Апарат контактний для окислення аміаку

Апарат контактний для окислення аміаку, який складається із корпусу з обичайкою з внутрішньою футерівкою і встановленого між каталітичною системою окислення аміаку, розташованою в верхній частині корпуса, і вихідним патрубком нітрозного газу, розташованого в нижній частині корпуса високотемпературного підігрівача хвостового газу (ВТПХГ), в якому труби ВТПХГ розміщені між двома, вертикально розташованими один проти одного в корпусі з внутрішньою футерівкою, трубними дошками з патрубками входу-виходу хвостового газу, який відрізняється тим, що форма труби в горизонтальній площині виконана U-подібною, у якій кінці труб спрямовані в протилежні боки для їх поєднання з трубними дошками, а округла частина спрямована в бік обичайки корпусу. (19) (21) a200601388 (22) 13.02.2006 (24) 27.04.2009 (46) 27.04.2009, Бюл.№ 8, 2009 р. (72) РЯБЧИКОВ ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСІЙОВИЧ, UA, РЯБЧИКОВ ВАДИМ ОЛЕКСІЙОВИЧ, UA (73) РЯБЧИКОВ ОЛЕКСАНДР ОЛЕКСІЙОВИЧ, UA, РЯБЧИКОВ ВАДИМ ОЛЕКСІЙОВИЧ, UA (56) SU 982777 A, 23.12.1982 UA 19142 C1, 25.12.1997 SU 1813557 A1, 07.05.1993 SU 1509109 A2, 23.09.1989 SU 1493303 A1, 15.07.1989 SU 1178476 A, 15.09.1985 SU 1085622 A, 15.04.1984 3 об’єм круглої форми апарата, а це призводить до збільшення висоти апарата, що ускладнює його зборку в місті його використання. Крім того, за рахунок істотно різної товщини футеровки виявляється різна температура корпуса, що призводить до різноманітного його подовження і до проблем з ущільнення великого фланцевого роз’єму апарату. В основу винаходу поставлена задача зберегти переваги ВТПХГ з Z-образними трубами і в той же час збільшити використання корисного об’єму апарату у вигляді кола, а також використовувати більш рівномірну товщину футеровки. Поставлена задача досягається тим, що змінюється форма труб з Z-образної в вертикальній площини на U-образну в горизонтальній площині трубного пучка високотемпературного підігрівача хвостового газу, при чому кінці труб відігнуті у протилежні сторони для їх поєднання з трубними дошками, а округла частина спрямована в бік обичайки корпуса. За рахунок збереження бокової складової труб зберігається індивідуальна компенсація кожної окремо взятої труби, а складені в трубний пучок труби в горизонтальній площині з дзеркальним відображенням один проти одного наближають форму трубного пучка до кола, що призводить до кращого корисного використання форми кола і більш рівномірної товщини футерівки і відповідно до більш рівномірного подовження корпусу апарата, а це означає і к більш кращим умовам для збереження герметичності великого фланцевого роз’єму під час його використання. 86383 4 На Фіг 2 (а, в) зображений один з варіантів конструкції апарата контактного на вигляд з боку і з верху. В корпусі 1 апарата контактного з футеровкою 2, розміщена каталітична система окислення аміаку 3 і патрубок виходу нітрозного газу 4. Між каталітичною системою 3 і патрубком 4 встановлений високотемпературний підігрівач хвостового газу ВТПХГ з вертикально розташованими трубними дошками і з’єднаними з ними патрубками входу-виходу хвостового газу 5. Між трубними дошками з патрубками 5 горизонтально розташовуються труби 6 трубного пучка високотемпературного підігрівача хвостового газу, і в цій площині вони мають U-образну форму, у якій кінці труб відігнуті в протилежні боки для їх поєднання з трубними дошками, а округла частина спрямована в бік обичайки корпуса. Апарат працює таким чином. Нітрозний газ, після каталітичної системи 3 з температурою близько 9000С проходить по міжтрубному простору труб б, нагріваючи хвостовий газ, який подається по трубах 6, після чого проходить крізь трубні дошки з патрубками входу-виходу хвостового газу 5, а нітрозний газ виходить через патрубок нітрозного газу 4 в наступний апарат. При цьому за рахунок форми труб відбувається вільне термоподовження кожної труби 6 від нерівномірного температурного поля нітрозного газу після каталітичної системи 3, а корпус 1 апарату рівномірно розігрівається за рахунок більш рівномірної товщини футерівки 2. 5 Комп’ютерна верстка Н. Лисенко 86383 6 Підписне Тираж 28 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601