалі складає від 0,1 до 1,0 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала дигідрофосфату...

Номер патенту: 96893

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/20

Мітки: сцинтиляційний, калію, основі, дигідрофосфату, матеріал, монокристала, детектор

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату калію додатково активований талієм (Тl), причому концентрація активатора Тl в монокристалі складає від 0,01 до 0,1 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала...

Номер патенту: 90642

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Нагорна Людмила Лаврентіївна, Гриньов Борис Вікторович, Тупіцина Ірина Аркадіївна, Вострецов Юрій Якович, Дубовік Олександр Михайлович, Даневич Федір Анатолійович

МПК: G01T 1/15, C30B 15/00

Мітки: магнію, вольфрамату, основі, сцинтиляційного, зокрема, детектор, монокристала, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристала вольфрамату магнію, зокрема сцинтиляційного, що включає приготування розчину-розплаву шляхом змішування еквімолярної кількості порошків Na2WO4, WO3 і MgO, розплавлення суміші при температурі 1100-1350 °С з подальшим охолоджуванням, який відрізняється тим, що охолоджування проводять до температури 950-1050 °С, після чого здійснюють витягування монокристала на затравку, що обертається, із швидкістю 0,05-1...

Номер патенту: 88419

Опубліковано: 12.10.2009

Автори: Кондратьєв Сергій Павлович, Данільченко Віталій Юхимович, Бондар Володимир Йосипович

МПК: G01N 23/20

Мітки: визначення, спосіб, кристалографічно, монокристала, орієнтації

Формула / Реферат:

Спосіб визначення кристалографічної орієнтації монокристала, який включає нерухоме закріплення монокристала в гоніометричній головці рентгенівської камери обертання, опромінення монокристала пучком немонохроматизованих характеристичних рентгенівських променів, реєстрацію дифракційної картини монокристала, що обертається, побудову його полюсної фігури і визначення кутового положення кристалографічних площин, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 86156

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Блецкан Дмитро Іванович, Пекар Ярослав Михайлович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00, C01F 7/00 ...

Мітки: підкладок, монокристала, спосіб, сапфіра, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення підкладок із монокристала сапфіра, який включає визначення кристалографічних площин монокристала, виготовлення з нього циліндричної заготовки, основа якої є площиною епітаксії, виготовлення базової площини шляхом плоского шліфування, розділення циліндричної заготовки на пластини та подальше доведення їх до заданих товщини, діаметра і чистоти поверхні механічним шліфуванням та поліруванням, який відрізняється тим, що після...

Номер патенту: 34945

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: твердого, ga0.3in0.7)2se3, оптоелектроніки, селеніду, застосування, галію-індію, монокристала, функціональних, напівпровідникового, матеріалу, розчину, пристроїв

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,3Іn0,7)2Sе3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 30049

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Пекар Ярослав Михайлович, Блецкан Дмитро Іванович, Соломон Андрій Михайлович

МПК: C30B 29/20

Мітки: монокристала, a-al2o3, кристалографічних, визначення, площин, об`ємного, спосіб, сапфіра

Номер патенту: 30108

Опубліковано: 11.02.2008

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/00

Мітки: розчину, оптоелектроніки, функціональних, селеніду, матеріалу, напівпровідникового, пристроїв, застосування, галію-індію, монокристала, ga0,2in0,8)2se3, твердого

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію  як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 26301

Опубліковано: 10.09.2007

Автори: Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович, Студеняк Ігор Петрович

МПК: G01K 17/08

Мітки: 0,9)2se3, функціональних, селеніду, напівпровідникового, пристроїв, розчину, оптоелектроніки, матеріалу, монокристала, твердого, застосування, галію-індію

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію - індію (Ga0.1In0.9)2Se3 як матеріалу для функціональних пристроїв оптоелектроніки.

Номер патенту: 25754

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Феделеш Василь Іванович

МПК: G01K 17/08

Мітки: розчину, твердого, напівпровідникового, випромінювання, модулятора, селеніду, галію-індію, акустооптичного, ga0,4in0,6)2se3, застосування, матеріалу, лазерного, монокристала

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0,4Іn0,6)2Se3 як матеріалу для акустооптичного модулятора лазерного випромінювання.

