Пермяков Віталій Васильович
Спосіб запису та зчитування інформації у резистивній пам’яті з довільним доступом
Номер патенту: 91405
Опубліковано: 26.07.2010
Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Білоголовський Михайло Олександрович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: H01L 29/94
Мітки: спосіб, зчитування, пам'яті, довільним, доступом, інформації, запису, резистивний
Формула / Реферат:
Спосіб запису та зчитування інформації в резистивній пам'яті з довільним доступом, який полягає в тому, що для запису та зчитування інформації на мемристори - комірки резистивної пам'яті, подають електричні імпульси, який відрізняється тим, що подають імпульси струму від джерела струму для запису інформації на мемристори - комірки резистивної пам'яті, а для зчитування інформації з мемристора - комірки резистивної пам'яті, подають два...
Надпровідниковий кубіт на базі тришарових гетероструктур
Номер патенту: 40992
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: G01R 33/02, G01B 7/00
Мітки: гетероструктур, базі, надпровідниковий, тришарових, кубіт
Формула / Реферат:
Надпровідниковий кубіт, що містить діелектричну підкладку, на якій розташовано надпровідну петлю, який відрізняється тим, що до надпровідної петлі додатково введено принаймні одну тришарову гетероструктуру, що містить нижній шар надпровідника, неоднорідний тонкоплівковий діелектричний бар'єр із оптимізованою функцією розподілу прозоростей в ньому, а також верхній шар надпровідника, перший вивід надпровідної петлі приєднаний до нижнього шару...
Надпровідний однофотонний детектор
Номер патенту: 40881
Опубліковано: 27.04.2009
Автори: Ковтун Геннадій Прокопович, Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович, Бутько Віктор Григорович
МПК: C23C 14/06, G01R 33/035, G01T 1/00 ...
Мітки: детектор, надпровідний, однофотонний
Формула / Реферат:
Надпровідний однофотонний детектор, що містить діелектричну підкладку, на якій розміщений чутливий елемент, виконаний у вигляді надпровідної смуги, наприклад, з нітриду ніобію, підключеної до зовнішнього джерела струму зсуву, який відрізняється тим, що чутливий елемент додатково містить надпровідні смуги, при цьому всі смуги чутливого елемента розміщені між собою паралельно, із зазором менш ніж 200 нм, кожна із смуг чутливого елемента...
Лінза з матеріалу з негативним показником заломлення
Номер патенту: 39000
Опубліковано: 26.01.2009
Автори: Пермяков Віталій Васильович, Новікова Євгенія Іванівна, Бойло Ирина Вікторівна, Воронько Андрій Олександрович
МПК: G02B 3/00
Мітки: показником, матеріалу, заломлення, негативним, лінза
Формула / Реферат:
Лінза з матеріалу з негативним показником заломлення для одержання дійсного зображення об'єкта, обмежена плоскою і увігнутою фронтальними і бічною поверхнями, яка відрізняється тим, що увігнута фронтальна поверхня виконана сферичною з центром на оптичній осі, а бічна - конусною з вершиною, співпадаючою з центром цієї сфери.
Спосіб запису та зчитування інформації у резистивній пам’яті з довільним доступом
Номер патенту: 38372
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Білоголовський Михайло Олександрович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: H01L 29/66
Мітки: довільним, спосіб, інформації, доступом, пам'яті, резистивний, запису, зчитування
Формула / Реферат:
1. Спосіб запису та зчитування інформації в резистивній пам'яті з довільним доступом, який полягає в тому, що для запису та зчитування інформації на комірки-мемристори резистивної пам'яті подають електричні імпульси, який відрізняється тим, що на комірки резистивної пам'яті подають імпульси струму від джерела струму, а збережену в комірці пам'яті інформацію визначають по напрузі на мемристорі.2. Спосіб запису та зчитування інформації в...
Спосіб впливу на фазорозшаровану наноструктуру манганітів
Номер патенту: 36422
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: G01R 19/00
Мітки: спосіб, наноструктуру, впливу, манганітів, фазорозшаровану
Формула / Реферат:
1. Cпосіб впливу на фазорозшаровану наноструктуру манганітів, що включає встановлення при фіксованій температурі заданого значення струму через зразок, заміряння напруги на зразку й визначення його опору розподілом напруги на струм, який відрізняється тим, що на зразок додатково подають по напрямку струму виміру високочастотний електромагнітний струм частотою 10-100 MГц.2. Cпосіб за п. 1, який відрізняється тим, що високочастотний...
Індикатор магнітного поля
Номер патенту: 36421
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Москаленко Михайло Андрійович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: G01R 33/02
Мітки: індикатор, магнітного, поля
Формула / Реферат:
1. Індикатор магнітного поля, що містить надпровідний контур із слабким контактом і потенційні відведення від контакту, підключені до вимірювального пристрою, який відрізняється тим, що контур виконаний з трьох петель, розміщених в різних площинах, з'єднаних послідовно і включених на спільний слабкий контакт.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що петлі розташовані взаємно перпендикулярно.3. Пристрій за п. 2, який...
Спосіб неруйнівного контролю надпровідника високотемпературним надпровідниковим інтерферометром
Номер патенту: 36420
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Білоголовський Михайло Олександрович, Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: H01L 39/24
Мітки: інтерферометром, неруйнівного, спосіб, контролю, високотемпературним, надпровідниковим, надпровідника
Формула / Реферат:
1. Спосіб неруйнівного контролю надпровідника високотемпературним надпровідниковим інтерферометром, що включає збудження в плівці магнітних вихрів Абрікосова, полюси яких розташовані на поверхнях плівки, і зчитування їх положення шляхом сканування датчиком, який відрізняється тим, що зовнішнім впливом наводять у плівці задану структуру (зображення) тимчасових центрів пінінгу вихрів, вводять в плівку кількість магнітних вихрів, що перевищує...
Кріоелектронний регістр зсуву
Номер патенту: 36419
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович, Шатернік Володимир Євгенович
МПК: G11C 11/00
Мітки: регістр, зсуву, кріоелектронний
Формула / Реферат:
1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку, надпровідний шар, розташований на поверхні діелектричної підкладки, і канал просування магнітних вихрів у пониженні товщини шару, який відрізняється тим, що на поверхні підкладки вздовж каналу просування створений виступ, на бокових стінках якого виконані зубці, при цьому зубці на першій боковій стінці виступу зсунуті відносно зубців на другій боковій стінці виступу на...
Кріоелектронний регістр зсуву
Номер патенту: 36418
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Шатернік Володимир Євгенович, Пермяков Віталій Васильович
МПК: G11C 11/00
Мітки: кріоелектронний, регістр, зсуву
Формула / Реферат:
1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку і, розміщений на її поверхні, надпровідний шар з поглибленням (каналом просування), на бічних стінках якого виконані зуби, причому зуби на першій бічній стінці поглиблення зрушені відносно зубів на другій бічній стінці поглиблення на половину довжини зуба, а донна частина поглиблення в одній зі стінок виконана з товщиною шару, не більшою ніж 20 % від товщини усього...