Патенти з міткою «діодних»

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Дьяк Віталій Пилипович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 31/18

Мітки: температури, сенсорів, високотемпературних, отримання, фосфіду, спосіб, діодних, галію, епітаксійних, n-p+-типу, структур

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Шварц Юрій Михайлович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H05B 33/00

Мітки: епітаксійна, структура, температури, сенсорів, діодних, високотемпературних, типу, фосфіду, галію

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...

Номер патенту: 16578

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Мельник Володимир Васильович, Махній Віктор Петрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: контактів, типу, діодних, спосіб, а(нижній, напівпровідникових, омічних, сполук, в(нижній, основі, індекс, виготовлення, структур

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления омических контактов к диодным структурам на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 с p-n-переходом, включающий подготовку поверхности структуры, химическое осаждение металла на структуру, вжигание его и осаждение слоя никеля, отличающийся  тем, что, с целью упрощения способа, проводят диффузию цинка на глубину 1-3 мкм, сошлифовывают диффузионный слой со стороны n-типа, в качестве химически осаждаемого металла...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Войтович Віктор Євгенович, Поліщук Сергій Михайлович, Нагорний Ростислав Леонтійович

МПК: H01L 21/20

Мітки: вирощування, рідкої, епітаксіальних, фазі, арсенід-галієвих, спосіб, p-і-n, структур, діодних

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...