Пристрій захисту мікрохвильових приймачів

Пристрій захисту мікрохвильових приймачів, що містить лінію передачі з нелінійним елементом, високочастотний генератор для збудження хвиль та приймач, який відрізняється тим, що секція лінії передачі виконана у вигляді прямокутного хвилеводу, висота b якого набагато менша від ширини а хвилеводу (b Іс), що викликає [Сао W.-L. et.al. Picosecond superconductor opening руйнування надпровідності. Лазерне switch. // IEEE Trans. on Appl. Supercond. - 1993. випромінювання з потужністю вище певного рівня vol.3. - p.2848-2850]. Альтернативою оптичному викликає також перехід із надпровідного стану в управлінню ВТНП-пристроями є використання нормально провідне. З погляду те хнічних додатків напівпровідникових компонент, чутливих до можливість перемикати який-небудь елемент з оптичного сигналу. В пристроях такого типу час одного стану в інший є надзвичайно цікавою. При перемикання системи не перевищує 10-2-1мкс. Це цьому важливу роль грає така характеристика як достатньо великі значення часу в порівнянні з часом перемикання, які були отримані в інших швидкодія, тобто час tSN, за який під дією струму, пристроях. [Soares E.R., et. al. Optical switching вищого за критичний, відбудеться перехід плівки з HTS band reject resonators. // IEEE Trans. on Appl. надпровідного стану в нормально провідний. Очевидно, і здібність до S-N-перемикання Supercond.. - 1995. - vol.5. - p.2276-2278]. Для перемикання магнітним полем потрібно надпровідникових матеріалів також може знайти створювати спеціальну магнітну систему важливі застосування, наприклад, в силовій управління, яка потребує значної величини струму електротехніці для створення пристроїв захисту для створення необхідних для S-N-перемикання мереж від перевантажень або в мікроелектроніці для створення різних елементів управління і магнітних полів або буде інерційною за рахунок великої власної індуктивності [Ван Дузер Т., захисту. Тернер Ч.У. Физические основы Враховуючи те, що сучасна НВЧсверхпроводниковых устройств и цепей. - М.: мікроелектроніка базується на інтегральних Радио и связь, 1984. - 344с.]. Найперспективнішим схемах, то в цьому випадку доцільно використовува ти надпровідникові матеріали у з погляду те хнічного використання є ефект S-Nперемикання під дією управляючого струму, що вигляді плівок. Слід зазначити, що технологія протікає через плівку. При цьому можливо плівок ВТНП досягла великих успіхів з погляду досягнення дуже високої швидкодії (менше можливості технічного використання цих десятих наносекунди) і мінімальних у порівнянні зі матеріалів. В даний час одержують високоякісні монокристалічні плівки ВТНП, параметри яких всіма перерахованими способами енерговитрат джерела управління для здійснення S-Nдозволяють створювати досконалі пристрої перемикання [Poulin D.G. et. al. A superconducting мікрохвильової електроніки. Так, при перемиканні micriwave switch. // IEEE Trans. on Appl. Supercond. із S- в N-стан мікросмужкової лінії, сформованої на - 1995. - vol.5. - p.3046-3048]. З експериментальних основі плівки надпровідника, через яку певним чином пропускають НВЧ-сигнал, умови для даних і теоретичних оцінок виходить, що час перемикання з надпровідного стану в нормально проходження НВЧ-сигналу будуть змінюватися. Таким чином, на основі ефекту S-N-перемикання провідний стан є дуже малим (t≤10-10с). Цей факт можна створювати різні пристрої: вимикачі і може бути використаним при вирішенні проблеми перемикачі каналів, модулятори, обмежувачі і створення нових пристроїв з високою швидкодією пристрої захисту, фазообертачі і т.п. [Shen Zhiключів із зовнішнім управлінням або некерованих Yuan. High-Temperature Superconductivity обмежувачів [Vendik І.В., Vendik Про. G., Kaparkov Microwave Circuits, Boston-London: Artech House, D. High Temperature Superconductor Devices for 1994. - 272р.; High-Tc Superconductors: Physical Microwave Signal Processing. Part I; II; III, Principles of Microwave Applications / Ed. O. Vendik. Superconducting Microwave Circuits. - СПб.: ТОО St. Petersburg: Eltech, 1991. 146p.]. „Складень", 1997. - 135с.]