Радіатор для кріплення транзистора

Радіатор для кріплення транзистора, котрий має корпус з ребристим і плоским боками та за глушку, яка має отвори для виводів транзистора, який відрізняється тим, що плоский бік корпусу має стакан із заглибленням для розміщення транзистора та різьбою на зовнішній поверхні, при цьому заглушка, яка закриває нижній бік транзистора, має виступ, котрий фіксується в заглибленні стакана, а транзистор і заглушка закріплюються в заглибленні стакана за допомогою гайки, яка нагвинчується на різьбу стакана. Корисна модель належить до радіоелектроніки та може використовуватись для кріплення й охолодження транзисторів. Існує відомий пристрій [див. а.с СРСР №1148063, кл. H01L23/42], який містить корпус і кришку. Корпус має перегородки, які розподіляють різьбою на зовнішній поверхні, заглушка, яка закриває нижній бік транзистора, має отвори для виводів цього транзистора та виступ, котрий фіксується в заглибленні стакана, а транзистор і заглушка закріплюються в заглибленні стакана за допомогою гайки, яка нагвинчується на різьбу стакана. Радіатор для кріплення транзистора відрізняється від прототипу тим, що плоский бік корпусу має стакан із заглибленням для розміщення транзистора та різьбою на зовнішній поверхні, при цьому заглушка, яка закриває нижній бік транзистора, має виступ, котрий фіксується в заглибленні стакана, а транзистор і заглушка закріплюється в заглибленні стакана за допомогою гайки, яка нагвинчується на різьбу стакана. Доказом наявності причинно-наслідкового зв'язку між сукупністю суттєвих ознак корисної моделі та технічним результатом є та обставина, що технічний результат - велика тепловіддача транзистора - може бути досягнутим тільки при використанні всієї сукупності суттєвих ознак корисної моделі. При відсутності в технічному рішенні хоча б однієї суттєвої ознаки технічний результат не досягається На Фіг. 1-8 зображені радіатор для кріплення транзистора та його елементи. Радіатор для кріплення транзистора має корпус 1 з ребристим і плоским боками, заглушку 2 та гайку 3, при цьому плоский бік корпусу має стакан із заглибленням для розміщування транзистора 4 та різьбою на зовнішній поверхні, заглушка 2, яка закриває нижній бік транзистора 4, має отвори для простір корпусу на декілька ВІДСІКІВ. КОЖНИЙ ВІДСІК має речовину з певною температурою плавлення. Недолік цього пристрою - складність конструкції та незручність при експлуатації Найбільш близьким до передбачуваної моделі є пристрій [див. а.с. СРСР №639050, кл H01L23/34], який містить скобу, котра прикріпляється до плоского боку радіатора за допомогою гвинтів, корпус транзистора прикріпляється до заглушки за допомогою фланця та гвинтів, а заглушка розміщується в різьбовому отворі скоби. Недолік цього пристрою - низька тепловіддача транзистора Ознаками прототипу, які збіжні із суттєвими ознаками корисної моделі, яка заявляється, є; корпус з ребристим і плоским боками та заглушка, яка має отвори для виводів транзистора. Причиною, яка перешкоджає отриманню бажаного результату великої1 тепловіддачі транзистора - є недолік конструкції пристрою. В основу корисної моделі поставлено задачу. збільшити тепловіддачу транзистора за рахунок великої площі зіткнення транзистора з радіатором. Поставлене завдання вирішується таким чином, що радіатор для кріплення транзисторів має корпус з ребристим і плоским боками, заглушку та гайку, при цьому плоский бік корпусу має стакан із заглибленням для розміщування транзистора та СО о 10431 виводів цього транзистора та виступ, котрий фіксується в заглибленні стакана, а транзистор 4 і заглушка 2 закріплюються в заглибленні стакана за допомогою гайки 3, яка нагвинчується на різьбу стакана. Радіатор для кріплення транзистора працює таким чином. Тепловий потік, який випромінює транзистор 4, передається на корпус 1 радіатора безпосередньо та через заглушку 2 і далі розсіюється радіатором. Транзистор 4 розміщується в заглибленні стакана таким чином, що уся поверхня цього транзистора має зіткнення з корпусом 1 та заглушкою 2 Це збільшує тепловіддачу транзистора 4. Для підвищення тепловіддачі транзистор змазується теплопровідною пастою. Тепловіддача транзистора в запропонованому пристрої вище, ніж у відомих за рахунок великої площі зіткнення транзистора з радіатором. тг.7 '///А Комп'ютерна верстка М. Мацело Підписне :EZZ« Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України 1 Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП "Український інститут промислової власності", вул. Глазунова, 1, м. Київ - 42, 01601