Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.

Текст

Реферат: UA 92282 U UA 92282 U 5 10 15 20 25 30 35 40 Корисна модель належить до напівпровідникової електроніки, а саме до конструкцій фотоприймачів, і може бути використана в пристроях вимірювальних приладів, автоматики та оптичного зв'язку. Відомі конструкції генератора на основі одноперехідних транзисторів (ОПТ), що містять напівпровідник n-типу провідності з двома омічними контактами та емітерний p-n-перехід між ними. Зазвичай, ОПТ вмикається за схемою релаксаційного генератора, котрий використовують як датчик різноманітних фізичних величин (температура, тиск і т.д.). Вихідний параметр датчика - це частота генератора, що залежить від вимірюваної величини [1]. Найближчим аналогом (прототипом) корисної моделі є генератор на ОПТ кубічної структури на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними [2]. Недоліком цього генератора є те, що при його використанні для оптичного зв'язку він не може вмикатися і вимикатися променем світла. В основу корисної моделі поставлено задачу забезпечення можливості увімкнення та вимкнення генератора променем світла, а також збільшення чутливості при використанні його як фотоприймача. Технічним вирішенням задачі є виготовлення базового контакту до + модульованої частини основи ОПТ у вигляді p -n-переходу, що вмикається у зворотному напрямку. На фіг. 1 наведено боковий розріз ОПТ кубічної структури. Він складається з базового + + + напівпровідника n-типу 1 з нижнім базовим контактом Б1 n -типу 2, p -зони 3 (емітер Е) та p + зони 4, що утворює із базою p -n-перехід, який вмикається у зворотному напрямку і виконує функцію другого базового контакту Б2. + Робота генератора на ОПТ пояснюється еквівалентною схемою (фіг. 2), де р -n-перехід зображено у вигляді фотодіода і є виводом бази Б2. Якщо потік світла, що падає на фотодіод + (контакт р -n на фіг. 1) Ф=0, струм через нього та ОПТ не протікає і генератор вимкнений. При освітленні фотодіода Ф>0 через нього починає протікати струм, генератор вмикається і працює як звичайний генератор на ОПТ, з виходу якого знімають змінний сигнал, частота f якого пропорційна до величини вимірюваного зовнішнього впливу (температури, тиску і т.д.). При використанні генератора як фотоприймача, ОПТ освітлюється, і частота вихідного сигналу f зростає зі збільшенням світлового потоку Ф. У цьому випадку фотодіод забезпечує не лише вимкнення та увімкнення генератора, а й у декілька разів збільшує залежність f(Φ) генератора у ввімкненому стані за рахунок спільної дії світла на ОПТ та фотодіод, тобто збільшує чутливість генератора-фотоприймача. Експериментальна перевірка роботи генератора здійснювалася за наявності ОПТ, + виготовленого на базі промислового кремнієвого ОПТ типу КТ-117 [3], де область 4 n -типу було + замінено на область p -типу. Тому ОПТ може бути виготовлено на будь-якому виробництві електронного профілю за звичайною технологією. Джерела інформації: 1. Вікулін І.М., Стафєєв В.І. Полупроводниковые датчики. - М.: Сов. Радио, 1975. - 104 с. 2. Вікулін І.М., Стафєєв В.І. Физика полупроводниковых приборов. - Μ.: Радио и связь, 1990. - С. 157-182. 3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и ИС. - М.: Энергия, 1976. - С. 241. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 45 Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід. 1 UA 92282 U Комп’ютерна верстка Л. Литвиненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2

Дивитися

Додаткова інформація

Автори англійською

Vikulin Ivan Mykhailovych, Kurmashev Shamil Dzhamashevych, Veremiova Hanna Viktorivna, Poliakov Serhii Mykolaiovych

Автори російською

Викулин Иван Михайлович, Курмашев Шамиль Джамашевич, Веремьёва Анна Викторовна, Поляков Сергей Николаевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 31/10

Мітки: генератор, основі, транзистора, одноперехідного

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/4-92282-generator-na-osnovi-odnoperekhidnogo-tranzistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Генератор на основі одноперехідного транзистора</a>

Подібні патенти