. Найбільш відповідними Розглянемо доцільність використання вище для реалізації таких пристроїв є тонкоплівкові перелічених можливостей перемикання плівок з Sвідрізки ліній передачі, створені на основі в N-стан при створенні пристроїв мікроелектроніки. планарних технологій. До них можна віднести Так, наприклад, можна здійснювати S-Nмікрополоскові, щілинні або копланарні лінії перемикання теплом, розташувавши над або під передачі. При такому виконанні простіше надпровідниковою плівкою резистивний плівковий забезпечити необхідну якість ВТНП плівки, добре нагрівач, ізольований від надпровідника плівкою охолоджування і відведення тепла. Характер діелектрика. Пропускаючи струм управління через поведінки лінії НВЧ при зовнішній мікрохвильовій нагрівач, плівка надпровідника підігрівається і дії істотно залежатиме від якості надпровідної переходить в N-стан. Проте швидкодія такої структури, що використовується. Так, системи через теплову інерцію буде невелика і в неоднорідність плівок може обмежувати кращому разі досягне мікросекунд [Martens J.S. характеристики плівки при високих рівнях et.al. HTS-based switched filter banks and delay потужності, що подається на неї. Дослідження lines. // IEEE Trans. on Appl. Supercond.. - 1993. показують, що локальні дефекти, викликані vol.3. - p.2824-2827]. S-N-перемикання за рахунок можливими подряпинами на поверхні підкладки, лазерної дії надзвичайно привабливе у зв'язку з відповідають за порушення роботи пристрою при можливістю використання часових масштабів підвищенні рівня поля. Такі дефекти, швидкодії лазера порядку пікосекунд і у зв'язку з найімовірніше, утворюються областями із доброю розв'язкою по частоті між робочим зниженою густиною струму. Таким чином, сигналом і сигналом управління. Проте характер поведінки лінії НВЧ при зовнішній енергетичні витрати на таке перемикання мікрохвильовій дії істотно залежатиме від якості достатньо великі, оскільки через велике відбиття надпровідної структури, що використовується. тільки невелика частина енергії лазерного Аналіз таких структур навіть на основі звичайних 5 30634 6 матеріалів достатньо складний, тому при їх каналів малих розмірів (у даному випадку розгляді активно користуються різними 0,186мм). При вказаних вище розмірах КПЛ наближеннями. Більш того, значна частина густина струму на краях центрального провідника формул, яка вживається при розрахунку пристроїв КПЛ перевищує густину стр уму в його центрі і елементів на їх основі, отримана в результаті приблизно в 470 разів. Отже, виникає реальна обробки великої кількості експериментальних небезпека локального руйнування лінії передачі даних [Микроэлектронные устройства СВЧ. Под при її переході в нормальний стан. Таким чином, ред. Г.И. Веселова. - М.: Высш. шк., 1988. - 280с.; характер поведінки лінії НВЧ при зовнішній Полосковые линии и устройства сверхвысоких мікрохвильовій дії істотно залежатиме від якості частот. Под. ред. В.М. Седых. - Харьков: Высш. надпровідної структури, її розмірів і геометрії, що шк., 1974. - 276с.]. використовується. Відомий пристрій захисту на основі ВТНП В основу корисної моделі поставлена задача розроблено з використанням копланарної лінії удосконалення пристрою захисту мікрохвильових (КПЛ) передачі [Вендик О.Г. и др. Влияние уровня приймачів шляхом взаємодії імпульсного НВЧСВЧ-мощности на характеристику передачи линии випромінювання великої потужності з поверхнею на основе пленки YBa2Cu3O7- x. // ВТНП плівки, що забезпечить підвищення Сверхпроводимость: физика, химия, техника. ефективності, надійності і розширення діапазону 1990. - т.3, №6. - часть 1. - с.1041-1044]. Він його використання. складається з КПЛ, сформованої на основі плівки Поставлена задача розв'язується таким YВа2Сu3O 7-х. Плівка осаджувалась методом чином, що в пристрої захисту мікрохвильових магнетронного розпилення на підкладку з приймачів, що складається із лінії передачі з монокристалічного окислу магнію з орієнтуючим нелінійним елементом, високочастотного шаром (Ва, Sr)TiO2 завтовшки 1мкм. генератора для збудження хвиль і приймача, Досліджуваний відрізок КПЛ розміром ~20х6мм згідно корисної моделі, секція лінії передачі вмикався в розрив коаксіального тракту з виконана у вигляді прямокутного хвилеводу з допомогою коаксіально-смужкових переходів. На висотою b, набагато меншою ширини а хвилеводу вхідній і вихідній ділянках КПЛ, для поліпшення (b