Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів

Реферат: Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази. На металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури плавлення дотичних металів. При цьому нові хімічні з'єднання осаджують в карманах, які виконані в дотичних поверхнях. UA 116091 U (54) СПОСІБ ОТРИМАННЯ НОВИХ РЕЧОВИН З ВИХІДНИХ ПРОДУКТІВ UA 116091 U UA 116091 U 5 10 15 20 25 30 35 Корисна модель належить до галузі металургії, а саме до матеріалознавства й може знайти застосування при отриманні широкого спектру нових продуктів з вихідних матеріалів. Відомий сублімаційний спосіб вирощування монокристалів карбіду кремнію [Пат. 2094547 Российская Федерация, МПК С30В23/00, С30В29/36. Сублимационный способ выращивания монокристаллов карбида кремния и источник карбида кремния для осуществления способа. / Водаков Ю.А., Мохов Е.Н., Рамм М.Г., Роенков АД., Макаров ЮН., Карпов С.Ю., Рамм М.С, Темкин Л.И. - № 96101450/25; заявл. 22.01.1996; опубл. 27.10.1997]. Відомий також спосіб епітаксіального вирощування карбіду кремнію, вибраний нами як прототип, який полягає у хімічному осадженні з парової фази на ростові поверхні підкладки в реакторі горизонтального типу, подачу в камеру реактора газоподібних реагентів, що вміщують відповідно кремній і вуглець, нагрівання стінок камери до температури в інтервалі 1800-2500 °C і нагрівання підкладки, при цьому реагент, який вміщує кремній і вуглець подають в камеру окремо й змішують безпосередньо в зоні ростової поверхні підкладки [Пат. 2162117 Российская 7 Федерация, МПК С30В25/02, С30В29/36, С30В25/14. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления. / Макаров Ю.Н. - № 991018116/12; заявл. 21.01.1999; опубл. 21.01.1999]. Загальними суттєвими ознаками відомого способу й того, що заявляється, є подача інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази. Недоліками відомого способу складність його виконання. В основу корисної моделі поставлена задача вдосконалення відомого способу для можливості отримання широкого спектра хімічних з'єднань. Поставлена задача вирішується тим, що на металеві поверхні оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наноситься суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближуються до дотику, пропускається імпульсний електричний струму, поверхні нагріваються до температури не вище температури плавлення дотичних металів, при цьому нові хімічні з'єднання осаджуються в карманах, які виконані в дотичних поверхнях. Приклад здійснення способу. На металеві поверхні розташовані паралельно одна одній, в яких були виконані кармани, наносили пасту, що вміщує бор аморфний (10…30 %), решта епоксидна смола. Зближували поверхні до дотику. Пропускали імпульсний електричний струм. Металеві поверхні нагрівалися. Новий продукт (матеріал) осідав в карманах, виконаних в металевих пластинах. Отриманий матеріал мав коричневий колір і високу твердість, яка перевищувала твердість скла. Це був карбід бору. Застосування пропонованого способу дозволяє отримувати широкий спектр нових хімічних з'єднань з новими властивостями. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 40 45 Спосіб отримання нових речовин з вихідних продуктів, що включає подачу інгредієнтів, нагрівання та осадження інгредієнтів з парової фази, який відрізняється тим, що на металеві поверхні, оброблені з шорсткістю 25…3,2 мкм, розташовані паралельно одна напроти одної, наносять суміш вихідних продуктів у вигляді пасти, поверхні зближують до дотику, пропускають імпульсний електричний струм, поверхні нагрівають до температури не вище температури плавлення дотичних металів, при цьому нові хімічні з'єднання осаджують в карманах, які виконані в дотичних поверхнях. Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Василя Липківського, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут інтелектуальної власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1