Багатошарова біполярна іонообмінна мембрана

Багатошарова біполярна іонообмінна мембрана, виготовлена з двох монополярних катіонота аніонообмінних шарів, яка відрізняється тим, що між двома монополярними катіоно- та аніонообмінними мембранами введено проміжний шар з суміші катіоніту та аніоніту. (19) (21) u200512426 (22) 23.12.2005 (24) 15.06.2006 (46) 15.06.2006, Бюл. № 6, 2006 р. (72) Михайленко Володимир Григорович, Любавіна Олена Олександрівна, Юр'єв Микола Спіридонович 3 15164 матиме таку ж селективність, як і МБ-2, але набагато більшу електропровідність. Тобто у запропонованій корисній моделі (мембрана АСКП в табл.1) зменшення U та збільшення виходу кислоти та лугу у порівнянні з мембраною МБ-2 досягнуто за рахунок збільшення поверхні плівки глибоко обезсоленої води, в якій відбувається генерація іонів H+ та ОН-. Мембрану АСКП виготовлено шляхом спресовування за температури (120±10)°С монополярних шарів МК-40 та МА-41, а також проміжного шару, отриманого шляхом гарячого вальцювання суміші 4 (1,25 : 1) аніоніта АВ-17 та катіоніта КУ-2 з додаванням до цієї суміші 40% поліетилену або іншого термопластичного полімеру. Мембрана АСКП поєднує високий вихід за струмом кислоти та лугу з низькою напругою U. Частку термопластичного полімеру (приблизно 40%) достатньо ретельно підібрано з міркувань задовільних механічних характеристик мембрани, а зміна співвідношення компонентів суміші іонітів А/К в той чи інший бік веде до відповідного збільшення U (Фіг.3). Таблиця 1 Склад та електрохімічні характеристики біполярних мембран Показник Тип монополярних мембран Функціональні групи іонітів Вихід за струмом: кислоти, % лугу, % Падіння напруги U, В МБ-1 МК-40 МА-40 -SO3H -NR3 = NH = N 82 88 12,7 МБ-2 МК-40 MA-41 -SO2Н -N(CH3)3 94 96 12,9 МБ-3 MK-41 MA-41 -РО3Н -N(CH3)3 80 83 1,22 МБ-4 MK-41 MA-43 -РО3Н -C5H4-NCH3 82 84 1,91 МБ-5 МК-42 MA-41 -СООН -N(CH3)3 63 72 1,03 АСКП МК-40 MA-41 -SO3Н -М(СН3)3 96 98 2,02 Прим. Вимірювання проведені під час конверсії 0,5н NaCl у 0,5н NaOH та НСl з мембранами МК-40 та MA-41 при густині струму 0,6А/дм . 5 Комп’ютерна верстка Д. Шеверун 15164 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601