Інтегральний тонкоплівковий фотомодуль

1. Інтегральний тонкоплівковий фотомодуль, що містить підкладку з нанесеним шаром напівпровідникового матеріалу, наприклад і-типу провідності, області, які чергуються між собою та мають різний тип провідності, різну величину легування і ширину забороненої зони, просвітлене покриття на лицьовій поверхні, омічні контакти, який відрізняється тим, що області, які чергуються між собою, сформовані в первинній плівці аморфного кремнію у вигляді зустрічних гребінок у горизонтальному напрямку та 2 81965 1 3 81965 4 площину - по трьох площинах поверхні технологічного процесу і велика кількість потенціальних бар'єрів (топологія зустрічних технологічних операцій, що є суттєвим недоліком. гребінок) та зменшує кількість технологічних До недоліків також належить і значна витрата операцій. А також зменшити витрати напівпровідникового матеріалу. Після різання, напівпровідникового матеріалу, спростити шліфувань і хімічної обробки на етапі технологічний процес і підвищити надійність виготовлення монокристалічних підкладок більше первинних ФЕП, ефективність перетворення половини кремнієвої заготовки перетворюється у шляхом переходу до конструкції і технології, в яких відходи виробництва. Складовою недоліку не використовують монокристалічні підкладки і матеріалоємності є необхідність застосування створення ЕДП здійснюється інтегрально. кремнію монокристалічної структури, яка слабко Поставлена задача вирішується за рахунок поглинає сонячне світло, що вимагає виробляти того, що в інтегральному тонкоплівковому ФЕП порівняно товстими (більше 70мкм). Всі ці фотомодулі, що містить підкладку з нанесеним недоліки призводять до високої собівартості ФЕП. шаром напівпровідникового матеріалу, наприклад, На основі тонких плівок сплавів аморфного аморфного кремнію i-типу провідності, області, які кремнію створені перетворювачі сонячної енергії з чергуються між собою та мають різний тип ефективністю 13,5%, які включають три переходи провідності, різну величину легування і ширину із застосуванням 14 вертикальних шарів [3-6]. забороненої зони, просвітлене покриття на Проте, це значно ускладнює технологічний процес лицьовій поверхні, омічні контакти, відповідно до їх виробництва і остаточно не вирішує проблеми винаходу, області, які чергуються між собою, деградації, обумовленої наявністю інтерфейсних сформовані в первинній плівці аморфного кремнію шарів між різними матеріалами та легуванням у вигляді зустрічних гребінок у горизонтальному активних напівпровідникових шарів воднем, який напрямку, та виготовлені із змінним має підвищену схильність до дисоціації. співвідношенням кристалічної і аморфної фаз, Найбільш близьким за сутністю до технічного наприклад, в діапазоні 0,15-0,95. рішення, що заявляється, є конструкція і спосіб Області n- і р-типу провідності виконані з виготовлення тонкоплівкових багатоперехідних неоднорідним легуванням у вертикальному ФЕП з вертикальними ЕДП, описані в [7] та обрані напрямку з максимальним рівнем легування - в авторами за прототип. області омічних контактів та мінімальним - на В способі-прототипі на ізолюючу підкладку лицьовій поверхні, наприклад, в діапазоні 1020наносять тонку (0,15-5мкм) плівку аморфного 017см-3. напівпровідникового матеріалу. Потім окремі При застосуванні непрозорої підкладки на ділянки плівки перекристалізують на всю товщину області n- і р-типу провідності нанесений прозорий лазерним променем відповідно до топології. провідний шар та сформовані омічні контакти на Топологія забезпечує те, що аморфні (a-) і кінцях елементів фотомодуля в залежності від перекристалізовані (mc-) області поперемінно обраної топології міжз'єднань. чергуються між собою і створюють сукупність Області, які чергуються між собою, вертикальних ЕДП, первинний ФЕП стає виготовлені з різним ступенем нанокристалічності сукупністю елементарних фотоелементів типу (i-aта різним розміром нанокристалітів. Ιi-mc), які після об'єднують в інтегральний Суттєвою ознакою ФЕП є