Номер патенту: 78705

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Канбара Ясуо, Гарчінскі Єжи, Дорадзінскі Роман Марек, Сєжпутовскі Лєшек Пьотр, Двілінскі Роберт Томаш

МПК: C30B 9/00, C30B 29/40, C30B 7/00 ...

Мітки: апарат, процес, нітриду, одержання, об`ємного, містить, галій, монокристала

Формула / Реферат:

1. Процес одержання кристала галієвмісного нітриду, який включає наступні стадії:1) подають галієвмісний вихідний матеріал, компонент, що містить лужний метал, принаймні один зародок кристалізації та азотовмісний розчинник у щонайменше один контейнер;2) переводять азотовмісний розчинник у надкритичний стан;3) принаймні частково розчиняють галієвмісний вихідний матеріал при першій температурі і при першому тиску...

Номер патенту: 77305

Опубліковано: 15.11.2006

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Феделеш Василь Іванович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: ga0.3in0.7)2se3, галію-індію, твердого, селеніду, монокристала, застосування, акустооптичного, матеріалу, модулятора, випромінювання, напівпровідникового, розчину, лазерного

Формула / Реферат:

Застосування монокристала напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.3In0.7)2Sе3 як матеріалу для акустооптичного модулятора оптичного випромінювання.

Номер патенту: 3412

Опубліковано: 15.11.2004

Автор: Крапивко Геннадій Іванович

МПК: H01L 21/26, H01L 31/036

Мітки: поверхні, обробки, спосіб, пластин, кремнію, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб обробки поверхні пластин монокристала кремнію шляхом лазерного текстурування, який відрізняється тим, що процес лазерного текстурування проводять одночасно з ростом кристала, причому процес проходить у вакуумі 10-2Па при температурі близько 1300°С.

Номер патенту: 70313

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Руденко Сергій Васильович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 15/02

Мітки: кремнію, спосіб, вирощування, розплаву, монокристала

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристала кремнію з розплаву, що включає формування газового потоку над розплавом у присутності екрана, розташованого над площиною розплаву співвісно вирощуваному монокристалу кремнію, який відрізняється тим, що використовують циліндричний екран, нижній кінець якого розміщують над площиною розплаву на висоті, що розрахована за формулою:h = (А - D) / В, де h - висота розміщення нижнього кінця екрана над...

Номер патенту: 32073

Опубліковано: 16.02.2004

Автори: Трапезнікова Людмила Віталієвна, Лукша Олег Васильович, Тюпа Олександр Іванович

МПК: G01B 3/00, C30B 29/10, C30B 7/00 ...

Мітки: визначення, швидкості, спосіб, росту, тригліцинсульфату, монокристала, розчину

Формула / Реферат:

Спосіб визначення швидкості росту монокристала тригліцинсульфату з розчину, який включає вимір розмірів монокристалу по осях а, b, с, обчислення його об'єму і ваги та зміну їх значень за одиницю часу, проведення визначення розмірів монокристалу вздовж осей а, b, с безпосередньо під час технологічного процесу вирощування монокристала, обчислення його об'єму і ваги в кожний даний момент часу з використанням при цьому експериментально знайдених...

Номер патенту: 49479

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Падалко Віктор Григорович, Ларкін Сергій Юрійович, Аніщенко Сергій Євгенович, Третьяков Олег Вальтерович, Притчин Сергій Емільович, Немчин Олександр Федорович, Слюсаренко Оксана Олександрівна, Оксанич Анатолій Петрович

МПК: C30B 15/20

Мітки: пристрій, спосіб, монокристала, вирощування, здійснення

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, що включає відбір відеокамерою зображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що з аналізу зазначеного відеозображення додатково одержують дані про діаметр злитка і параметри меніска, визначають дані про зміни температури розплаву, що обумовлюють зміни швидкості...

