Мікроелектронний сенсор оптичної потужності
Номер патенту: 87584
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович
Формула / Реферат
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, два конденсатори та резистор, який відрізняється тим, що додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу (А) кожного з яких задовольняє співвідношенню
A<S/n, де
S - площа каналу,
n - кількість пазів,
та формування непрозорого затворного електрода із алюмінію, а також друге джерело постійної напруги, причому перший полюс першого джерела постійної напруги з'єднаний з затворним електродом першого МДН-фототранзистора, стік якого підключений до першого виводу першого конденсатора, витоку та затворного електрода другого МДН-фототранзистора і затворного електрода третього МДН-фототранзистора, який з’єднаний з першою вихідною клемою, при цьому витік першого МДН-фототранзистора з'єднаний з витоком і підкладкою третього МДН-фототранзистора, а другий вивід першого конденсатора з'єднаний з підкладкою другого МДН-фототранзистора і першим виводом резистора, другий вивід резистора з'єднаний зі стоком другого МДН-фототранзистора, першим виводом другого конденсатора і першим полюсом другого джерела постійної напруги, при цьому другий полюс другого джерела постійної напруги підключений до другого виводу другого конденсатора, стоку третього МДН-фототранзистора і другого полюса першого джерела постійної напруги через спільну шину, до якої підключена друга вихідна клема.
Текст
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, МДНфототранзистор, два конденсатори та резистор, який відрізняється тим, що додатково містить другий і третій МДН-фототранзистори, при цьому всі МДН-фототранзистори виконані шляхом створення зі зворотної сторони підкладки під областю каналу глибоких пазів, площа перерізу (А) кожного з яких задовольняє співвідношенню C2 2 (19) 1 3 №1511601, кл. G01 J 1/44, 1989, Бюл. №36], який містить два зустрічно ввімкнених фотодіода, перший конденсатор і індуктивний елемент, підключений паралельно фотодіодам, аноди яких з'єднані, при цьому катод першого фотодіода підключений до першого виводу першого конденсатора, другий вивід якого підключений до загальної шини пристрою, а також містить МДН-транзистор, другий конденсатор, джерело напруги, в подальшому джерело постійної напруги, і резистор, а індуктивний елемент виконаний у вигляді реактивного МДН-фототранзистора, в подальшому перший МДН-фототранзистор, причому катод першого фотодіода підключений до витоку першого МДНфототранзистора, катод другого фотодіода підключений до першого виводу резистора, витоку МДН-транзистора і стоку першого МДНфототранзистора, затвор якого підключений до стоку і затвору МДН-транзистора, першого виводу другого конденсатора і першого полюсу джерела постійної напруги, другі виводи другого конденсатора, резистора і другий полюс джерела постійної напруги підключений до загальної шини. Недоліком такого пристрою є мала чутливість, особливо в області малих величин оптичного випромінювання, тому що при цьому різко знижується швидкість оптичної генерації носіїв заряду. В основу винаходу поставлена задача створення мікроелектронного сенсора оптичної потужності, в якому за рахунок введення нових елементів та зв'язків між ними досягається зміна як ємності, так і індуктивності коливального контуру, що підвищує чутливість і точність виміру оптичного випромінювання. Поставлена задача досягається тим, що в пристрій, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два конденсатора, резистор, введено другий і третій МДНфототранзистори, причому всі три виконано з непрозорим затворним електродом із А1, у яких зі зворотньої сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовільняє наступне співвідношення: A
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMicro-electronic sensor of optical power
Автори англійськоюOsadchuk Volodymyr Stepanovych, Osadchuk Oleksandr Volodymyrovych, Ilchenko Olena Mykolaivna, Baraban Serhii Volodymyrovych
Назва патенту російськоюМикроэлектронный сенсор оптической мощности
Автори російськоюОсадчук Владимир Степанович, Осадчук Александр Владимирович, Ильченко Елена Николаевна, Барабан Сергей Владимирович
МПК / Мітки
МПК: G01J 1/44
Мітки: мікроелектронний, оптично, потужності, сенсор
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-87584-mikroelektronnijj-sensor-optichno-potuzhnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Мікроелектронний сенсор оптичної потужності</a>
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом
Номер патенту: 42205
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: мікроелектронний, виходом, частотним, сенсор, оптично, потужності
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичної потужності з частотним виходом, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, резистор, конденсатор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, пасивну...
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності
Номер патенту: 30180
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Володимир Степанович, Барабан Сергій Володимирович
МПК: G01J 1/44
Мітки: пристрій, виміру, оптично, мікроелектронний, потужності
Формула / Реферат:
Мікроелектронний пристрій для виміру оптичної потужності, який містить джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, конденсатор, який відрізняється тим, що введено другий МДН-фототранзистор, причому перший та другий МДН-фототранзистори виконано з непрозорим затворним електродом із алюмінію, із зворотної сторони підкладки яких під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з яких А задовольняє наступне...
Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності
Номер патенту: 30177
Опубліковано: 11.02.2008
Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Барабан Сергій Володимирович, Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: G01J 1/44
Мітки: оптично, мікроелектронний, вимірювач, потужності
Формула / Реферат:
Мікроелектронний вимірювач оптичної потужності, що містить джерело постійної напруги, індуктивний елемент, конденсатор, який відрізняється тим, що введено біполярний транзистор, пасивну індуктивність, друге джерело постійної напруги, а як індуктивний елемент використано МДН-фототранзистор з непрозорим затворним електродом із алюмінію, у якому зі зворотної сторони підкладки під областю каналу виконані глибокі пази, площа перерізу кожного з...
Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів
Номер патенту: 42212
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Ільченко Олена Миколаївна, Осадчук Олександр Володимирович
МПК: G01J 1/44, H01L 27/00
Мітки: оптично, потужності, пристрій, основі, вимірювання, фоточутлівих, частотним, виходом, транзисторів
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання оптичної потужності з частотним виходом на основі фоточутливих транзисторів, який містить перше джерело постійної напруги, перший МДН-фототранзистор, два резистори, два конденсатори, МДН-транзистор, загальну шину, причому затвор першого МДН-фототранзистора підключений до другого виводу першого резистора, другий вивід другого конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини,...
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури
Номер патенту: 42207
Опубліковано: 25.06.2009
Автори: Осадчук Володимир Степанович, Осадчук Олександр Володимирович, Ільченко Олена Миколаївна
МПК: H01L 27/00, G01J 1/44
Мітки: фоточутливої, випромінювання, сенсор, структури, транзисторної, основі, оптичного, мікроелектронний
Формула / Реферат:
Мікроелектронний сенсор оптичного випромінювання на основі транзисторної фоточутливої структури, який містить перше джерело постійної напруги, МДН-фототранзистор, конденсатор, резистор, загальну шину, причому затвор МДН-фототранзистора підключений до другого виводу резистора, другий вивід конденсатора і другий полюс першого джерела постійної напруги підключені до загальної шини, який відрізняється тим, що в нього введено біполярний...
Попередній патент: Ущільнення з розширюваним графітом
Наступний патент: Мікроелектронний пристрій для вимірювання теплової потужності
Випадковий патент: Робочий орган гвинтового конвейєра