те, що області, які фотомодуль. чергуються між собою та мають різний тип В технології виготовлення ФЕП за прототипом провідності, різну величину легування і ширину пропонується можливість додаткового нанесення забороненої зони, створені в первинній плівці на поверхню плівки легуючих елементів донорного аморфного кремнію у вигляді зустрічних гребінок у або акцепторного типу. При цьому під дією лазера горизонтальному напрямку, та виготовлені із одночасно з перекристалізацією відбувається змінним співвідношенням кристалічної і аморфної легування. В такому випадку ФЕП за своєю фаз, наприклад, в діапазоні 0,15-0,95. Внаслідок структурою стає сукупністю елементарних цього зменшується кількість технологічних фотоелементів типу (p-mc-li-a-ln- с-). Така операцій, скорочуються витрати структура ФЕП має суттєво більший ККД в напівпровідникового матеріалу, підвищується порівнянні з нелегованою структурою (i-a-Ιi-mc) за ефективність перетворення енергії Сонця в рахунок більших вбудованих полів між легованими електричну. Крім того, підвищується надійність областями. ФЕП і фотомодуля. Головним недоліком вищезгаданого способу є Винахід ілюструється кресленням - Фіг., на однорідність легування плівки аморфного кремнію якому зображена конструкція інтегрального по всій товщині, контакт областей з різним тонкоплівкового фотомодуля (ФЕМ), де: 1 легуванням і різною шириною забороненої зони в перекристалізовані області, 2 - аморфні області, 3 одній площині, непланарне електричне з'єднання - контакти, 4 - основа. окремих ФЕП у фотомодуль, що призводить до Виготовлення ФЕМ за пропонованою зниження ефективності перетворення за рахунок технологією здійснюють наступним чином. На втрат на оптичному поглинанні, оптичному ізолюючу основу 4, наприклад, полімерну, відбитті, поверхневої рекомбінації фотоносіїв наносять тонку аморфну плівку 2 заряду, складності з'єднання окремих елементів у напівпровідникового матеріалу, наприклад, фотомодуль. гідрогенізованого кремнію (a-Si:H), або сплаву В основу винаходу поставлена задача знайти аморфного кремнію, наприклад, з ітрієм. Основу з таку конструкцію інтегрального тонкоплівкового плівкою розміщують в спеціальному пристрої для фотомодуля, який має максимальну контактну 5 81965 6 можлива як незалежна робота кожного променя, обробки плівки нагріваючим променем, наприклад, так і сумісна з перетином в площині плівки для лазером. Тривалість, швидкість і температуру ефекту інтерференції променів. нагрівання матеріалу плівки в зазначених Нанесення аморфної плівки виконують, топологією місцях (наприклад, через маски) наприклад, плазмохімічним осадженням або задають параметрами нагріваючого променя. У вакуумним магнетронним розпиленням. випадку застосування лазера це - інтенсивність, В запропонованому винаході товщина плівки діаметр і поперечний профіль променя, а також складає від 0,15мкм до 2,0мкм. Нижня межа загальний час опромінення (для імпульсного обумовлена тим, що плівка будь-якого лазера ще й тривалість імпульса, період напівпровідника з меншою товщиною втрачає (не імпульсів). При цьому перекристалізація ділянок поглинає) більше 75% енергії світла практично в плівки відбувається по сій товщині плівки. усьому діапазоні можливого застосування ФЕП Регулюють параметри лазера і провадять перекристалізацію конкретної ділянки аморфної (l=0,3-10,0мкм). Верхня межа пов'язана з плівки до утворення в ній визначеної кількості технологічною складністю рівномірно прогрівати і нанокристалітів, яка складає, наприклад, 0,15-0,95 якісно перекристалізувати плівки більшої товщини. від об'єму ділянки. При значенні кількості Аморфний і нанокристалічний кремній поглинають нанокристалітів менш ніж 0,15 не виникає видиме світло на порядок краще, ніж збільшення рухомості носіїв заряду і, як наслідок, монокристалічний. Тому для повного збирання зменшується фоточутливість та ефективність світла товщина первинної плівки повинна бути перетворення, а при значенні більш ніж 0,95 »0,7-1б0мкм. виникають значні механічні