Гетерометалічний комплекс формули [mn(salen)(ch3oh)]2[mn(salen)(ch3oh)2]2[cdi4]2 (salen-депротонований залишок n,n’-біс(саліциліден)-етилендіаміну) як речовина, що має негативну фотопровідність в полімерному композиті

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Гетерометалічний комплекс формули [Mn(Salen)(CH3OH)]2[Mn(Salen)(CH3OH)2]2[CdI4]2 (Salen - депротонований залишок N/N'-біс(саліциліден)етилендіаміну) як речовина, що має негативну фотопровідність в полімерному композиті.

Текст

Гетерометалічний комплекс формули [Mn(Salen)(CH3OH)]2[Mn(Salen)(CH3OH)2]2[CdI4]2 (Salen депротонований залишок N/N'біс(саліциліден)етилендіаміну) як речовина, що має негативну фотопровідність в полімерному композиті. (19) (21) u201015214 (22) 16.12.2010 (24) 11.07.2011 (46) 11.07.2011, Бюл.№ 13, 2011 р. (72) КОКОЗЕЙ ВОЛОДИМИР МИКОЛАЙОВИЧ, ДАВИДЕНКО МИКОЛА ОЛЕКСАНДРОВИЧ, МАХАНЬКОВА ВАЛЕРІЯ ГРИГОРІВНА, ЧИГОРІН ЕДУАРД МИКОЛАЙОВИЧ, СТУДЗИНСЬКИЙ СЕРГІЙ ЛЕОНІДОВИЧ 3 61143 °С протягом 4-х діб. Товщина плівки полімерного композиту складала 2,0-2,2 мкм. Для одержання електричного контакту на поверхню плівки полімерного композиту наносили плівку срібної струмопровідної пасти. Після висихання пасти на поверхні плівки полімерного композиту утворюється срібний електричний контакт. До зразка прикладали електричну напругу і за допомогою запам'ятовуючого осцилографа вимірювали величину густини струму електропровідності (jd0)Потім зразок опромінювали монохроматичним світлом, реєстрували зміну струму до нового стаціонарного значення, виключали світло та вимірювали величину густини струму електропровідності (jd1) в момент виключення світла. Після цього реєстрували релаксаційну зміну струму електропровідності і вимірювали величину характерного часу (tr) релаксації струму електропровідності, при якому величина густини струму відрізняється від jd0 не більш, ніж на 10 %. Величину напруженості елек 4 тричного поля (Е) в плівці полімерного композиту 6 8 змінювали від 1·10 до 1·10 В/м. Опромінювання монохроматичним світлом проводили зі сторони прозорого електроду SnO2:In2O3. В якості джерела світла використовували лампу накалювання із світлофільтрами. На таблиці, для порівняння, наведені характеристики плівок полімерних композитів, що містять комплекс-прототип та новий комплекс. Характеристики плівок полімерних композитів, що містять комплекс-прототип та новий комплекс (jd0 - значення величин густини струму електропровідності до опромінення, jd1 - густина струму в момент виключення світла, jd1/jd0 відношення значень густини струму, tr характерний час релаксації струму електропровідності після вимкнення світла, температура Т = 293 К, інтенсивність світла І - 20 2 Вт/м , довжина хвилі світла Л – 580 нм, тривалість опромінення 3 хв., напруженість електричного поля Е = 4 10 В/м). Таблиця 2 Комплекс [ {Cu(en)2} 3Cd(NCS)6](NCS)2 (прототип) [Mn(salenXCH3OH)]2[Mn(salen)(CH3OH)2]2 [CdI4]2 З одержаних результатів можна зробити висновок, що в плівках полімерних композитів величина струму електропровідності для запропонованого комплексу в 5,5 разів більша, у порівнянні з прототипом. Цей струм більше ніж у двічі зменшується в результаті опромінення світлом у випадку нового комплексу. При цьому характерний час релаксації струму після закінчення Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков jd0 А/м -5 5,1·10 -4 2,8·10 2 jd1 А/м 3,3·10° 8,0·10° jd1/jd0 0,64 0,28 tr, хв. 1,5 18,0 опромінення в 12 разів більший при використанні нового комплексу, у порівнянні з прототипом. Джерела інформації: Давиденко Н. А., Кокозей В. Н., Давиденко И. И., Нестерова О. В., Лопух А. Н., Спицына Н. Г., Лобач А. С. Электро- и фотопроводимость полимерных композитов с гетерополиядерными комплексами переходных металлов. // Химическая физика, 2007, т. 26, №7, С. 90-100. Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Heterometal complex of formula of [mn(salen)(ch3oh)]2[mn(salen)(ch3oh)2]2[cdi4]2 (salen-deprotonated n,n'-bis(salicyliden)-ethylenediamine) residue as substance having negative photoconductivity in polymer composite

Автори англійською

Kokozei Volodymyr Mykolaiovych, Davydenko Mykola Oleksandrovych, Makhankova Valeriia Hryhorivna, Chyhorin Eduard Mykolaiovych, Studzynskyi Serhii Leonidovych

Назва патенту російською

Гетерометаллический комплекс формулы [mn(salen)(ch3oh)]2[mn(salen)(ch3oh)2]2[cdi4]2 (salen-депротонированный остаток n,n'-бис(салицилиден)-этилендиамина) как вещество, имеющее отрицательную фотопроводность в полимерном композите

Автори російською

Кокозей Владимир Николаевич, Давиденко Николай Александрович, Маханькова Валерия Григорьевна, Чигорин Эдуард Николаевич, Студзинский Сергей Леонидович

МПК / Мітки

МПК: C01G 45/00, C01G 11/00

Мітки: mn(salen)(ch3oh)]2[mn(salen)(ch3oh)2]2[cdi4]2, комплекс, гетерометалічний, негативну, n,n'-біс(саліциліден)-етилендіаміну, має, полімерному, залишок, речовина, фотопровідність, salen-депротонований, формули, композити

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-61143-geterometalichnijj-kompleks-formuli-mnsalench3oh2mnsalench3oh22cdi42-salen-deprotonovanijj-zalishok-nn-bissaliciliden-etilendiaminu-yak-rechovina-shho-maeh-negativnu-fotoprovidnist.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Гетерометалічний комплекс формули [mn(salen)(ch3oh)]2[mn(salen)(ch3oh)2]2[cdi4]2 (salen-депротонований залишок n,n’-біс(саліциліден)-етилендіаміну) як речовина, що має негативну фотопровідність в полімерному композиті</a>

Подібні патенти