Номер патенту: 49103

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Бакалець Ігор Павлович, Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович

МПК: B28D 5/00, C30B 33/00

Мітки: спосіб, вирощеного, домішки, зливка, кремнію, концентрацією, заданою, частини, монокристала, виділення, вуглецю

Формула / Реферат:

1. Спосіб виділення частини зливка вирощеного монокристала кремнію з заданою концентрацією домішки вуглецю, який включає відділення нижньої конусної частини зливка, визначення концентрації вуглецю на нижньому торці зливка, що утворився, і наступне відділення нижньої частини зливка з концентрацією вуглецю, що перевищує задану, який відрізняється тим, що попередньо визначають масу завантаження шихти для вирощування зливка монокристала,...

Номер патенту: 49104

Опубліковано: 16.09.2002

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Самохвалов Володимир Олександрович, Куликовський Едуард Володимирович

МПК: C30B 15/20

Мітки: вирощуваного, монокристала, розплаву, спосіб, діаметра, контролю, кремнію

Формула / Реферат:

1. Спосіб контролю діаметра монокристала кремнію, вирощуваного з розплаву, що включає регулювання температурних і швидкісних параметрів процесу вирощування за допомогою системи автоматичного регулювання діаметра, що має у своєму складі оптичний датчик з чутливим елементом, за допомогою якого реєструють зміну напрямку випромінювання від меніска стовпчика розплаву в підкристальній області під час вирощування монокристала, і визначення моменту...

Номер патенту: 47988

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Третьяков Олег Вальтерович, Оксанич Анатолій Петрович, Притчин Сергій Емільович, Петренко Василь Радиславович, Слюсаренко Оксана Олександрівна

МПК: C30B 15/20

Мітки: монокристала, спосіб, здійснення, пристрій, вирощування

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування монокристала шляхом керування параметрами зростаючого кристала, у тому числі параметрами його меніска, що включає відбір відеокамерою відеозображення ділянки росту монокристала та аналіз зазначеного відеозображення з одержанням даних про параметри розплаву, який відрізняється тим, що сформовані відеокамерою відеосигнали перетворюють у цифрову форму з прив'язкою до показника яскравості, розподіляють по кольорах і...

Номер патенту: 26952

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Шульга Юрій Григорович, Ушанкін Юрій Володимирович

МПК: C30B 33/00

Мітки: злитків, монокристала, обробки, вирощених, кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб обробки вирощених злитків монокристала кремнію, що включає калібрування злитка, визначення кристалографічних площин злитка з наступним псевдоквадратуванням злитка, який відрізняється тим, що калібрування злитка здійснюють після його псевдоквадратування, а визначення кристалографічних площин здійснюють по морфологічних ознаках вихідного злитка.

Номер патенту: 26951

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Ушанкін Юрій Володимирович, Шульга Юрій Григорович, Берінгов Сергій Борисович

МПК: C30B 33/00

Мітки: кремнію, монокристала, бездефектної, зони, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення бездефектної зони монокристала кремнію шляхом визначення параметра вирощеного кристала з порушеними гранями росту монокристала, який відрізняється тим, що вимірюють довжину циліндричної частини вирощеного монокристала від її початку до площини зникнення або переривання грані росту монокристала, а довжину бездефектної зони розраховують по формулі:L = kL1,де L - довжина бездефектної зони монокристала;L1 -...

Номер патенту: 21026

Опубліковано: 07.10.1997

Автори: Шляхтуров Валерій Вікторович, Пшуков Адам Музаріфович, Горелецькій Валентин Іванович, Ейдельман Лев Георгійович, Красовицька Іна Моні-Мордківна, Тарасов Володимир Олексійович, Віноград Едуард Львович, Мітічкін Анатолій Іванович, Угланова Валентина Володимирівна, Кудін Олександр Михайлович, Гаврін Володимир Миколайович, Чаркіна Тамара Олександрівна

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційний, монокристала, матеріал, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтилляционный материал на основе монокристалла LiF, содержащий активирующую добавку, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксиды поливалентных металлов при следующем соотношении компонентов, мол.%:2. сцинтилляционный материал на основе монокристалла LіF по п. 1, отличающийся тем, что в качестве активирующей добавки содержит оксид титана, при следующем соотношении компонентов,...