напруги, що знижують Якщо на поверхню ділянок плівки аморфного стабільність структур. Таким чином, певні аморфні або нанокристалічного напівпровідника, що ділянки плівки перетворюють в області з заданим підлягають перекристалізації, попередньо нанести складом нанокристалітів fкр і розподілення легуючі елементи донорного або акцепторного нанокристалітів (профілем кристалічності). типу, то під дією лазера відбувається легування з Наявність нанокристалітів в аморфному матеріалі утворенням донорних або акцепторних центрів. змінює ширину забороненої зони Eg (наприклад, Запропонований спосіб дає можливість ефективно a-Si:H має Eg»4,8eB, тоді як mc-Si:Η має легувати потрібні ділянки плівки більш широкою номенклатурою хімічних елементів і у більших Eg»4,55eB). В гетерофазній плівці між аморфними кількостях, ніж у традиційних методах легування 2 і перекристалізованими 1 областями виникають напівпровідникових матеріалів. Крім того, даючи гетерогенні ЕДП як між матеріалами з різною можливість змінювати профіль легування шириною забороненої зони Eg. Задана топологія відповідного шару у вертикальному напрямку з забезпечує чергування аморфних і більшою концентрацією біля контактів, з меншою нанокристалічних ділянок між собою з утворенням сукупності електричних з'єднань горизонтальних в просвітленій поверхні. Наприклад, у a-Si:H ЕДП, які за заданою електричною схемою можна ввести в ~10-100 разів більше Аl, Ga, In, P, утворюють інтегральний тонкоплівковий модуль. As або Sb лазерним легуванням, чим дифузійним Поряд з кремнієм в якості матеріалу плівки можна легуванням. При застосуванні прозорої основи, на якій формують ФЕМ, після виготовлення використовувати його сплави (a-Si:Ge:H, a-Si:C:H, основного шару напівпровідникового матеріалу, ...) та інші напівпровідникові матеріали, які в наприклад, аморфного кремнію, наносять легуючі аморфному стані мають високий коефіцієнт елементи крізь маски у вигляді зустрічних гребінок поглинання світла a. або без масок на всю поверхню плівки з наступним Якщо основою є скло або лавсан, то видаленням з поверхні; далі виконують лазерну надмірного нагрівання основи під дією лазера не обробку зі зміною тимчасового інтервалу відпалу. виникає, тому що дані діелектричні матеріали Таким чином, створюють можливість переходу до значно слабше поглинають світло в діапазоні структури типу n+-mc-Sі:Н/i-a-Si:H/p+-mc-Si:H і ін. з довжини хвиль лазерного променя (l=0,4відповідним профілем легування у вертикальному 10,0мкм). Коли основа - сильно поглинаючий або напрямку. При застосуванні непрозорої підкладки високопровідний матеріал, наприклад, жерсть, то після формування активних областей структури на між таким матеріалом та плівкою передбачають області n- і р-типу провідності наносять прозорий шар прозорого діелектрика в декілька мікрон. У провідний шар і формують омічні контакти на випадку гнучкості основи (лавсан, жерсть), кінцях елементів модуля в залежності від обраної первинний ФЕМ також набуває гнучкості, котра є топології міжз'єднань. Це забезпечує значне додатковою перевагою запропонованого розширення активної площі ФЕМ і, як наслідок, технічного рішення. підвищення ефективності перетворення. В якості нагріваючого променя можливе У прототипі здійснюється висвітлення використання електронного чи іонного променя. високолегованої області, де значна частина носіїв Але ці технології значно поступаються лазерній за заряду губиться (рекомбінує), особливо це технологічними та економічними показниками. На стосується короткохвильового світла. ФЕМ сьогоднішній день отримання вузького лазерного запропонованої конструкції не має цього недоліку, променя не є проблемою. Лазерних променів оскільки межі розділення між елементарними може бути одночасно декілька - кожний обробляє областями тут формують внаслідок структурносвою ділянку плівки. Найбільш універсальним та фазової трансформації. Поглинання світла зручним став підхід, який полягає в сильному здійснюється одночасно по всій площині фокусуванні і переміщенні (скануванні) лазерного інтегрального фотомодуля, у результаті відсутні променя. При цьому, коли променів декілька, 7 81965 8 втрати світла у високолегованих областях, Приклад 3 усуваються проблеми поверхневої, об'ємної На підкладку зі скла наносять аморфну плівку рекомбінації і деградації в результаті втрат на кремнію і-типу провідності, легованого ітрієм межах шарів різних матеріалів. (20ваг.