Надпровідний довгочасовий пристрій для запам’ятовування

Надпровідний довгочасовий пристрій для запам'ятовування, що містить проводи для запису та зчитування інформації, який відрізняється тим, що містить шаруватий високотемпературний надпровідник, який використовують як елемент зчитування, а для запису інформації використовують надпровідне кільце, що зв'язане котушкою індуктивності з проводом для запису стан реєструється, як ' Інформація знімається шиною зчитування, що зв'язана з джозефсонівським контактом Загальними суттєвими ознаками відомого та приладу, що заявляється, є наявність надпровідних плівок, що містять магнітні вихори Швидкодія перемикання пристрою - 1 0 9 с Недоліком пристрою [3] є необхідність генерації та ліквідації вихорів і антівихорів при переході від одного стану до другого, просування їх вдовж визначеного каналу, наявність джозефсонівського контакту, як додаткового пристрою для зняття інформації Окрім цього, внаслідок підвищення величини струму в шинах для запису його значення швидко наближається до критичного, різко обмежуються можливості підвищення сили Лоренца, що діє на вихори, і це не дозволяє підвищити швидкодію пристрою в значній мірі, знижує к к д пристрою для запам'ятовування і, отже, його продуктивність та економічність В основу винаходу поставлена задача підвищити швидкість обробки інформації надпровідним пристроєм для запам'ятовування на основі принципово нового підходу Як результат цього збільшується швидкодія, спростовується конструкція та зменшуються габаритні розміри пристрою За рахунок цього підвищується к к д , його продуктивність та економічність Поставлена задача вирішується тим, що в основі роботи пристрою для запам'ятовування є ефект фазового 3D-2D вихрового переходу в надпровідниках ІІ-роду Суть ефекту полягає у подальшому шаруваті високотемпературні надпровідники характеризуються великою анізотропією їх надпровідних властивостей Характеристикою сту 1 00 ю 58702 пеню анізотропії є параметр Г=М/т » 1, (де М ефективна маса вздовж кристалографічної с ВІСІ та m - ефективна маса в ab-площині) і дорівнюєтьГ и 10 для вісмутових систем ВССО Коли зовнішнє магнітне поле Н спрямовано вздовж с - осі , то нижче за визначуваного поля B=B2D вихрова система виявляє тривимірні властивості, а якщо B>B2D, то веде себе як квазідвовимірна вихрова система Магнітне поле вихрового фазового 3D-2D вихрового переходу B=B2D може бути оцінене формулою [4] с я > В' "ф° >2D l~d2 ' де d віддаль Ф 0 = 2,07хЮ" 7 Г-см між шарами CuO, та 2 м а г н | Т Н 0 Г 0 п о т о к у Взагалі, 3D-2D перехід від тривимірного вихрового стану (коли магнітні лінії вихорів пронизють усі надпровідні шари) до квазідвовимірного має місце коли де ^-L - довжина когерентності , яка перпендикулярна ab-площині або довжина когерентності вздовж с - осі і d - віддаль між надпровідними шарами 3 цією умови визначається температура переходу (crossover temperature) - Т сг , котра записується як 1d' •Тс Величина Тсг завжди нижче за критичну температуру фазового переходу надпровідника Тс(ТсгB2D, TO вихрова структура перебудується таким чином, що вихрові грати будуть знаходитись у кожному з надпровідних шарів, незалежно один від одного При цьому, значною мірою зростає критичний струм Іг, який реєструється за допомогою провода 4 Цей стан реєструється в двомірній системі, як ' 3 метою повернення до стану ' треба пропустити по проводу З електричний струм l w в протилежному напрямі Джерела інформації [1] Patent USA 1980 Int СІ Gil C11/44 № 4186441, [2] Shingo Uchara and Koichi Nagata Trapped Vortex Memory Cells Applied Physics Letters 39(12), 1981, 992-993 [3] К Miyahara, M Mukaida, M Tokumitsu, S Kubo, and К Hohkawa Abncosoff Vortex Memory with improved Sensitivity and Reduced Write Current Levels IEEE Transactions on Magnetics Vol MAG23, № 2 , 1987, 875-878 [4] M V Feigelman, V В Geshkenbem and A I Larkm Pinning and Creep in Layered Superconductors PhysicaC167, 177(1990) 58702 Комп'ютерна верстка М Клюкш Підписано до друку 05 09 2003 Тираж39 прим Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, Львівська площа, 8, м Київ, МСП, 04655, Україна ТОВ "Міжнародний науковий комітет", вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна