Вакуум-апарат безперервної дії для кристралізації цукру

Вакуум-апарат безперервної дії для кристалізації цукру, що включає корпус, тр убчату поверхню нагріву, циркуляційні канали, вертикальні перегородки, які ділять камеру росту кристалів на секції, днище, калібровані щілинні отвори для переходу утфелю із секції в секцію і колекторів для підводу цукрового розчину, який відрізняється тим, що поверхня нагріву виконана у вигляді двох радіаль 37859 того, в камеру росту кристалів вакуум-апарата встановлені два колектори підводу цукрового розчину, один з яких радіальне розташований на днищі біля основи корпуса зовнішніх секцій, а другий - радіальне всередині циліндричної обичайки внутрішньої секції камери росту кристалів, а пристрої для введення ззовні водяної пари в киплячий цукровий утфель встановлені в секції камери росту кристалів. Причинно-наслідковий зв'язок між запропонованими ознаками і очікуваним результатом полягає в наступному. З'єднання сусідніх секцій камери росту кристалів тільки через пучки кип'ятильних труб забезпечує переміщення утфелю із секції в секцію лише в одному напрямку з попередньої в наступну. Цим запобігається зворотна течія утфелю з наступних секцій в попередні. Установка двох радіальне розташованих кільцевих парових камер дозволяє значно збільшити поверхню нагріву і, відповідно, продуктивність вакуум-апарата в цілому. При цьому зовнішня нагрівна камера виконується із декількох сегментних камер, що спрощує монтаж і дозволяє дотримуватись існуючих габаритів при транспортуванні. Встановлення колектора радіальне на днищі камери росту кристалів біля основи корпуса дозволяє безперервно на протязі всього процесу ліквідувати застійні зони утфелю біля днища. Підведення пари через спеціальні пристрої інтенсифікує процес тепломасообміну і поліпшує гранулометричний склад кристалів. Винахід пояснюється кресленням, на якому: Фіг. 1 - схематичне зображення камери росту кристалів; Фіг. 2 - розгортка камери росту кристалів; Фіг. 3 - розріз камери росту кристалів. Вакуум-апарат включає: корпус 1, в якому розташовані трубча ті поверхні нагріву 2, 3, між якими утворюється циркуляційний канал 4 і циркуляційний канал 5 останньої секції. На поверхні нагріву 2 розташовані верхні вертикальні перегородки 6 і циліндрична обичайка 8, а під нею нижні вертикальні перегородки 7 і циліндрична обичайка 9, які ділять камеру росту кристалів на секції І, II, III, IV, V і утворюють пучки кип'ятильних труб 10 для переходу утфелю з попередніх секцій в наступну. В нижній частині корпуса вакуум-апарата розташовані колектори 11 для підведення цукрового розчину, а в останній секції колектор 12 для підведення цукрового розчину - у верхній частині. До поверхонь нагріву 2 і 3 нагрівна пара підводиться через патрубки 13, а видалення газів, що не сконденсувались і конденсату відповідно через патрубки 14 і 15. Утфель надходить через патрубок 16, що розташований у вер хній частині корпуса вакуумапарата. Вторинна пара видаляється, проходячи сепаруючий пристрій 17 через патрубок 18. Готовий утфель вивантажується в нижній частині корпуса вакуум-апарата вивантажувальним пристроєм. Під нагрівальними поверхнями розташовані пристрої 19 для додаткового введення ззовні в киплячий утфель водяної пари. Вакуум-апарат безперервної дії для кристалізації цукру працює наступним чином. Процес росту кристалів відбувається в умовах кипіння під вакуумом. Утфель з кристалогенератора через патрубок 16 надходить в секцію І камери росту кристалів. Завдяки кипінню утфель циркулює і через пучок кип'ятильних труб 10 тр убчатої поверхні нагріву 2 і 3 переходить з попередньої секції камери росту кристалів в наступну. Зварений утфель з останньої секції видаляється через патрубок 20. Сироп підкачки надходить у вакуумапарат через колектор 11, який радіально встановлений на днищі 21 камери росту кристалів біля основи корпуса 1 і дозволяє безперервно на протязі всього процесу ліквідувати застійні зони утфелю біля днища. Підведення пари через колектори 19 інтенсифікує процес тепломасообміну і поліпшує гранулометричний склад кристалів. Запропонована конструкція вакуум-апарату безперервної дії створює кращі умови процесу кристалізації, покращує якість кристалів готового продукту і збільшує продуктивність апарата. 2 37859 Фіг. 1 3 37859 Фіг. 2 Фіг. 3 4 37859 __________________________________________________________ ДП "Український інститут промислової власності" (Укрпатент) Україна, 01133, Київ-133, бульв. Лесі Українки, 26 (044) 295-81-42, 295-61-97 __________________________________________________________ Підписано до друку ________ 2001 р. Формат 60х84 1/8. Обсяг ______ обл.-вид. арк.Тираж 50 прим. Зам._______ ____________________________________________________________ УкрІНТЕІ, 03680, Київ-39 МСП, вул. Горького, 180. (044) 268-25-22 ___________________________________________________________ 5