Напівпровідникова індуктивність
Номер патенту: 49747
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Філинюк Микола Антонович, Барабан Марія Володимирівна, Ліщинська Людмила Броніславівна
Формула / Реферат
Напівпровідникова індуктивність, що містить транзистор, перший та другий резистори, шину живлення, загальну шину, вхідну клему, яка відрізняється тим, що введено розділовий конденсатор, а як транзистор використано одноперехідний транзистор, друга база якого під'єднана до першого виводу першого резистора і до вхідної клеми, другий вивід першого резистора з'єднано з шиною живлення, а емітер через другий резистор з'єднано з шиною живлення і через розділовий конденсатор з загальною шиною, до якої під'єднана перша база одноперехідного транзистора.
Текст
Напівпровідникова індуктивність, що містить транзистор, перший та другий резистори, шину 3 49747 з шиною живлення 4 і через розділовий конденсатор 7 з загальною шиною 5, перша база одноперехідного транзистора 1 під'єднана до загальної шини 5. Пристрій працює наступним чином. Одноперехідний транзистор 1 представляє собою узагальнений перетворювач імітансу з коефіцієнтом перетворення T 1 0 . Його вихідна провідність Увих. залежить від коефіцієнта перетворення і величини перетвореної ємності розділового конденсатора 7: У вих. j C7 1 0 , При великих Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 значеннях струму емітера 0 1 , тоді реактивна складова вихідної провідності буде дорівнювати: Im У вих. j C7 0 1 0 . Тобто реактивна складова вихідної провідності є індуктивною, а еквівалент індуктивності визначається з формули: 1 . Перший резистор 3 є обмеLвих. 2C 7 0 1 жуючим. Другий резистор 2 використовуються для падіння струму емітера. На шину живлення 4 подається напруга живлення. Загальна шина 5 є заземленням. Вхідна клема 6 є сигнальною. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюSemiconductor inductivity
Автори англійськоюLischynska Liudmyla Bronislavivna, Baraban Mariia Volodymyrivna, Filyniuk Mykola Antonovych
Назва патенту російськоюПолупроводниковая индуктивность
Автори російськоюЛищинская Людмила Брониславовна, Барабан Мария Владимировна, Филинюк Николай Антонович
МПК / Мітки
МПК: G01R 27/28
Мітки: напівпровідникова, індуктивність
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-49747-napivprovidnikova-induktivnist.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Напівпровідникова індуктивність</a>
Попередній патент: Біогазова установка
Наступний патент: Спосіб обробки напівфабрикатів на основі топінамбура високим тиском
Випадковий патент: Спосіб паліативного лікування раку молочної залози