Генератор електромагнітних хвиль

Генератор електромагнітних хвиль, що містить джерело живлення постійної напруги, два провідних шари і шар із забороненою зоною, розміщений між ними, який відрізняється тим, що два провідні шари виконані із металу, шар із забороненою зоною товщиною від 1 до 3нм виконаний із діелектрика, при цьому два провідних шари розміщені таким чином, що відстань рівня Фермі електронів у них при нульовій напрузі до дна зони провідності більше відстані від зазначеного вище рівня Фермі до межі валентної зони. (19) (21) u200806506 (22) 14.05.2008 (24) 27.10.2008 (46) 27.10.2008, Бюл.№ 20, 2008 р. (72) БІЛОГОЛОВСЬКИЙ МИХАЙЛО ОЛЕКС АНДРОВИЧ, UA, ЛАРКІН СЕРГІЙ ЮРІЙОВИЧ, U A, ХАЧАТУРОВ ОЛЕКСАНДР ЙОСИПОВИЧ, UA, ХАЧАТУРОВА ТЕТЯН А ОЛЕКС АНДРІВН А, U A (73) ЗАКРИТЕ АКЦІОНЕРНЕ ТОВАРИСТВО "Н АУКОВО-ВИРОБНИЧИЙ КОНЦЕРН "НАУКА", U A, ДЕРЖАВНЕ ПІДПРИЄМСТВО "ДЕРЖАВНИЙ НАУКОВО-ДОСЛІДНИЙ ЦЕНТР "ФОНОН", UA 3 36423 вані напівпровідники, а саме напівпровідні шари рі n-типу і шар напівпровідника із забороненою зоною між ними, які могли бути ідентичними при їх виробництві. Зокрема, процес виготовлення прототипу є досить тр удомістким, оскільки вимагає проведення від двох до чотирьох високотемпературних процесів окислювання й дифузії, а також відповідні кількості процесів фотолітографії. Задачею корисної моделі є створення генератора електромагнітних хвиль більш простого у виготовленні і який був би менш трудомісткий при його виготовленні, а також був би відтворюваним при його тиражуванні, тобто всі відтворювані генератори при ї тиражуванні були б ідентичними за параметрами. Для досягнення поставленої мети у генераторі електромагнітних хвиль, що містить джерело живлення постійної напруги, два провідних шари і шар із забороненою зоною, розміщений між ними, згідно корисної моделі два провідні шари виконані із металу, шар із забороненою зоною товщиною від 1 до 3нм, виконаний із діелектрика, при цьому два провідних шари розміщені таким чином, що відстань рівня Фермі електронів у них при нульовій напрузі до дна (межі) зони провідності більше відстані від зазначеного вище рівня Фермі до межі валентної зони. Завдяки запропонованій конструкції генератора електромагнітних хвиль, він більш простий у виготовленні, менш трудомісткий і має ідентичні параметри при тиражуванні. Це обумовлюється тим, що у запропонована конструкція містить три окремі елементи, а саме два провідні шари виконані з феромагнітного металу зі 100-відсотковою поляризацією електронів провідності і шар між ними із забороненою зоною товщиною від 1 до 3нм, виконаний із діелектрика (які легко виготовити великими партіями та ідентичними за розміром, а також завдяки ідентичності елементів та матеріалів з яких вони виготовлені легко з'єднувати між 4 собою), що забезпечує чіткі межі між провідними шарами. Заявлений пристрій наведений на Фіг.1-3. На Фіг.1 наведена схема генератора електромагнітних хвиль, що містить два провідні шари 1 і шар із забороненою зоною, розміщений між ними 2, з'єднаного із джерелом живлення постійної напруги. На Фіг.2 зображена енергетична схема генератора електромагнітних хвиль, що містить два провідних шари 1 і шар 2 із забороненою зоною, розміщений між ними, де EG - ширина забороненої зони, при цьому рівень Фермі 3 при нульовій напрузі це верхній край провідних шарів 1, межа зони провідності шару із забороненою зоною 4, а межа валентної зони шару із забороненою зоною 5. На Фіг.3 наведені криві залежності І від V у заявленому генераторі електромагнітних хвиль. Результати розрахунку кривих залежності І від V у заявленому генераторі електромагнітних хвиль враховують наявність валентної зони в електронній структурі ізолятора й наочно демонструють наявність ділянки негативної диференціальної провідності (у розрахунках використані наступні параметри: товщина бар'єра - 2нм, ширина забороненої зони EG - 8еВ, відстань рівня Фермі до дна зони провідності – 4,5еВ, енергія Фермі металевого інжектора – 3,4еВ, крива 1; 3,5еВ, крива 2 і 3,6еВ, крива 3). Поява у вольт-амперній характеристиці ділянки з dV/dl < 0 обумовлено тим, що в міру росту напруги зсуву V рівень Фермі металевого інжектора віддаляється від стелі валентної зони, у результаті чого внесок відповідних електронів у тунельний струм експоненціально загасає. Пропонований пристрій може знайти широке застосування в галузі квантової електроніки та радіотехніки для створення нанорозмірних генераторів електромагнітного випромінювання, дія яких може бути керованою за допомогою зовнішнього магнітного поля. 5 36423 6 7 Комп’ютерна в ерстка C.Литв иненко 36423 8 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601