Патенти з міткою «напівпровідникова»
Напівпровідникова гетероструктура
Номер патенту: 66595
Опубліковано: 10.01.2012
Автори: Осінський Володимир Іванович, Демінський Петро Віталійович, Масол Ігор Віталійович, Ляхова Ніна Олегівна
МПК: H01L 33/26
Мітки: гетероструктура, напівпровідникова
Формула / Реферат:
1. Напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар, електричні контакти, яка відрізняється тим, що напівпровідникова гетероструктура виготовлена із нітриду галію (GaN) на підкладці Аl2О3, де між підкладкою (Аl2О3) та шаром нітриду галію (GaN) розташовано наноструктурований в площині підкладки шар карбіду кремнію (SiC) заданої структурної орієнтації (політипу).2. Напівпровідникова гетероструктура, за п. 1, яка...
Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура
Номер патенту: 57157
Опубліковано: 10.02.2011
Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Брус Віктор Васильович
МПК: H01L 33/26
Мітки: гетероструктура, світловипромінююча, напівпровідникова
Формула / Реферат:
Світловипромінююча напівпровідникова гетероструктура, що містить монокристалічний шар фосфіду галію n-типу провідності, епітаксійний шар фосфіду галію n-типу провідності, тиловий та фронтальний електричні контакти, яка відрізняється тим, що на епітаксійний шар фосфіду галію нанесена плівка діоксиду титану n-типу провідності, на якій розташований фронтальний електричний контакт, а тиловий електричний контакт розташований на монокристалічному...
Напівпровідникова індуктивність
Номер патенту: 49747
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Ліщинська Людмила Броніславівна, Філинюк Микола Антонович, Барабан Марія Володимирівна
МПК: G01R 27/28
Мітки: напівпровідникова, індуктивність
Формула / Реферат:
Напівпровідникова індуктивність, що містить транзистор, перший та другий резистори, шину живлення, загальну шину, вхідну клему, яка відрізняється тим, що введено розділовий конденсатор, а як транзистор використано одноперехідний транзистор, друга база якого під'єднана до першого виводу першого резистора і до вхідної клеми, другий вивід першого резистора з'єднано з шиною живлення, а емітер через другий резистор з'єднано з шиною живлення і...
Керована тактовим сигналом напівпровідникова інтегральна схема і спосіб (варіанти) приведення в дію керованої тактовим сигналом напівпровідникової інтегральної схеми
Номер патенту: 57154
Опубліковано: 16.06.2003
Автори: Райнер Роберт, Седлак Хольгер
МПК: G06F 21/00, G06F 1/00, G06F 12/14 ...
Мітки: спосіб, схема, інтегральна, сигналом, керованої, схемі, напівпровідникової, приведення, дію, варіанти, напівпровідникова, інтегральної, керована, тактовим
Формула / Реферат:
1. Напівпровідникова інтегральна схема, що містить певну кількість керованих тактовим сигналом (СІint), здатних виконувати операції як паралельно, так і послідовно, функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), яка відрізняється тим, що вихід схеми формування тактового сигналу (СІint) через керовані перемикальні пристрої (МР1, МР2, МР3, МР4) з'єднаний з тактовими входами функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), керуючі входи перемикальних пристроїв...
Напівпровідникова схема, захищена від зовнішніх впливів
Номер патенту: 56177
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Покрандт Вольфганг, Решмайер Андреас, Целльнер Ангела
МПК: H01L 21/70, H01L 23/52, G06F 21/00 ...
Мітки: захищена, напівпровідникова, схема, зовнішніх, впливів
Формула / Реферат:
1. Напівпровідникова схема, зокрема для застосування в інтегральному модулі, що має такі ознаки:- щонайменше один робочий блок, що містить схему керування і запам'ятовуючий пристрій,- щонайменше один блок ініціалізації для тестування і/або для ініціалізації робочого блока або робочих блоків,- щонайменше один робочий блок з'єднаний через щонайменше одну з'єднувальну лінію з щонайменше одним блоком ініціалізації, яка...