Патенти з міткою «епітаксійна»

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Шварц Юрій Михайлович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H05B 33/00

Мітки: типу, сенсорів, епітаксійна, високотемпературних, температури, галію, фосфіду, діодних, структура

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...