Спосіб полірування оптико-електронних елементів
Номер патенту: 119171
Опубліковано: 11.09.2017
Автори: Сидорко Володимир Ігорович, Ковальов Сергій Вікторович, Філатов Юрій Данилович, Вєтров Анатолій Григорович
Формула / Реферат
Спосіб полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів, який виконують за допомогою дисперсних систем, що складаються з дисперсної фази у вигляді частинок полірувального порошку та дисперсного середовища, який відрізняється тим, що як дисперсне середовище використовують рідину, а як дисперсну фазу беруть мікро- або нанопорошки неметалевих матеріалів, статичні діелектричні проникності яких задовольняють нерівності e1, e2<e3 або e1, e2>e3, де e1, e2, e3 - статична діелектрична проникність оброблюваного матеріалу, дисперсної фази та рідкого дисперсного середовища відповідно.
Текст
Реферат: Спосіб полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів виконують за допомогою дисперсних систем, що складаються з дисперсної фази у вигляді частинок полірувального порошку та дисперсного середовища. При цьому як дисперсне середовище використовують рідину, а як дисперсну фазу беруть мікро- або нанопорошки неметалевих матеріалів, статичні діелектричні проникності яких задовольняють нерівності 1, 23, де 1, 2, 3 - статична діелектрична проникність оброблюваного матеріалу, дисперсної фази та рідкого дисперсного середовища відповідно. UA 119171 U (12) UA 119171 U UA 119171 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до галузі виробництва елементів з сапфіру, карбіду кремнію, нітриду алюмінію, нітриду галію та інших керамічних та кристалічних матеріалів для оптикоелектронної техніки. Відомий найбільш близький за технічною суттю до корисної моделі спосіб полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів [див. пат. України UA 102940 МПК В24В 1/00, опубл. 27.08.2013, Бюл. № 16], який здійснюється за допомогою дисперсної системи, що складається з дисперсної фази у вигляді частинок полірувального порошку та водяного дисперсного середовища. Недоліком такого способу полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів є недостатньо висока ефективність взаємодії частинок полірувального порошку (дисперсної фази) з оброблюваною поверхнею при поліруванні, що призводить до значного зменшення середнього розміру частинок шламу і, як наслідок, негативно впливає на продуктивність полірування. В основу корисної моделі поставлено задачу такого удосконалення способу полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів, при якому за рахунок вибору дисперсного середовища та дисперсної фази покращуються властивості дисперсної системи та забезпечуються оптимальні значення середнього розміру частинок шламу, і, як наслідок, підвищується продуктивність зняття оброблюваного матеріалу та зменшуються параметри шорсткості оброблених поверхонь оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів при поліруванні. Поставлена задача вирішується у способі полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів за допомогою дисперсних систем, що складаються з дисперсної фази у вигляді частинок полірувального порошку та дисперсного середовища, в якому, згідно з корисною моделлю, як дисперсне середовище використовують рідину, а як дисперсну фазу беруть мікро- або нанопорошки неметалевих матеріалів, статичні діелектричні проникності яких задовольняють нерівності ε1, ε2ε3, де ε1, ε2, ε3 - статична діелектрична проникність оброблюваного матеріалу, дисперсної фази та рідкого дисперсного середовища відповідно. Причинно-наслідковий зв'язок між сукупністю ознак корисної моделі, що заявляється, і технічним результатом, що досягається при її реалізації, полягає у наступному. При застосуванні способу полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів згідно з корисною моделлю, який передбачає застосування як дисперсного середовища рідини, а як дисперсної фази мікро- або нанопорошків неметалевих матеріалів з певними значеннями статичної діелектричної проникності, забезпечується підвищення продуктивності обробки та зменшення шорсткості оброблених поверхонь при поліруванні. Приклади конкретної реалізації способу полірування оптико-електронних елементів з керамічних та кристалічних матеріалів. 1. Полірування елементів із карбіду кремнію (статична діелектрична проникність ε 1=6,5) здійснювали на шліфувально-полірувальному верстаті мод. 2ШП-200М при частоті обертання полірувальника 90 об/хв., тиску притискання деталі до інструменту 49,5 кПа, зміщенні штриха 30 мм, довжині штриха - 50 мм. Полірували плоскі поверхні елементів з карбіду кремнію за допомогою дисперсних систем - спеціально приготовлених суспензій, що складались з дисперсного середовища - води (статична діелектрична проникність ε3=80) і дисперсної фази частинок: 1 - алмазних мікропорошків АСМ 2/1 (ε2=5,7), 2 - порошків кубічного нітриду бору (ε2=2,5), 3 - порошків МАХ-фази Ті3АlС2 (ε2=3,5), 4 - порошків оксиду алюмінію Аl2О3 (ε2=9,3), 5 порошків двооксиду титану ТіО2 (ε2=80). Продуктивність зняття оброблюваного матеріалу визначали за допомогою вагового методу. Шорсткість оброблених поверхонь визначалась за допомогою методів профілометрії. В ході експериментів показано, що продуктивність зняття оброблюваного матеріалу при поліруванні пластин з карбіду кремнію за допомогою дисперсних систем 1-4 складала (в мг/хв.): 0,84; 0,28; 0,05; 1,20 відповідно. При цьому найбільш імовірний розмір частинок шламу складав (нм): 2,5; 2,6; 2,3; 3,4, а шорсткість оброблених поверхонь визначались параметрами (нм) Ra: 5,7 2,5 5,5±0,1; 5,6±0,5; 4,7±0,1; 8,6±0,9. При виконанні нерівностей ε1=6,5
ДивитисяДодаткова інформація
МПК / Мітки
МПК: B24D 3/34
Мітки: полірування, спосіб, оптико-електронних, елементів
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/5-119171-sposib-poliruvannya-optiko-elektronnikh-elementiv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб полірування оптико-електронних елементів</a>
Попередній патент: Двопружнониткові крутильні терези
Наступний патент: Спосіб прогнозування результативності охолодження сперми жеребців за імуногенетичними показниками
Випадковий патент: Електродуговий плазмотрон