Шатернік Володимир Євгенович

Номер патенту: 114924

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Шаповалов Андрій Петрович, Шатернік Володимир Євгенович, Пріхна Тетяна Олексіївна

МПК: H01L 39/22

Мітки: гібридного, транспортом, заряду, бар'єри, тунельного, квантові, переходу, створення, спосіб, точки

Формула / Реферат:

Спосіб створення гібридного тунельного переходу, що включає створення на діелектричній підкладці металевої плівки нижнього електрода шару першого бар'єру із ізолятора певної товщини (h1~0¸10 нм), шару матеріалу, що забезпечує транспорт заряду в бар'єрі через квантові точки, шару другого бар'єру та верхнього електрода, який відрізняється тим, що шар матеріалу, що забезпечує транспорт заряду в бар'єрі через квантові точки, виконують як...

Номер патенту: 104982

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Пріхна Тетяна Олексіївна, Шатернік Антон Володимирович, Шатернік Володимир Євгенович, Новіков Микола Васильович, Шаповалов Андрій Петрович

МПК: H01L 39/22

Мітки: спосіб, створення, джозефсона, переходу

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, шару бар'єра у вигляді аморфної напівпровідникової плівки кремнію, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту...

Номер патенту: 86442

Опубліковано: 25.12.2013

Автори: Шаповалов Андрій Петрович, Шатернік Володимир Євгенович, Новіков Микола Васильович, Шатернік Антон Володимирович, Пріхна Тетяна Олексіївна

МПК: H01L 39/22, H01L 39/00

Мітки: джозефсона, переходу, спосіб, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення переходу Джозефсона, що включає послідовне нанесення на діелектричну підкладку надпровідникової плівки нижнього електрода, який відрізняється тим, що шар бар'єра наноситься у вигляді напівпровідникової плівки товщиною 5-50 нм, з одночасним легуванням шару бар'єра атомами металів перехідної групи до виникнення в ньому резонансно-перколяційного транспорту заряду, а як матеріал верхнього електрода використовують...

Номер патенту: 73331

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович, Мірошніков Анатолій Миколайович, Горб Василь Миколайович

МПК: H01L 39/22

Мітки: джозефсона, надпровідникового, елемент, переходу

Формула / Реферат:

Елемент надпровідникового переходу Джозефсона, що включає нижній електрод, утворений шаром надпровідника, шар бар'єра, верхній електрод, утворений надпровідником, який відрізняється тим, що на нижньому електроді розташовано феромагнітний нижній електрод, утворений шаром феромагнетика, що лежить на нижньому електроді, нижній шар бар'єра, утворений частиною поверхні феромагнітного нижнього електроду, шар надпровідника, що лежить на нижньому...

Номер патенту: 40992

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович, Пермяков Віталій Васильович

МПК: G01R 33/02, G01B 7/00

Мітки: тришарових, базі, надпровідниковий, кубіт, гетероструктур

Формула / Реферат:

Надпровідниковий кубіт, що містить діелектричну підкладку, на якій розташовано надпровідну петлю, який відрізняється тим, що до надпровідної петлі додатково введено принаймні одну тришарову гетероструктуру, що містить нижній шар надпровідника, неоднорідний тонкоплівковий діелектричний бар'єр із оптимізованою функцією розподілу прозоростей в ньому, а також верхній шар надпровідника, перший вивід надпровідної петлі приєднаний до нижнього шару...

Номер патенту: 36419

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Пермяков Віталій Васильович, Шатернік Володимир Євгенович, Ларкін Сергій Юрійович

МПК: G11C 11/00

Мітки: зсуву, кріоелектронний, регістр

Формула / Реферат:

1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку, надпровідний шар, розташований на поверхні діелектричної підкладки, і канал просування магнітних вихрів у пониженні товщини шару, який відрізняється тим, що на поверхні підкладки вздовж каналу просування створений виступ, на бокових стінках якого виконані зубці, при цьому зубці на першій боковій стінці виступу зсунуті відносно зубців на другій боковій стінці виступу на...

Номер патенту: 36418

Опубліковано: 27.10.2008

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Шатернік Володимир Євгенович, Пермяков Віталій Васильович

МПК: G11C 11/00

Мітки: регістр, кріоелектронний, зсуву

Формула / Реферат:

1. Кріоелектронний регістр зсуву, що містить діелектричну підкладку і, розміщений на її поверхні, надпровідний шар з поглибленням (каналом просування), на бічних стінках якого виконані зуби, причому зуби на першій бічній стінці поглиблення зрушені відносно зубів на другій бічній стінці поглиблення на половину довжини зуба, а донна частина поглиблення в одній зі стінок виконана з товщиною шару, не більшою ніж 20 % від товщини усього...

Номер патенту: 23680

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: надпровідниковий, вентиль, ланцюжковий

Формула / Реферат:

Надпровідниковий ланцюжковий вентиль, що містить діелектричну підкладку, на яку послідовно нанесені шар надпровідника, шар діелектрика, на якому розміщений П-подібної форми ланцюжок послідовно з'єднаних переходів Джозефсона, на один край якого нанесена плівка діелектрика, на яку послідовно нанесені плівка магнітожорсткого феромагнетика, плівка діелектрика, плівка магнітом'якого феромагнетика, плівка діелектрика, і над якими розташована смужка...

Номер патенту: 22453

Опубліковано: 25.04.2007

Автор: Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: ефектом, перехід, надпровідності, джозефсона, надслабкої

Формула / Реферат:

Перехід Джозефсона з ефектом надслабкої надпровідності, що містить підкладку, на якій знаходяться перший та другий надпровідні шари, розділені шаром діелектрика, який відрізняється тим, що підкладка є пластиною із кремнію, на який нанесений шар діелектрика, причому перший шар надпровідника має на поверхні тонкий шар товщиною в кілька атомних шарів з істотно заглушеною надпровідністю.

Номер патенту: 2358

Опубліковано: 16.02.2004

Автор: Шатернік Володимир Євгенович

МПК: H01L 39/22

Мітки: вентиль, надпровідниковий

Формула / Реферат:

Надпровідниковий вентиль, що містить діелектричну підкладку, на яку послідовно нанесені шар надпровідника, шар діелектрика, на якому розміщена П-подібної форми смужка надпровідника, посередині якої нанесена плівка діелектрика, на якій послідовно нанесені плівка магнітожорсткого феромагнетику, плівка діелектрика, плівка магнітом'якого феромагнетику, над якими розташована ізольована смужка надпровідника, що перетинає їх, який відрізняється тим,...