Фототермоперетворювач сонячної енергії

Фототермоперетворювач сонячної енергії, що містить підставу, жорстко з'єднану з каналами, скріпленими з теплопоглинальним покриттям, поверх якого розташоване захисне прозоре покриття, який відрізняється тим, що додатково містить сонячні елементи, загальна площа яких становить 1/2-1/3 частини поверхні теплопоглинального покриття. (19) (21) u200912291 (22) 30.11.2009 (24) 12.04.2010 (46) 12.04.2010, Бюл.№ 7, 2010 р. (72) КУВШИНОВ ВОЛОДИМИР ВЛАДИСЛАВОВИЧ, САФОНОВ ВОЛОДИМИР ОЛЕКСАНДРОВИЧ, БАШТА ОЛЕКСАНДР ІВАНОВИЧ (73) КУВШИНОВ ВОЛОДИМИР ВЛАДИСЛАВОВИЧ 3 49078 4 4. Канал 2 постачений вхідними й вихідними паттину теплопоглинальної поверхні. За рахунок циррубками (фіг.2). Сонячні елементи розташовані куляції теплоносія відбувається відвід теплоти від над вхідними патрубками. Простір, утворений тепфотоелементів, що поліпшує їхню роботу. Вся лопоглинальною поверхнею й підставою, являє конструкція зверху має захисне покриття, що прособою канал для повітря 6.7 - вихідні електричні світлює, або осклянення. Поверхня пристрою моконтакти сонячних елементів. же бути змонтована на даху будинків або в інших Пристрій працює таким чином. місцях. Монтажна довжина може доходити до 7 м. Сонячні елементи 4 перетворять світлове виПоверхня об'єкта може мати як прямокутну, так і промінювання в електричну енергію, відбір якої криволінійну форму сторін. При збільшенні площі здійснюється через контакти 7. Під дією сонячного сонячних елементів коефіцієнт корисної дії привипромінювання теплопоглинальна поверхня 3 строю зменшується. нагрівається, за рахунок теплообміну нагрівається 36 сонячних елементів становлять фотоелектповітря в каналі 6 і теплоносій у каналі 2, що вихоричні модулі (фіг.3), при цьому окремий сонячний дять через вихідні патрубки. елемент розрахований на напругу до 0,6 В і струм Підставу 1 виготовляють із алюмінієвого спладо 3,5 А. Відповідно напруга холостого ходу всього ву, усередині пристрою перебувають два канали модуля зібраного з послідовно з'єднаних фотоеледля повітря й рідини, безпосередньо на зовнішній ктричних елементів буде близько 22 В, а струм поверхні перебувають фотоелектричні елементи короткого замикання 3,5 А. Ці значення відповіда3. Робоча поверхня, на яку падає сонячне випроють значенню сонячної освітленості 1000 Вт/м2. мінювання, є теплопоглинальною й одночасно Робоча напруга й робочий струм модуля (напруга перетворить широкий спектр електромагнітного й струм у крапці максимальної потужності вольтсонячного випромінювання в теплову й електричну амперної характеристики) відповідають значенням енергію. 17 У і 3 А. У такий спосіб при нормальних умовах: Приклад реалізації. освітленість: 1000 Вт/м2, атмосферна маса (AM) Безпосередньо на металевій підставі спеціа1,5, температура 25ос, вихідна потужність одного льної композитної теплопровідною пастою були фотоелектричного модуля становить до 50 Вт. наклеєні монокремнієві фотоелектричні елементи, Усього на кожному квадратному метрі внизу може які випускаються серійно різними підприємствами. бути розташовано 3 модулі. При цьому поглинаюча поверхня профілю й тепЗа рахунок циркуляції теплоносія відбувається лопровідна паста мають високий омічний опір, що охолодження сонячних елементів, що поліпшує перешкоджає електричним втратам на тильних їхні робочі характеристики й збільшує КПД, що контактах фотоелементів. Усього на 1 м2 корпуси може падати при нагріванні фотоелементів. У репрофілю розташовано 108 сонячних елементів, зультаті збільшується загальний КПД сонячної вони утворять 3 сонячні батареї по 36 елементів у установки, за рахунок фотоелектричного виробкожній. лення електроенергії. Одночасно поліпшується Усередині пристрою перебувають два канали робота напівпровідникових сонячних елементів, за для повітря й рідини. Сонячні елементи перебурахунок охолодження їх постійно циркулюючим у вають у нижній частині, де теплоносій має найнисистемі теплоносієм. Пристрій забезпечує комбіжчу температуру (фіг.2) і становлять 1/2- 1/3 часноване вироблення теплової й електричної енергії. 5 Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков 49078 6 Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601