G11C 11/00 — Цифрові запам’ятовуючі пристрої, що відрізняються застосуванням різних електричних або магнітних елементів пам’яті; елементи пам’яті для них
Спосіб створення комірки магнітної пам’яті
Номер патенту: 105875
Опубліковано: 25.06.2014
Автори: Погорєлов Євген Олександрович, Погорелов Олександр Євгенович, Філатов Олександр Валентинович, Храновська Катерина Миколаївна
МПК: G11C 11/00, G11C 5/00, G11B 5/62 ...
Мітки: комірки, магнітної, створення, спосіб, пам'яті
Формула / Реферат:
Спосіб створення комірки магнітної пам'яті, що включає формування структури з магнітним тунельним переходом (MTJ-структуру), який відрізняється тим, що формують структуру послідовним нанесенням шарів феромагнітного матеріалу, між якими напилюють шар діелектрика у середовищі, з якого він насичується легуючими елементами, що утворюють в забороненій енергетичній зоні діелектрика додаткові енергетичні зони провідності.
Спосіб створення джерела спін-поляризованих електронів
Номер патенту: 86869
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Білоголовський Михайло Олександрович, Шаповалов Андрій Петрович, Хачатурова Тетяна Олександрівна, Василенко Олександр Валентинович
МПК: G11C 11/00
Мітки: спін-поляризованих, джерела, створення, спосіб, електронів
Формула / Реферат:
Спосіб створення джерела спін-поляризованих електронів, що включає послідовне нанесення на феромагнітний металевий інжектор спін-поляризованих електронів спочатку - фільтра спін-поляризованих електронів, потім - прошарку надтонкої плівки діелектрику та, нарешті - металевого детектора спін-поляризованих електронів, який відрізняється тим, що фільтр спін-поляризованих електронів виготовляють нанесенням на інжектор послідовно прошарку надтонкої...
Спосіб створення комірки магнітної пам’яті
Номер патенту: 85338
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Філатов Олександр Валентинович, Погорелов Олександр Євгенович, Погорєлов Євген Олександрович, Храновська Катерина Миколаївна
МПК: G11C 11/00, G11C 5/00, G11B 5/00 ...
Мітки: магнітної, створення, пам'яті, комірки, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб створення комірки магнітної пам'яті шляхом формування системи, що включає основну структуру (MTJ-структуру), який відрізняється тим, що основну структуру формують так, що вона має вольт-амперну характеристику (ВАХ) з від'ємним диференційним опором.
Спосіб формування рівноважної спіральної доменної структури в магнітоодновісній плівці
Номер патенту: 71676
Опубліковано: 25.07.2012
Автори: Сірюк Юлія Андріївна, Мамалуй Юлія Олександрівна, Смірнов Віталій Валерійович
МПК: G11C 11/00
Мітки: формування, доменної, структури, спірально, рівноважної, магнітоодновісній, спосіб, плівці
Формула / Реферат:
Спосіб формування рівноважної спіральної доменної структури в магнітоодновісній плівці, що включає створення спіральної доменної структури шляхом дії на магнітоодновісну плівку послідовності імпульсів магнітного поля, спрямованого колінеарно осі легкого намагнічування плівки, який відрізняється тим, що на створену ґратку циліндричних магнітних доменів діють імпульсами магнітного поля протягом 10 хвилин до одержання гантелевидних доменів як...
Спосіб виготовлення кольорового електрохромного оптичного елемента
Номер патенту: 57580
Опубліковано: 10.03.2011
Автори: Фечан Андрій Васильович, Микитюк Зіновій Матвійович, Сушинський Орест Євгенович, Левенець Василь Володимирович, Аксіментьєва Олена Ігорівна
МПК: G11B 11/00, G11C 11/00, G11C 13/00 ...
Мітки: оптичного, спосіб, кольорового, виготовлення, електрохромного, елемента
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення кольорового електрохромного оптичного елемента, згідно з яким на обидві скляні пластини із внутрішньої сторони послідовно наносять провідні шари, а на одну із пластин наносять наноструктурований шар, в який вводять електрохромний матеріал, а простір між пластинами, товщину якого задають спейсерами, заповнюють рідким електролітом і герметизують, який відрізняється тим, що одну провідну пластину з наноструктурованим шаром...