%). На поверхню плівки направляють Значно менша в запропонованій конструкції і промінь лазера з довжиною хвилі l=0,365нм і кількість технологічних операцій, а також питомою потужністю 20мВт/см2, 1мВт/см2 і спрощений технологічний процес. Це 120мВт/см в імпульсному режимі, тривалість простежується як на стадії виготовлення підкладки кожного імпульсу 10нс. Промінь лазера сканують - де замість громіздкого процесу виготовлення по поверхні з кроком 2мм, при цьому утворюють монокристалічної кристалографічно орієнтованої структуру, що складається з n-підструктур, підкладки пропонується відносно просте складених з областей, що чергуються, нанесення тонкої аморфної або нанокристалічної нанокристалічного, аморфного і плівки на дешеву ізольовану основу, так і на стадії мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На формування робочої структури - одночасне кінцях такої гетероперехідної структури створення всіх областей ФЕМ. Багатоланковий і напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. неінтегральний процес виготовлення ФЕМПриклад 4 прототипу замінююєть простою схемою: На підкладку зі скла наносять аморфну плівку "нанесення плівки - перекристалізація з заданими кремнію і-типу провідності, легованого ітрієм співвідношенням структурних фаз в (30ваг.%). На поверхню плівки направляють горизонтальному напрямку та профілем легування промінь лазера з довжиною хвилі l=0,365нм і у вертикальному напрямку - приєднання питомою потужністю 20мВт/см2, 1мВт/см2 і контактів". 120мВт/см в імпульсному режимі, тривалість Спосіб забезпечує меншу собівартість і меншу кожного імпульсу 10нс. Промінь лазера сканують вагу ФЕМ. Витрати енергії на роботу лазера по поверхні з кроком 2мм, при цьому утворюють істотно не впливають на собівартість ФЕМ, структуру, що складається з n-підструктур, оскільки плівка тонка і вимагає мало тепла для складених з областей, що чергуються, перекристалізації. Важлива перевага способу нанокристалічного, аморфного і полягає в принциповій можливості варіювати мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На вихідні напругу і струм ФЕМ у дуже широких межах кінцях такої гетероперехідної структури топологічним шляхом підбором схеми напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. електричного зв'язку між елементами: послідовний Приклад 5 зв'язок, рівнобіжний або комбінований. На підкладку зі скла наносять аморфну плівку Винайдена конструкція ФЕМ має дуже широку сплаву Si(80ат.%)-Ge(20ат.%) і-типу провідності. сферу застосувань - від космічної до побутової На поверхню плівки направляють промінь лазера з техніки, а також як матричні сенсори широкого довжиною хвилі l=0,365нм і питомою потужністю призначення. 20мВт/см2, 1мВт/см2 і 120мВт/см в імпульсному Винахід ілюструється наступними прикладами. режимі, тривалість кожного імпульсу 10нс. Промінь Приклад 1 лазера сканують по поверхні з кроком 2мм, при На підкладку зі скла наносять аморфну плівку цьому утворюють структуру, що складається з nгідрогенізованого кремнію і-типу провідності. На підструктур, складених з областей, що чергуються, поверхню плівки направляють промінь лазера з нанокристалічного, аморфного і довжиною хвилі l=0,365нм і питомою потужністю мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На 20мВт/см2, 1мВт/см2 і 120мВт/см2 в імпульсному кінцях такої гетероперехідної структури режимі, тривалість кожного імпульсу 10нc. Промінь напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. лазера сканують по поверхні з кроком 2мм, при Приклад 6 цьому утворюють структуру, що складається з nНа підкладку з полімеру, наприклад, підструктур, складених з областей, що чергуються, поліамиду, наносять аморфну плівку кремнію інанокристалічного, аморфного і типу провідності, легованого ітрієм (5ваг.