Спосіб кососиметричних зйомок в рентгенівській трансмісіонній топографії

Изобретение относится к исследованию кристаллов с помощью дифракции рентгеновских лучей и может быть использовано при изучении дефектов кристаллического строения реальных кристаллов. Исследуемый кристалл известной ориентации устанавливают в держатель образца, устанавливают нормаль к отражающей плоскости параллельно экваториальной плоскости гониометра при выводе кристалла в кососимметричное брэгговское положение. Облучают входную поверхность кристалла монохроматизированным рентгеновским излучением источника со штриховым фокусом, поляризованным так, что вектор электрической индукции перпендикулярен экваториальной плоскости гониометра. Выведение нормали к отражающей плоскости, а следовательно, и дифрагированного да. луча в экваториальную плоскость гониометра позволяет регистрировать кососимметричные дифракционные картины прямого и дифрагированного пучков, содержащих взаимодополняющую информацию о дефектах как толстых, так и слабопоглощающих, и тонких кристаллов, что расширяет класс исследуемых кристаллов, 1 ил. 1223104 * новским пучком и регистрируют лряИзобретение относится к исслемой и дифрагированный пучки на фодованию кристаллов с помощью дифрактопластинку, параллельную выходной ции рентгеновских лучей и может быть поверхности* кристалла. использовано в рентгеновской трансмиссионной топографии при изучении 5 Предлагаемый способ по сравнению дефектов кристаллического строес известным позволяет одновременно ния реальных кристаллов. регистрировать кососимметричные дифракционные картины прямого и дифраЦель изобретения - расширение гированного пучков, содержащих взакласса исследуемых кристаллов. 10 имодополняющую информацию о дефектах На чертеже изображена стереогракак толстых, так и слабопоглощающих фическая проекция кристалла. и тонких монокристаллов, что расшиСпособ осуществляют на гониометряет класс исследуемых кристаллов. ре с вертикальной осью и ориентациПри этом за счет применения монохроей штриха фокуса f трубки БСВ-П Си 15 матизированного излучения увеличипараллельно экваториальной плоскосвается разрешение, а следовательно, ти гониометра. Исследуемую плоскоповышается информативность способа. параллельную пластину монокристалла Способ может найти широкое примекремния с плоскостью поверхности нение при исследовании реальных мо(ill) устанавливают в держателе на оси гониометра. Для осуществления 20 нокристаллов, используемых в произкососимметричной съемки при отражеводстве полупроводниковых приборов. нии от системы плоскостей (202) так, что плоскость дифракции (плоскость, Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я содержащая прямой R o и дифрагированный Rn лучи) составляет с нормалью Способ кососимметричных съемок в 25 к поверхности кристалла угол # =30 , рентгеновской трансмиссионной т о производят предварительную ориентипографии, включающий установку ровку кристалла, при которой норкристалла известной ориентации в держателе на оси гониометра, предмаль его поверхности N (ill) и нормаль отражающей плоскости п устанав- 30 варительную его ориентировку, при которой нормаль поверхности крисливают в плоскость, содержащую ось талла и нормаль отражающей плоскосгониометра и перпендикулярную штрити выводят в плоскость, содержащую ху фокуса (полюсная фигура кристалось гониометра, вывод отражающей ла с нанесенными на ней положением плоскости в кососимметричное брэгплоскости дифракции (п- , R o , R^) 35 говское положение, облучение входотносительно нормали поверхности ной поверхности кристалла пучком кристалла N) и выводят плоскость рентгеновских лучей источника со (202) в брэгговское положение тремя штриховым фокусом, регистрацию дипоследовательными поворотами крисфракционной картины на фотопластинталла, один из которых В= - осу^ 40 ку, параллельную выходной поверхществляют вокруг нормали поверхносности кристалла, о т л и ч а ю ти кристалла N, при этом п ? 0 2 устащ и й с я тем, что, с целью расшинавливают параллельно экваториальрения класса исследуемых кристаллов, ной плоскости, другой сС' =30 - вопри выводе в кососимметричное брэгкруг нормали отражающей плоскости говское положение нормаль к отража(вокруг оси, лежащей в плоскости обющей плоскости устанавливают паралразца и перпендикулярной оси гониолельно экваториальной плоскости г о метра) для расположения плоскости ниометра, а облучение входной п о дифракции параллельно экваториальной верхности кристалла осуществляют плоскости, третий в=22 40 - вокруг 50 монохроматизированным излучением, оси гониометра до вывода отражающей поляризованным т а к , что вектор элекплоскости в брэгговское положение. трической индукции перпендикуляр°н Облучают входную поверхность крисэкваториальной плоскости гониометра. талла монохроматизированиым рентге 1223104 Зкбаториа/гьтЯі линия Редактор Н.Бобкова Составитель Т.Владимирова Техред В.Кадар Корректор С.Шекмар Заказ 1704/45 Тираж 778 Подписное В И П Государственного комитета СССР НИИ по делам изобретений и открытий П3035, Москва, Ж-35 ( Раушская наб., д. 4/5 Филиал ШП "Патент"^!". Ужгород, ул. Проектная, 4 Т w •