Кріоелектронний регістр зсуву
Номер патенту: 36419
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Пермяков Віталій Васильович, Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович
МПК: G11C 11/00
Мітки: регістр, зсуву, кріоелектронний
Формула / Реферат:
1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку, надпровідний шар, розташований на поверхні діелектричної підкладки, і канал просування магнітних вихрів у пониженні товщини шару, який відрізняється тим, що на поверхні підкладки вздовж каналу просування створений виступ, на бокових стінках якого виконані зубці, при цьому зубці на першій боковій стінці виступу зсунуті відносно зубців на другій боковій стінці виступу на...
Кріоелектронний регістр зсуву
Номер патенту: 36418
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович, Шатернік Володимир Євгенович
МПК: G11C 11/00
Мітки: зсуву, кріоелектронний, регістр
Формула / Реферат:
1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку і, розміщений на її поверхні, надпровідний шар з поглибленням (каналом просування), на бічних стінках якого виконані зуби, причому зуби на першій бічній стінці поглиблення зрушені відносно зубів на другій бічній стінці поглиблення на половину довжини зуба, а донна частина поглиблення в одній зі стінок виконана з товщиною шару, не більшою ніж 20 % від товщини усього...
Спосіб отримання наноструктурованого електрохромного матеріалу
Номер патенту: 28742
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Микитюк Зеновій Матвійович, Фечан Андрій Васильович, Польовий Дмитро Олександрович, Аксіментьєва Олена Ігорівна
МПК: G11B 11/00, G11C 11/00, G11C 13/04 ...
Мітки: матеріалу, електрохромного, отримання, спосіб, наноструктурованого
Формула / Реферат:
Спосіб отримання наноструктурованого електрохромного матеріалу шляхом іммобілізації електрохромної речовини у плівці діоксиду титану, отриманої розпиленням колоїдного розчину ТіО2 на поверхні оптично-прозорого електрода і прогрітої при температурі 450 °С протягом 30 хвилин, який відрізняється тим, що іммобілізацію здійснюють електрохімічною полімеризацією аміноарену при густині струму 0,1-0,25 мА/см2.
Просторовий запам’ятовуючий пристрій і спосіб запису та зчитування інформації у просторовому запам’ятовуючому пристрої
Номер патенту: 78962
Опубліковано: 25.04.2007
Автор: ЗАРВАНИЦЬКИЙ Юрій Богданович
МПК: G11C 11/00, G11C 11/22, G11C 11/21 ...
Мітки: просторовий, просторовому, зчитування, пристрій, інформації, запам'ятовуючий, пристрої, спосіб, запам'ятовуючому, запису
Формула / Реферат:
1. Просторовий запам'ятовуючий пристрій, що містить запам'ятовуючі комірки, адресні шини, інформаційні шини, а також пристрої керування і адресації, який відрізняється тим, що запам'ятовуючі комірки утворюють просторову решітчасту структуру з довільною кількістю комірок вздовж кожної шини решітчастої структури, кожна запам'ятовуюча комірка виконана у вигляді просторового вузла, в якому не менше трьох шин, орієнтованих в просторі у різних...
Валіза оперативна
Номер патенту: 57530
Опубліковано: 16.06.2003
Автор: Воронов Ігор Олександрович
МПК: A45C 13/00, G11C 11/00
Мітки: валіза, оперативна
Формула / Реферат:
1. Валіза оперативна, що містить корпус з закріпленими у ньому з можливістю відокремлення засобами для збору оперативної інформації та фотографічний пристрій, яка відрізняється тим, що як засоби для збору оперативної інформації використовують пристосування для зчитування і фіксування електронної інформації, оснащене засобом для можливості підключення до пристрою, що містить таку інформацію.2. Валіза за п. 1, яка відрізняється тим, що...
Багатопортова пам’ять
Номер патенту: 23358
Опубліковано: 31.08.1998
Автори: Рашкевич Юрій Михайлович, Демида Богдан Адамович, Цмоць Іван Григорович
МПК: G11C 11/00
Мітки: багатопортова, пам'ять
Формула / Реферат:
Багатопортова пам'ять, яка містить модуль пам'яті, n шин даних, де n - кількість портів, до яких підключаються зовнішні пристрої, n інтерфейсних модулів, кожний з яких містить вхідний і вихідний регістри даних та лічильник адреси, при цьому в кожному І-ому інтерфейсному модулі, де i=1,...,n, інтерфейсний вхід вихідного регістра даних є І-ою шиною даних багатопортової пам'яті, яка відрізняється тим, що додатково містить n входів запису даних,...