%). На мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На поверхню плівки направляють промінь лазера з кінцях такої гетеро перехідної структури довжиною хвилі l=0,365нм і питомою потужністю напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. 20мВт/см2, 1мВт/см2 і 120мВт/см2 в імпульсному Приклад 2 режимі, тривалість кожного імпульсу 10нс. Промінь На підкладку зі скла наносять аморфну плівку лазера сканують по поверхні і кроком 2мм, при кремнію і-типу провідності, легованого ітрієм цьому утворюють структуру, що складається з n(5ваг.%). На поверхню плівки направляють підструктур, складених з областей, що чергуються, промінь лазера з довжиною хвилі l=0,365нм і нанокристалічного, аморфного і питомою потужністю 20мВт/см2, 1мВт/см2 і 120 мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На мВт/см2 в імпульсному режимі, тривалість кожного кінцях такої гетероперехідної структури імпульсу 10нс. Промінь лазера сканують по напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. поверхні з кроком 2мм, при цьому утворюють Приклад 7 структуру, що складається з n-підструктур, На підкладку зі скла наносять аморфну плівку складених з областей, що чергуються, кремнію і-типу провідності. На поверхню плівки нанокристалічного, аморфного і направляють промінь ультрафіолетового лазера з мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На питомою потужністю 10мВт/см2, 30мВт/см2, 2 2 кінцях такої гетероперехідної структури 1мВт/см , 30мВт/см , 120мВт/см2 в імпульсному напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. режимі, тривалість кожного імпульсу 10нс. Промінь 9 81965 10 лазера сканують по поверхні з кроком 2мм, при На підкладку зі скла наносять аморфну плівку цьому утворюють структуру, що складається з nгидрогенізованого кремнію і-типу провідності, підструктур, складених з областей кремнію, що легованого ітрієм (5ваг.%). На поверхню аморфної чергуються, з різним розміром кристалітів кремнієвої плівки наносять через маски заданої нанокристалічний кремній (3-4нм), топології плівки алюмінію і сурми, що є нанокристалічний кремній (7-8нм), аморфний, акцепторною і донорною домішками, відповідно. нанокристалічний кремній (7-8нм), Нанесення виконують методом вакуумного мікрокристалічний кремній. На кінцях такої резистистивного напилювання. Потім на поверхню гетероперехідної структури напилюють омічні плівки направляють промінь лазера з довжиною контакти, наприклад, алюміній. хвилі l=0,365нм і питомою потужністю 20мВт/см2, Приклад 8 1мВт/см2 і 120мВт/см2 в імпульсному режимі, На підкладку зі скла наносять аморфну плівку тривалість кожного імпульсу 10нс. Промінь лазера кремнію і-типу провідності, легованого ітрієм сканують по поверхні з кроком 2мм, при цьому (5ваг.%). На поверхню плівки направляють утворюють структуру, що складається з nпромінь ультрафіолетового лазера з питомою підструктур, складених з областей, що чергуються, потужністю 10мВт/см2, 30мВт/см2, 1мВт/см2, нанокристалічного, аморфного і 30мВт/см2, 120мВт/см2 в імпульсному режимі, мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На тривалість кожного імпульсу 10нс. Промінь лазера кінцях такої гетероперехідної структури сканують по поверхні з кроком 2мм, при цьому напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. утворюють структуру, що складається з nПриклад 12 підструктур, складених з областей кремнію, що На підкладку зі скла наносять аморфну плівку чергуються, з різним розміром кристалітів гидрогенізованого кремнію і-типу провідності. На нанокристалічний кремній (3-4нм), поверхню аморфної кремнієвої плівки наносять нанокристалічний кремній (7-8нм), аморфний, через маски заданої топології плівки алюмінію і нанокристалічний кремній (7-8нм), сурми, що є акцепторною і донорною домішками, мікрокристалічний кремній. На кінцях такої відповідно. Нанесення виконують методом гетероперехідної структури напилюють омічні вакуумного резистистивного напилювання. Потім контакти, наприклад, алюміній. на поверхню плівки направляють промінь Приклад 9 ультрафіолетового лазера з питомою потужністю На підкладку зі скла наносять аморфну плівку 10мВт/см2, 30мВт/см2, 1мВт/см2, 30мВт/см2, сплаву Si(80ат.