Кріоелектронний регістр зсуву

1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку, надпровідний шар, розта 3 36419 заглиблення 3 і вверх за нахилом його зуба вздовж каналу просування (фіг 4 додатку, пунктир), у кінці якого вихор займає біт-позицію 6. За два полукроки просування магнітний вихор зсувається на крок у каналі просування, а до початкової біт-позиції може бути введений черговий магнітний вихор. При подачі завданого числа пар імпульсів магнітний вихор зсунеться на таку саму кількість кроків. Якщо перед черговим імпульсом не вводити магнітний вихор, то утворюється вакансія. Чергування зайнятих біт-позицій і вакансій зберігається при просування, що дозволяє використовувати їх для запису інформації по принципу, приймаючи, наприклад, зайняту позицію за „1”, а вакансію - „0”. Основним недоліком відомого пристрою є складність виконання фігурної канавки на поверхні відносно тонкого надпровідного шару і утруднення зчитування магнітного вихра, верхній полюс якого заглиблений у цій канавці. Задачею корисної моделі є створення кріоелектронного регістра зсуву, який забезпечує підвищену надійність зчитування за рахунок спрощення конструкції. Для досягнення вказаної задачі у кріоелектронному регістрі зсуву, що містить діелектричну підкладку, надпровідний шар, розташований на поверхні діелектричної підкладки, і канал просування магнітних вихрів у пониженні товщини шару, згідно корисної моделі, на поверхні підкладки вздовж каналу просування утворений виступ, на бокових стінках якого виконані зубці, при чому зубці на першій стінці виступ у на половину довжини зуба. Крім того, висота виступу підкладки становить 10-50% товщини надпровідного шару. Заявлений пристрій наведений на Фіг.1, 2, 3. На Фіг.1 наведена частина кріоелектронного регістра зсуву MB; на Фіг.2 розріз по А-А на Фіг.1, на Фіг.3 - графік зміни у часі струму просування. Кріоелектронний регістр зсуву містить діелектричну підкладку 1 з виступом 2 на її поверхні, на бокових стінках якого виконані зубці, при цьому зубці на першій боковій стінці виступу на половину довжини зуба і надпровідний шар 3, нанесений на підкладку так, що зниження його товщини над виступом 2 підкладки утворює канал просування, в якому розміщуються магнітні вихри. Стр умопроводи підключені до шару 3 на початку і у кінці каналу 4 просування. Генератори вихрів на вході до каналу і детектори вихрів на виході із нього умовно не показані. Пристрій працює наступним чином. У початковий момент шар 3 знаходиться у надпровідному стані без вихрів. Встановлюють початковий напрям струму (Фіг.3, ділянка 1-2) і вводять черговий магнітний вихор до початку каналу, де він зсувається струмом на край виступу підкладки і займає найближчу біт-позицію 4 біля початкової стінки. Подають імпульс струму зворотної полярності (Фіг.3, ділянка 3-4) у шар 3, за рахунок чого виникає сила Лоренца, яка змішує вихор поперек виступу 2 і вверх по нахилу його зуба вздовж каналу просування (Фіг.1, суцільна лінія), здійснюючи полу крок просування, у кінці якого вихор займе проміжну біт-позицію 5 біля другої стінки каналу. Подають у шар 3 імпульс струму початкового напрямку (фіг.3, ділянка 5-6) і повторюють такий процес біля виступу початкової стінки, здійснюючи другий полу крок (Фіг.1, пунктир), у кінці якого вихор виявляється просунутим на один крок у бітпозицію 6. При подачі заданої кількості пар імпульсів магнітний вихор зсунеться на таку саму кількість кроків. Якщо перед черговим імпульсом на вводити магнітний вихор, то виявляється вакансія. Чергування зайнятих біт-позицій і вакансій зберігається при просуванні, що дозволяє використовувати їх для запису інформації за принципом, приймаючи, наприклад зайняту позицію за „1", а вакансію - за „0". Рівна (гладка) вільна поверхня надпровідної плівки, дозволяє максимально наблизити верхній полюс магнітного вихра до зчитувального пристрою, наприклад, квантового інтерферометру (СКВІДу), що полегшує зчитування і підвищує його надійність. Вибір висоти виступу не менш 10% товщини шару викликає невпевненість у закріплені вихра, а більш 50% - не економічно. Приклад конкретного виконання: На кварцовій підкладці товщиною 100мкм, з протяжним виступом висотою 0,5мкм і шириною 2мкм, нанесений шар високотемпературного надпровідника складу YBACuO товщиною 2мкм. Діаметр магнітного вихра 400нм, довжина - 2мкм, швидкість переміщення до 105см/сек., частота імпульсів струм у 500МГц. 5 Комп’ютерна в ерстка Н. Лисенко 36419 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601