Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду
Номер патенту: 62087
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Дзундза Богдан Степанович, Харун Лідія Тарасівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Чав'як Іван Ігорович, Юрчишин Ігор Костянтинович
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки SnTe при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (0001) слюди при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп= (420-520) К.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що товщина отриманих наноструктур складає (90-100) нм.
Текст
1. Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду, що включає відкрите випаровування у вакуумі, при якому вихідну речовину випа 3 62087 яка відбувається при товщинах d(90-100)нм і призводить до різкого зростання термоелектричної 2 потужності (S ) (фіг.1). Спосіб конкретного виконання Спосіб отримання наноструктурованих напівпровідникових сполук здійснюють таким чином. В якості наважки використовують синтезовану сполуку SnTe, яку випаровують у відкритому вакуумі при температурі Тв, а при температурі Тп осаджують пару t на підкладки із свіжих сколів по площині (0001) слюди-мусковіт. Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 Температура випаровування сполуки SnTe складає Тв=(970±10) К, температура підкладки Тп=(420-520) К, а товщина осадженого наноматеріалу р-SnTe - (90-100) нм. Перелік фігур креслення На фіг.1 зображено: Залежність термоелект2 ричної потужності S від товщини d для свіжовирощених плівок SnTe. Температура випаровування Тв=(970±10) К, температура осадження (підкла(підкладки) Тп=420-520 К. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod of producing nanostructured telluride stannum
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Dzundza Bohdan Stepanovych, Yurchyshyn Ihor Kostiantynvych, Chaviak Ivan Ihorovych, Harun Lidiia Tarasivna
Назва патенту російськоюСпособ получения наноструктурированного станум теллурида
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Юрчишин Игорь Константинович, Чавьяк Иван Игоревич, Харун Лидия Тарасовна
МПК / Мітки
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктурованого, спосіб, телуриду, отримання, станум
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-62087-sposib-otrimannya-nanostrukturovanogo-stanum-teluridu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання наноструктурованого станум телуриду</a>
Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках ксі
Номер патенту: 54832
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Харун Лідія Тарасівна, Юрчишин Ігор Костянтинович, Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: C23C 14/24
Мітки: ксі, спосіб, свинцю, підкладках, наноструктурованого, телуриду, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання наноструктурованого телуриду свинцю на підкладках КС1, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на підкладку (001) КС1 при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв=(700±10) °С, температура підкладки - Tп=(270±5) °С.2....
Спосіб отримання наноструктурованого pbte на поліаміді
Номер патенту: 54834
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: поліаміді, спосіб, отримання, наноструктурованого
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктурованого РbТе на поліаміді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки РbТе при температурі випаровування наважки Тв, осаджують на поліамідну підкладку при температурі Тп протягом певного часу t, який відрізняється тим, що температура випарника становить Тв = (700±10) °С, температура підкладки - Тп = (120-160) °С, час осадження t =...
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Номер патенту: 62086
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Соколов Олександр Леонідович, Потяк Володимир Юрійович
МПК: B82B 3/00
Мітки: спосіб, багатошарових, наноструктур, отримання, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...
Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю
Номер патенту: 46030
Опубліковано: 10.12.2009
Автори: Чав'як Іван Ігорович, Ліщинський Ігор Мирославович, Никируй Ростислав Іванович, Бачук Василь Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: B82B 1/00, H01F 41/00
Мітки: свинцю, квантово-розмірних, телуриду, спосіб, структур, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання квантово-розмірних структур телуриду свинцю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, у якому вихідну речовину випаровують із наперед синтезованої сполуки AIVBVI при температурі випаровування наважки ТВ, осаджують на підкладки при температурі ТП протягом певного часу t, який відрізняється тим, що як підкладку вибирають попередньо окислені монокристали кремнію SiО2-Si.2. Спосіб за п. 1, який...
Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню
Номер патенту: 50129
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Андрій Дмитрович, Рувінський Борис Маркович, Довгий Олег Ярославович, Павлюк Любомир Ростиславович
МПК: C30B 11/02
Мітки: плівок, спосіб, атмосфери, великими, водню, отримання, свинцю, телуриду, рухливостями
Формула / Реферат:
Спосіб отримання плівок телуриду свинцю із великими рухливостями в атмосфері водню, який полягає в тому, що плівки вирощують методом квазізамкнутого об'єму шляхом випаровування наперед синтезованої речовини і осадження пари на нагріті підкладки із слюди, який відрізняється тим, що плівки РbТе вирощують в атмосфері водню при тиску P(H2)=10-2-10 Па, температура випаровування наважки складає Тв=700-1100К, температура осадження плівок -...
Попередній патент: Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Наступний патент: Спосіб формування кисневої надструктури в імплантованих магнітних плівках
Випадковий патент: Спосіб управління вентиляційною установкою