Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора

Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора, що включає інтеркалювання шаруватого напівпровідника селеніду галію (GaSe) сегнетоелектричним матеріалом, який відрізняється тим, що інтеркалювання шаруватого напівпровідника GaSe проводять шляхом впровадження в двовимірні (2D) міжшарові Ван-дер-Ваальсівські щілини тривимірних (3D) нанорозмірних включень з розплаву сегнетоелектричного матеріалу KNO3 при температурі від 329 до 339 °С протягом 5-10 хв. (19) (21) a200911618 (22) 13.11.2009 (24) 25.01.2012 (46) 25.01.2012, Бюл.№ 2, 2012 р. (72) КОВАЛЮК ЗАХАР ДМИТРОВИЧ, КОНОПЛЯНКО ДЕНИС ЮРІЙОВИЧ, НЕТЯГА ВІКТОР ВАСИЛЬОВИЧ, БАХТІНОВ АНАТОЛІЙ ПЕТРОВИЧ (73) ЧЕРНІВЕЦЬКЕ ВІДДІЛЕННЯ ІНСТИТУТУ ПРОБЛЕМ МАТЕРІАЛОЗНАВСТВА НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ (56) UA 53699 C2, 17.02.2003 UA 68477 A, 16.08.2004 SU 368659, 24.04.1973 RU 2084036 C1, 10.07.1997 3 інтеркаляції в міжшарових просторах вихідної матриці шаруватого кристалу GaSe. Завдяки такому способу вдалося збільшити, на відміну від прототипу, більш ніж у 10 разів питому ємність. Приклад конкретного виконання Монокристали GaSe вирощувалися по методу Бріджмена по стереометричному складу компонентів. Зі зливків отриманих монокристалів механічним сколюванням вздовж шарів відокремлювалися пластинки розміром 2х2х0,2 мм. Отриманий зразок поміщався у порцелянову комірку з розплавом солі КNО3 при температурі 329-339 °С. Тривалість процесу експонування складала 5-10 хв. На отриманий зразок з двох сторін на протилежних гранях, співпадаючих з кристалографічними площинами сколу наносились індієві струмовідводи. По завершенні отримані зразки герметизували з усіх сторін компаундом. Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 97269 4 Виготовлені таким способом конденсатори мають питому ємність Сп=0,51Ф/г та робочу напругу U 5  16 В. Таким чином запропонований спосіб виготовлення інтеркаляційних фільтрових наноконденсаторів дозволяє значно збільшити питому ємність всіх відомих в наш час конденсаторів, а також забезпечує можливість значного зменшення їх геометричних розмірів. Крім того, слід відмітити, що запропонований винахід може бути розглянутий як такий, що відкриває новий напрямок у конденсаторобудуванні. Джерела інформації: 1. S. Krohus, P. Lunkenheimer, Ch Kat A,V. Pronin, H.B. Brom, A.A. Nugroho, M. Dian-toro, A. Loidl. Colossal dielectric constant up to GHz at room temperature// препринт arXiv.0811.155b (24 november 2008). Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601