Спосіб формування кисневої надструктури в імплантованих магнітних плівках
Номер патенту: 62088
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Гарпуль Оксана Зіновіївна, Соловко Ярослав Тарасович
Формула / Реферат
1. Спосіб формування кисневої надструктури в імплантованих магнітних плівках, який полягає в іонній імплантації монокристалічних ферит-гранатових плівок, який відрізняється тим, що вихідний матеріал піддають опроміненню іонами Si+.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування надструктури починається при енергії іонів 150 кеВ та дозі опромінення 5.1013 см-2.
Текст
1. Спосіб формування кисневої надструктури в імплантованих магнітних плівках, який полягає в іонній імплантації монокристалічних феритгранатових плівок, який відрізняється тим, що вихідний матеріал піддають опроміненню іонами + Si . 2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що формування надструктури починається при енергії 13 -2 іонів 150 кеВ та дозі опромінення 5·10 см . (19) (21) u201101013 (22) 31.01.2011 (24) 10.08.2011 (46) 10.08.2011, Бюл.№ 15, 2011 р. (72) ГАРПУЛЬ ОКСАНА ЗІНОВІЇВНА, СОЛОВКО ЯРОСЛАВ ТАРАСОВИЧ (73) ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА 3 62088 Пояснити утворення таких областей можна за проходженням при невисоких температурах процесів коалесценції вакансій, подальшого росту цих скупчень і зливання останніх у більш об'ємні області. Надлишок кисню накопичується в характерних областях 30-50 нм. Таким чином, іонна імплантація важкими іона+ 13 -2 ми Si з енергією 150 кеВ та дозою 5·10 см приводить до формування надструктури із скупченням іонів кисню у характерних областях розмірами 3050 нм. Джерела інформації: Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 1. Грошенко Н.А., Прохоров A.M., Рандошкин В.В. и др. Исследования неоднородности состава висмутсодержащих пленок ферритов-гранатов субмикронных толщин // ФТТ. - 1985. - Т.27, №6. С. 1712-1717. 2. Ющук С.И. Слоистая структура эпитаксиальных пленок железо-иттриевого граната // ЖТФ. 1999. - Т.69, №12. - С. 62-64. 3. Остафийчук Б.К., Олейник В.А., Пылыпив В.М. и др. Кристаллическая и магнитная структура имплантированных слоев монокристаллических пленок железо-иттриевого граната: Препринт / ИМФ; 1-91. - К.: 1991. - 70 с. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for formation of oxidgen superstructure in implant magnet films
Автори англійськоюHarpul Oksana Zinoviivna, Solovko Yaroslav Tarasovych
Назва патенту російськоюСпособ формирования кислородной суперструктуры в имплантированных магнитных пленках
Автори російськоюГарпуль Оксана Зиновьевна, Соловко Ярослав Тарасович
МПК / Мітки
МПК: H01F 10/00, C30B 31/22
Мітки: плівках, формування, спосіб, надструктури, магнітних, кисневої, імплантованих
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-62088-sposib-formuvannya-kisnevo-nadstrukturi-v-implantovanikh-magnitnikh-plivkakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб формування кисневої надструктури в імплантованих магнітних плівках</a>
Попередній патент: Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду
Наступний патент: Спосіб мікроклонального розмноження і адаптації садивного матеріалу гібриду тополі сірої та тополі білої (populus canescens sm. x populus alba l.)
Випадковий патент: Спосіб виготовлення навігаційних шаблонів з напрямними для пілотного встановлення дентальних імплантатів