Патенти з міткою «транзистора»

Номер патенту: 92282

Опубліковано: 11.08.2014

Автори: Поляков Сергій Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Веремйова Ганна Вікторівна, Вікулін Іван Михайлович

МПК: H01L 31/10

Мітки: основі, одноперехідного, генератор, транзистора

Формула / Реферат:

Генератор на основі одноперехідного транзистора, що містить одноперехідний транзистор на основі напівпровідника n-типу з двома базовими контактами та емітерним p-n-переходом між ними, який відрізняється тим, що базовий контакт до модульованої частини основи одноперехідного транзистора являє собою другий р-n-перехід.

Номер патенту: 96061

Опубліковано: 26.09.2011

Автори: Семеновська Олена Володимирівна, Тимофєєв Володимир Іванович

МПК: G01N 25/18

Мітки: субмікронного, транзистора, опору, кристала, теплового, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристала під кутами  і , вимірювання величини елементів теплового еквівалента, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 89911

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Тимофєєв Володимир Іванович, Семеновська Олена Володимирівна

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: транзистора, опору, кристала, визначення, субмікронного, спосіб, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб визначення теплового опору кристала субмікронного транзистора, що включає вимірювання розмірів фігури теплового еквівалента транзистора від розтікання теплового потоку від затвора всередину кристалу під кутами α і β, вимірювання величини приросту площ перерізу фігури теплового еквівалента за висотою кристала, який відрізняється тим, що вимірюють висоту злому бокової поверхні теплового еквівалента та на цій висоті вимірюють...

Номер патенту: 41314

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Лішінська Людмила Броніславівна, Філинюк Микола Антонович, Шведюк Андрій Григорович

МПК: G01R 27/28

Мітки: граничної, частоти, установка, транзистора, одноперехідного, вимірювання

Формула / Реферат:

Установка для вимірювання граничної частоти одноперехідного транзистора, що включає генератор, частотомір, перший комутатор, досліджуваний транзисторний чотириполюсник, атенюатор, другий комутатор, вимірювач потужності, причому перший рухомий контакт першого комутатора під'єднано до генератора та до частотоміра, перший нерухомий контакт першого комутатора з'єднано з входом досліджуваного транзисторного чотириполюсника та з першим нерухомим...

Номер патенту: 10431

Опубліковано: 15.11.2005

Автор: Ткачов Анатолій Іванович

МПК: H01L 23/34

Мітки: радіатор, транзистора, кріплення

Формула / Реферат:

Радіатор для кріплення транзистора, котрий має корпус з ребристим і плоским боками та заглушку, яка має отвори для виводів транзистора, який відрізняється тим, що плоский бік корпусу має стакан із заглибленням для розміщення транзистора та різьбою на зовнішній поверхні, при цьому заглушка, яка закриває нижній бік транзистора, має виступ, котрий фіксується в заглибленні стакана, а транзистор і заглушка закріплюються в заглибленні стакана за...

Номер патенту: 48254

Опубліковано: 15.08.2002

Автор: Грушка Микола Михайлович

МПК: H05K 7/20

Мітки: транзистора, потужного, охолодження, пристрій

Формула / Реферат:

1. Пристрій для охолодження потужного транзистора, який включає транзистор, змонтований на друкованій платі, колекторний провідник, приєднаний до колекторного виводу транзистора, теплопровідну ізоляційну плату, яка має перший і другий бік і розташована поблизу транзистора, який відрізняється тим, що між підкладкою друкованої плати і теплопровідною ізоляційною платою розташований суцільний провідник друкованої плати, який виконує роль землі і...

Номер патенту: 26626

Опубліковано: 11.10.1999

Автори: Еппель Володимир Ілліч, Уколов Олексій Тихонович, Горєв Микола Борисович, Коджеспірова Іна Федорівна, Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Викторівна

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: широкозонному, польового, легуванням, селективним, центрів, концентрації, визначення, глибоких, транзистора, гетероструктурі, прямій, напівпровіднику, gaalas, спосіб

Формула / Реферат:

Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...

Номер патенту: 23327

Опубліковано: 31.08.1998

Автори: Переверзев Анатолій Васильович, Антошин Сергій Володимирович

МПК: H01L 29/40, H01L 27/06

Мітки: пристрій, перемикання, високовольтного, формування, транзистора, траєкторії

Формула / Реферат:

1. Устройство формирования траектории переключения высоковольтного транзистора, содержащее индуктивность, включенную в цепи нагрузки, конденсатор и стабилитрон, включенные параллельно выходным выводам ключевого транзистора, отличающееся тем, что содержит дополнительно статический индукционный транзистор, затвор которого соединен с первым выводом ключевого транзистора и общей шиной ключа, сток соединен со вторым выводом ключевого транзистора и...

Номер патенту: 21228

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Власюк Віталій Анатолійович, Починко Нестор Васильович, Цимбал Анатолій Йосипович, Свєчніков Сергій Васильович, Смертенко Петро Семенович, Демченко Ірина Миколаївна

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, транзистора, якості, польового, контролю

Формула / Реферат:

Способ контроля качества полевого транзистора, включающий измерение вольт-амперной характеристики исток-сток, отличающийся тем. что измеряют величину дифференциального наклона вольт-амперной характеристики в двойном логарифмическом масштабе a =dlnl/dlnV при двух значениях напряжения: V1=Vp, соответствующего рабочему току Ір, и V2=Vр/n при n=2...5, и отбирают полевые транзисторы, сопоставляя параметры a1, a2, I1, I2 с эталонными, где a1 и a2,...

Номер патенту: 21194

Опубліковано: 04.11.1997

Автори: Смертенко Петро Семенович, Чех Михайло Борисович, Цимбал Анатолій Йосипович, Свєчніков Сергій Васильович

МПК: H01L 29/72, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Мітки: польового, транзистора, спосіб, контролю, стабільності

Формула / Реферат:

Способ контроля стабильности полевого транзистора, включающий измерение напряжения затвор-исток, отличающийся тем, что измеряют напряжение между затвором и истоком Uз-и при определенном напряжении между стоком и истоком Uc-м, затем пропускают прямой ток Iс через стоковый переход в течение времени t при определенном Uз-и и снова измеряют U~з-и, а о стабильности полевого транзистора судят по величине DUз-и = U~з-и – Uз-и.