Генератор на основі одноперехідного транзистора
Номер патенту: 92282
Опубліковано: 11.08.2014
Автори: Веремйова Ганна Вікторівна, Поляков Сергій Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Вікулін Іван Михайлович
Формула / Реферат
Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.
Текст
Реферат: UA 92282 U UA 92282 U 5 10 15 20 25 30 35 40 Корисна модель належить до напівпровідникової електроніки, а саме до конструкцій фотоприймачів, і може бути використана в пристроях вимірювальних приладів, автоматики та оптичного зв'язку. Відомі конструкції генератора на основі одноперехідних транзисторів (ОПТ), що містять напівпровідник n-типу провідності з двома омічними контактами та емітерний p-n-перехід між ними. Зазвичай, ОПТ вмикається за схемою релаксаційного генератора, котрий використовують як датчик різноманітних фізичних величин (температура, тиск і т.д.). Вихідний параметр датчика - це частота генератора, що залежить від вимірюваної величини [1]. Найближчим аналогом (прототипом) корисної моделі є генератор на ОПТ кубічної структури на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними [2]. Недоліком цього генератора є те, що при його використанні для оптичного зв'язку він не може вмикатися і вимикатися променем світла. В основу корисної моделі поставлено задачу забезпечення можливості увімкнення та вимкнення генератора променем світла, а також збільшення чутливості при використанні його як фотоприймача. Технічним вирішенням задачі є виготовлення базового контакту до + модульованої частини основи ОПТ у вигляді p -n-переходу, що вмикається у зворотному напрямку. На фіг. 1 наведено боковий розріз ОПТ кубічної структури. Він складається з базового + + + напівпровідника n-типу 1 з нижнім базовим контактом Б1 n -типу 2, p -зони 3 (емітер Е) та p + зони 4, що утворює із базою p -n-перехід, який вмикається у зворотному напрямку і виконує функцію другого базового контакту Б2. + Робота генератора на ОПТ пояснюється еквівалентною схемою (фіг. 2), де р -n-перехід зображено у вигляді фотодіода і є виводом бази Б2. Якщо потік світла, що падає на фотодіод + (контакт р -n на фіг. 1) Ф=0, струм через нього та ОПТ не протікає і генератор вимкнений. При освітленні фотодіода Ф>0 через нього починає протікати струм, генератор вмикається і працює як звичайний генератор на ОПТ, з виходу якого знімають змінний сигнал, частота f якого пропорційна до величини вимірюваного зовнішнього впливу (температури, тиску і т.д.). При використанні генератора як фотоприймача, ОПТ освітлюється, і частота вихідного сигналу f зростає зі збільшенням світлового потоку Ф. У цьому випадку фотодіод забезпечує не лише вимкнення та увімкнення генератора, а й у декілька разів збільшує залежність f(Φ) генератора у ввімкненому стані за рахунок спільної дії світла на ОПТ та фотодіод, тобто збільшує чутливість генератора-фотоприймача. Експериментальна перевірка роботи генератора здійснювалася за наявності ОПТ, + виготовленого на базі промислового кремнієвого ОПТ типу КТ-117 [3], де область 4 n -типу було + замінено на область p -типу. Тому ОПТ може бути виготовлено на будь-якому виробництві електронного профілю за звичайною технологією. Джерела інформації: 1. Вікулін І.М., Стафєєв В.І. Полупроводниковые датчики. - М.: Сов. Радио, 1975. - 104 с. 2. Вікулін І.М., Стафєєв В.І. Физика полупроводниковых приборов. - Μ.: Радио и связь, 1990. - С. 157-182. 3. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и ИС. - М.: Энергия, 1976. - С. 241. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 45 Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід. 1 UA 92282 U Комп’ютерна верстка Л. Литвиненко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2
ДивитисяДодаткова інформація
Автори англійськоюVikulin Ivan Mykhailovych, Kurmashev Shamil Dzhamashevych, Veremiova Hanna Viktorivna, Poliakov Serhii Mykolaiovych
Автори російськоюВикулин Иван Михайлович, Курмашев Шамиль Джамашевич, Веремьёва Анна Викторовна, Поляков Сергей Николаевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/10
Мітки: генератор, основі, транзистора, одноперехідного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/4-92282-generator-na-osnovi-odnoperekhidnogo-tranzistora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Генератор на основі одноперехідного транзистора</a>
Попередній патент: Спосіб утилізації теплоти відпрацьованих газів високотемпературної установки
Наступний патент: Установка для сушіння м’яса мідії
Випадковий патент: Спосіб імпульсної гальванізації ранових поверхонь розчином вітаміну с