Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні мідь, фосфор і сірку та бінарні хлорид міді CuCl та йодид міді CuІ, при цьому максимальна температура синтезу становить 973±5 K, а вирощування проводиться з використанням як транспортуючого агента стехіометричної суміші CuCl/CuІ з розрахунку 20 мг/см3 вільного об'єму ампули.

Текст

Реферат: Винахід належить до галузі неорганічної хімії. Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів. Як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні мідь, фосфор і сірку та бінарні хлорид міді CuCl та йодид міді CuІ, при цьому максимальна температура синтезу становить 973±5 K, а вирощування проводиться з використанням як транспортуючого 3 агента стехіометричної суміші CuCl/CuІ з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму ампули. Використання винаходу дозволяє спростити спосіб. UA 100628 C2 (12) UA 100628 C2 UA 100628 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Винахід належить до технології вирощування монокристалів, зокрема до вирощування монокристалів галогенхалькогенідів за допомогою газотранспортних реакцій. Відоме використання газотранспортних реакцій для вирощування монокристалів галогенхалькогенідів купруму [1, 2]. Недоліком вказаного способу є використання як вихідної сировини попередньо синтезованого галогенхалькогеніду. Найбільш близьким до запропонованого є спосіб, описаний в [3]. Задача винаходу полягає у поєднанні синтезу вихідної шихти твердого розчину галогенхалькогенідів купруму та вирощування монокристалів за допомогою хімічних транспортних реакцій. Поставлена задача вирішується таким чином, що запропоновано спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, і який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні мідь, фосфор і сірку та бінарні хлорид міді CuCl та йодид міді CuІ, при цьому максимальна температура синтезу становить 973±5 K, а вирощування проводиться з використанням у ролі транспортуючого агента стехіометричної 3 суміші CuCl/Cul з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму ампули. Перевагою запропонованого способу перед способом-прототипом є те, що синтез вихідної шихти твердого розчину галогенхалькогенідів купруму та вирощування монокристалів за допомогою хімічних транспортних реакцій [4] поєднуються в одному технологічному циклі. Спосіб здійснювали наступним чином. Приклад Для одержання 10 г твердого розчину Cu6PS5(Cl0,5І0,5) брали 4,8601 г Cu, 0,4738 г Ρ, 2,4524 г S, 0,7572 г CuCl і 1,4566 г CuІ і завантажували у кварцову ампулу довжиною 160-180 мм та діаметром 20-22 мм. Додатково у ролі транспортуючого агента в ампулу додавали 3 стехіометричну суміш (0,5 моль CuCl/0,5 моль СuІ) з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму 3 3 ампули (на 100 см 0,6841 г CuCl та 1,3159 г СuІ). Ампулу відкачували до залишкового тиску 10Па і проводили синтез. Для синтезу та вирощування монокристалів використовували мідь марки М-000, фосфор В-3, сірку Ос. Ч. 15-3 та попередньо синтезовані CuCl та СuІ [5]. Додаткову очистку CuCl та СuІ проводили методом вакуумної дистиляції. Завантажену ампулу поміщали у горизонтальну трубчату двозонну піч опору з електронним контролем та регулюванням температури. Ампулу нагрівали з швидкістю 100 K /год. до 673 K, витримували при цій температурі 24 год.; потім нагрівали з швидкістю 50 K /год. до 773 K, витримували - 24-36 год., далі нагрівали з швидкістю 50 K/год. до 973 К і витримували при цій температурі 24 год. Під час синтезу температуру у зоні, де знаходиться вільний кінець ампули, підтримували на 40-50 K вищою за температуру, де знаходиться шихта для вирощування монокристалів. Після проведення синтезу у тих самих ампулах методом хімічних транспортних реакцій вирощувалися монокристали твердого розчину Cu6PS5(Cl0.5І0.5). Для цього змінювали температурний режим так, щоб температура у вільному кінці ампули (зона росту) була на 40-50 K нижчою за температуру в зоні синтезу. Оптимальними умовами вирощування виявились температура 1023-988 K в зоні випаровування та 973-943 K в зоні кристалізації, час вирощування монокристалів складав 320-360 годин. При цих умовах методом газотранспортних 3 реакцій одержано монокристали розміром до 4 × 4,5 × 2 мм (фіг. 1). Одержаний продукт досліджували методами рентгенівського фазового та денситометричного (гідростатичне зважування) аналізів. Дифрактограма твердого розчину Cu6PS5(Cl0.5І0.5) (фіг. 2) проіндексована в гранецентрованій кубічній комірці. Структурні __ 50 55 параметри: просторова група F 4 3m , а = 9.747(3)Å, Ζ = 4. Густина, визначена методом 3 гідростатичного зважування (толуєн, 20 °C) становить 4670±10 кг/м , а розрахована за 3 рентгенівськими даними - 4698 кг/м . Винахід може бути використаний при одержанні патентозахищеного суперіонного матеріалу з високою катіонною провідністю при кімнатній температурі. Джерела інформації 1. Панько В.В., Студеняк И.П., Дьордяй B.C., Ковач Д.Ш., Борец А.Н., Ворошилов Ю.В. Влияние условий получения на свойства кристаллов Cu6PS5Hal // Неорг. материалы. - 1988. - Т. 24, №1. - С. 120-123. 1 UA 100628 C2 5 10 2. Studenyak I.P, Kranjcec M., Mykailo O.A., Bilanchuk V.V., Panko V.V., Tovt V.V. Crystal growth, structural and optical parameters of Cu6PS5(Br1-xIx) superionic conductors // J. Optoelectron. Adv. Mater.-2001. - Vol.3, №4. -P.879-884. 3. Спосіб вирощування монокристалів купрум йодиду-пентатіоарсенату Cu6AsS5I за допомогою хімічних транспортних реакцій: Патент України №54730, МПК (2006) С30В11/14/ Кохан О.П., Панько В.В., Мінець Ю.В., Студеняк І.П., - № u 2010044591; Заявлено 19.04.2010; Опубл. 25.11.2010, Бюл. №22. 4. Gagor Α., Pietraszko Α., Drozd Μ., Polomska M., Pawlaczyk Cz., Kaynts D. Structural phase transitions and conduction properties of superionic, ferroelastic Cu 6PS5Br1-хJx single crystals (x= 1, 0.75, 0.5, 0.25) // J. Phys.: Condens. Matter.-2006. - Vol. 18. -P. 4489-4502. 5. Брауэр Г. Руководство по неорганическому синтезу. В 6-ти томах /Пер. с нем. Н.А. Добрыниной, В.Н. Постнова, С.И. Троянова. - Т.4. - М: Мир. - 1985. - 392 с. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ 15 20 Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату Cu6PS5(Cl0,5I0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій, який включає ступінчасте нагрівання вакуумованих кварцових ампул, що містять вихідні компоненти у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальше вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні мідь, фосфор і сірку та бінарні хлорид міді CuCl та йодид міді CuІ, при цьому максимальна температура синтезу становить 973±5 K, а вирощування проводиться з використанням як транспортуючого агента 3 стехіометричної суміші CuCl/CuІ з розрахунку 20 мг/см вільного об'єму ампули. 2 UA 100628 C2 Комп’ютерна верстка В. Мацело Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 3

