Спосіб впливу на фазорозшаровану наноструктуру манганітів

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 36422

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Пермяков Віталій Васильович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Cпосіб впливу на фазорозшаровану наноструктуру манганітів, що включає встановлення при фіксованій температурі заданого значення струму через зразок, заміряння напруги на зразку й визначення його опору розподілом напруги на струм, який відрізняється тим, що на зразок додатково подають по напрямку струму виміру високочастотний електромагнітний струм частотою 10-100 MГц.

2. Cпосіб за п. 1, який відрізняється тим, що високочастотний струм подають у зразок перпендикулярно струму виміру.

3. Cпосіб за п. 1, який відрізняється тим, що високочастотний струм збуджують у зразку індукційним впливом.

4. Спосіб за пп. 1-3, який відрізняється тим, що частоту й інтенсивність впливу плавно змінюють у заданих межах, відзначаючи її ефективність по зміні електричного опору манганіту.

Текст

1. Cпосіб впливу на фазорозшаровану наноструктур у манганітів, що включає встановлення при фіксованій температурі заданого значення струму через зразок, заміряння напруги на зразку й ви 3 36422 Спосіб демонструється на прикладі пристроїв, наведених на Фіг.1-3. На Фіг.1 наведений варіант пристрою із впливом на зразок високочастотним струмом паралельним току виміру, на. Фіг.2 наведений варіант пристрою з високочастотним струмом, перпендикулярним до струму виміру, на Фіг.3 наведений варіант пристрою з безконтактним високочастотним впливом на зразок через індуктор або випромінювач. Джерело 1 вимірювального струму через амперметр 2 підключений до зразка 3, паралельно якому підключений вольтметр 4. Пропонований спосіб ефективного впливу на фазове розшарування у манганіті та контроль за ним здійснюються наступним чином. Установлюють задане значення струму через зразок, заміряють напругу на зразку й визначають його опір розподілом напруги на струм. Додатково подають від джерела 5 високочастотний струм у зразок, паралельно (Фіг.1) чи перпендикулярно (Фіг.2) до напрямку вимірювального струму, змінюють частоту і інтенсивність високочастотного струму, відзначаючи його вплив на опір зразка. Пристрій для здійснення способу за п. 3 (Фіг.3) містить додатковий індуктор 7, установлений поблизу зразка 3. Комп’ютерна в ерстка М. Ломалова 4 Пропонований спосіб здійснюється наступним порядком: Установлюють задане значення струму через зразок, заміряють напругу на зразку й визначають його опір розподілом напруги на струм. Додатково джерелом 7 індукується високочастотний струм у зразку, незалежно від напрямку вимірювального струму, змінюють частоту й інтенсивність високочастотного струму, відзначаючи його вплив на опір зразка. Приклад конкретної реалізації. Зразок у вигляді монокристалу манганіту сполуки Lа0,7Sr0,3 MnO 3 з розмірами в плані 5´1мм і товщиною 0,2мм підключений до джерела постійного вимірювального струму величиною 10мА. Паралельно зразку включений вольтметр із межами виміру 1-1000мВ. Зразок опромінюється джерелом електромагнітного опромінення в діапазоні 10-100МГц з інтенсивністю 0,1Вт/см 2. Корисна модель може знайти широке застосування у сфері технічної фізики й електричних вимірів, зокрема, для вимірів електричного опору неоднорідних наноструктур й для створення умов ефективного впливу на величину магнітоопору в манганітах. Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for affecting phase-stratified nano-structure of manganits

Автори англійською

Permiakov Vitalii Vasyliovych, Moskalenko Mykhailo Andriiovych

Назва патенту російською

Способ воздействия на фазорасслоенную наноструктуру манганитов

Автори російською

Пермяков Виталий Васильевич, Москаленко Михаил Андреевич

МПК / Мітки

МПК: G01R 19/00

Мітки: манганітів, спосіб, фазорозшаровану, впливу, наноструктуру

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-36422-sposib-vplivu-na-fazorozsharovanu-nanostrukturu-manganitiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб впливу на фазорозшаровану наноструктуру манганітів</a>

Подібні патенти