Нетяга Віктор Васильович

Номер патенту: 116894

Опубліковано: 12.06.2017

Автори: Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Ковалюк Захар Дмитрович, Кудринський Захар Русланович

МПК: H01L 21/288, B82B 3/00

Мітки: виготовлення, нанокомпозитних, напівпровідників, іонних, основі, іонотронних, а3в6, матеріалів, шаруватих, солей, наночастинок, спосіб, мек, мeno3

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення іонотронних нанокомпозитних матеріалів на основі 2D наночастинок шаруватих напівпровідників А3В6 і іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs), що ґрунтується на методі впровадження розплавів цих солей у міжшаровий простір об'ємних (3D) монокристалів А3В6, який відрізняється тим, що процес впровадження розплавів іонних солей MeNО3 (Me=K, Na, Rb, Cs) в кристали А3В6 проводять при значеннях температури, які перевищують значення...

Номер патенту: 110751

Опубліковано: 10.02.2016

Автори: Кудринський Захар Русланович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович

МПК: H01L 31/08, H01L 31/112, H01L 31/053 ...

Мітки: напівпровідниковий, гібридний, фотоперетворювач, наноіонний

Формула / Реферат:

Гібридний напівпровідниковий наноіонний фотоперетворювач, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою тверду...

Номер патенту: 109832

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 9/15, H01G 4/06

Мітки: конденсатора, виготовлення, наноіонного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним...

Номер патенту: 104430

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 11/00, H01L 27/00, H01G 4/00 ...

Мітки: конденсатор, високочастотний, спіновий

Формула / Реферат:

Високочастотний спіновий конденсатор, що містить послідовно розташовані шар феромагнітного металу, шар напівпровідника n-типу провідності з нанорозмірною сильнолегованою областю на границі розділу між цим напівпровідником і феромагнітним металом, а також напівпровідниковий матеріал p-типу провідності, який відрізняється тим, що як напівпровідниковий матеріал p-типу провідності беруть нанокомпозитний матеріал, який...

Номер патенту: 104013

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: C23C 14/28, C23C 14/54, C23C 14/58 ...

Мітки: оболонки, спосіб, нікелю, виготовлення, наночастинок, закапсульованих, вуглецеві

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення закапсульованих в вуглецеві оболонки наночастинок нікелю, що включає в себе випаровування матеріалу, який складається з суміші вуглецю і нікелю, електронним пучком в вакуумі, який відрізняється тим, що матеріал, який складається з суміші графіту і нікелю, нагрівають електронним пучком в вакуумі до температури, величина якої перевищує температуру плавлення нікелю (1455 °C), і витримують при цій температурі протягом...

Номер патенту: 103848

Опубліковано: 25.11.2013

Автори: Кудринський Захар Русланович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 4/00

Мітки: енергії, накопичувач, електричної, нанокомпозитний

Формула / Реферат:

Нанокомпозитний накопичувач електричної енергії, що містить матрицю шаруватого напівпровідника селеніду галію (GaSe) з інтеркальованими нанорозмірними включеннями, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використовують сполуку нітрату рубідію (RbNO3).

Номер патенту: 99859

Опубліковано: 10.10.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Бахтінов Анатолій Петрович, Коноплянко Денис Юрійович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 9/20, H01G 7/00, H01L 29/15 ...

Мітки: фотоконденсатор, нанокомпозитний

Формула / Реферат:

Нанокомпозитний фотоконденсатор, що містить прозорий для оптичного випромінювання фронтальний шар металу, фоточутливий напівпровідниковий матеріал з шаруватою кристалічною структурою і розташовані на металевому шарі і на напівпровідниковому матеріалі контактні електроди, який відрізняється тим, що як фоточутливий напівпровідниковий матеріал використовується нанокомпозитний матеріал, який являє собою напівпровідникову матрицю селеніду галію з...

Номер патенту: 97301

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Коноплянко Денис Юрійович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 4/06

Мітки: конденсатор, інтеркаляційний, накопичувальний

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний накопичувальний конденсатор, який складається з шарів монокристала селеніду галію із включеннями інтеркалянту, які знаходяться у Ван-дер-ваальсових щілинах цього кристала, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3, який впроваджений в міжшарові щілини селеніду галію в розплавленому стані.

Номер патенту: 97269

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Ковалюк Захар Дмитрович, Коноплянко Денис Юрійович, Бахтінов Анатолій Петрович, Нетяга Віктор Васильович

МПК: H01G 4/06

Мітки: конденсатора, виготовлення, фільтрового, спосіб, інтеркаляційного

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення інтеркаляційного фільтрового конденсатора, що включає інтеркалювання шаруватого напівпровідника селеніду галію (GaSe) сегнетоелектричним матеріалом, який відрізняється тим, що інтеркалювання шаруватого напівпровідника GaSe проводять шляхом впровадження в двовимірні (2D) міжшарові Ван-дер-Ваальсівські щілини тривимірних (3D) нанорозмірних включень з розплаву сегнетоелектричного матеріалу KNO3 при температурі від 329 до 339...

Номер патенту: 97268

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Коноплянко Денис Юрійович, Бахтінов Анатолій Петрович, Ковалюк Захар Дмитрович

МПК: H01G 4/06

Мітки: інтеркаляційний, фільтровий, конденсатор

Формула / Реферат:

Інтеркаляційний фільтровий конденсатор, що містить шаруватий монокристал селенід галію та включення інтеркалянту в міжшарових Ван-дер-Ваальсівських щілинах монокристала селеніду галію, який відрізняється тим, що як інтеркалянт використаний сегнетоелектричний матеріал KNO3 в формі тривимірних (3D) нанорозмірних включень.