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for growth of monocrystals of solid solutions of copper chloride-iodide pentathiophosphate cu6ps5(ci0,5i0,5) by chemical transpot reactions

Автори англійською

Kohan Oleksandr Pavlovych, Panko Vasyl Vasyliovych, Pohodin Artem Ihorovych, Ponomariov Vadym Yevhenovych, Studeniak Ihor Petrovych

Назва патенту російською

Способ выращивания монокристаллов твердых растворов медь хлорид-йодида пентатиофосфата cu6ps5(ci0,5i0,5) с помощью химических транспортных реакций

Автори російською

Кохан Александр Павлович, Панько Василий Васильевич, Погодин Артем Игоревич, Пономарев Вадим Евгеньевич, Студеняк Игорь Петрович

МПК / Мітки

МПК: C30B 11/14

Мітки: хімічних, вирощування, пентатіофосфату, хлорид-йодиду, монокристалів, cu6ps5(ci0,5i0,5, спосіб, транспортних, твердих, розчинів, допомогою, реакцій, купрум

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/5-100628-sposib-viroshhuvannya-monokristaliv-tverdikh-rozchiniv-kuprum-khlorid-jjodidu-pentatiofosfatu-cu6ps5ci05i05-za-dopomogoyu-khimichnikh-transportnikh-reakcijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вирощування монокристалів твердих розчинів купрум хлорид-йодиду пентатіофосфату cu6ps5(ci0,5i0,5) за допомогою хімічних транспортних реакцій</a>

Подібні патенти