%)-Ge(20аг.%) і-типу провідності. 120мВт/см2 в імпульсному режимі, тривалість На поверхню плівки направляють промінь кожного імпульсу 10нс. Промінь лазера сканують ультрафіолетового лазера з питомою потужністю по поверхні з кроком 2мм, при цьому утворюють 10мВт/см2, 30мВт/см2, 1мВт/см2, 30мВт/см2, структуру, що складається з n-підструктур, 120мВт/см2 в імпульсному режимі, тривалість складених з областей, що чергуються, кожного імпульсу 10нс. Промінь лазера сканують нанокристалічного, аморфного і по поверхні з кроком 2мм, при цьому утворюють мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На структуру, що складається з n-підструктур, кінцях такої гетероперехідної структури складених з областей кремнію, що чергуються, з напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. різним розміром кристалітів - нанокристалічний кремній (3-4нм), нанокристалічний кремній (7-8нм), аморфний, нанокристалічний кремній (7-8нм), мікрокристалічний кремній. На кінцях такої Параметри інтегральних фотомодулів, виготовлених за гетероперехідної структури напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. Напруга Щільність струму Номер ФіллЕфективніс Приклад 10 холостого короткого прикладу 2 фактор перетворення На підкладку зі скла наносять аморфну плівку ходу, В замикання, мА/см гідрогенізованого кремнію і-типу провідності. На 1 8,1 16,1 0,68 8,86 поверхню аморфної кремнієвої плівки наносять 2 8,5 18,2 0,67 10,4 через маски заданої топології плівки алюмінію і 3 8,15 16,9 0,66 9,0 сурми, що є акцепторною і донорною домішками, 4 8,3 17,4 0,66 9,5 відповідно. Нанесення виконують методом 5 8,2 17,8 0,67 9,8 вакуумного резистистивного напилювання. Потім 6 7,9 16,0 0,65 8,2 на поверхню плівки направляють промінь лазера з 7 8,7 18,0 0,68 10,6 довжиною хвилі l=0,365нм і питомою потужністю 8 8,9 18,7 0,69 11,5 20мВт/см2, 1мВт/см2 і 120мВт/см2 в імпульсному 9 8,6 18,1 0,68 10,6 режимі, тривалість кожного імпульсу 10нс. Промінь 10 9,1 19,3 0,69 12,1 лазера сканують по поверхні з кроком 2мм, при 11 9,3 20,5 0,69 13,1 цьому утворюють структуру, що складається з n12 9,5 21,4 0,7 14,2 підструктур, складених з областей, що чергуються, нанокристалічного, аморфного і Примітка: параметри наведені для елементарного фотомодуля, у мікрокристалічного кремнію (наприклад, n=10). На фотоелектричних перетворювачів. кінцях такої гетероперехідної структури напилюють омічні контакти, наприклад, алюміній. Джерела інформації: Приклад 11 11 81965 1. Goradia, С. and Goradia, M.G. Proc. 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., 1976, p.789. 2. Крейнин Л.Б., Григор'єва Г.М. Сонячні батареї в умовах впливу космічної радіації // Підсумки науки і техніки. Сірий. Дослідження космічного простору. М: ВИНИТИ, 1979, т.13, с.128. 3. J. Yang, A. Banerjee, К. Lord and S. Guha Proc. of the 2nd World Conf. and Exhibition on PV Solar Energy Conversion (Vienna, 6-10 July 1998), P.387390. 4. Rech В., Wagner H. Potential of amorphous silicon for solar cells // Appl. Phys. - 1999. - A 69. - P.155 167. 5. Kondo M., Matsuda A. Novel aspects in thin silicon solar cells -amorphous, microcrystalline and nanocrystalline silicon // Thin Solid Film. - 2004. 457. - P.97-102. 6. Nakajima Α., Yoshimi M., Sawada T. Spectral characteristics of a-Si thin film crystalline silicon solar modules I 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Paris, France. - 2004. - Vol.2. - P.15671570. 7. Рудий Б.А., Шмирєва О.М. - Патент України №67068 А (Спосіб виготовлення багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів з вертикальними електронно-дірковими переходами). - Бюл. №6, 15.06.2004. 12