Єрохін Сергій Юрійович

Номер патенту: 115873

Опубліковано: 10.01.2018

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Боскін Олег Осипович, Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: C30B 19/00, H01L 21/20, H01L 21/208 ...

Мітки: змочування, підкладки, фазі, спосіб, очищення, рідинної, розчину-розплаву, епітаксії

Формула / Реферат:

Спосіб змочування підкладки та її очищення від розчину-розплаву при епітаксії з рідинної фази, що полягає у змочуванні підкладки розчином-розплавом, на який діє сила тяжіння, способом зміщення слайдера касети, який утримує підкладку, між комірками, що заповнені розчинами-розплавами, і очищенні підкладки від розчину-розплаву, який відрізняється тим, що при змочуванні на розчин-розплав додатково діють силою Ампера, яку викликають тим, що по...

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, спосіб, перегріву, кристала, діода, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Номер патенту: 114943

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 29/8605, G05F 3/16

Мітки: струмом, керований, напівпровідниковий, резистор

Формула / Реферат:

Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, робочого, перегріву, спосіб, діода, визначення, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, визначення, заряду, діодах, часу, носіїв, життя, напівпровідникових, нерівноважних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: визначення, кристала, перегріву, напівпровідникового, спосіб, величини, діода

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Номер патенту: 47826

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Мітки: заряду, носіїв, визначення, базі, спосіб, основних, ефективно, діода, концентрації, широкозонного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення ефективної концентрації основних носіїв заряду в базі широкозонного діода, що включає вимірювання залежності бар'єрної ємності діода від зворотного зміщення, який відрізняється тим, що ефективну концентрацію основних носіїв заряду в базі діода визначають шляхом фіксації напруги змикання діода в процесі вимірювань, при досягненні нульового значення похідної бар'єрної ємності діода по напрузі, а величину ефективної...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краснов Василь Олександрович, Дьяк Віталій Пилипович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, діодних, епітаксійних, отримання, фосфіду, галію, структур, температури, сенсорів, n-p+-типу, високотемпературних

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 41395

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Цибуленко Вадим Володимирович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 21/208

Мітки: отримання, шарів, спосіб, розчинів, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб отримання шарів твердих розчинів, що полягає у створенні двох різних насичених рідинних фаз в ізотермічних умовах та їх змішуванні для росту шарів з перенасиченого розчину-розплаву, який відрізняється тим, що створюють єдиний розчин-розплав з двох різних рідинних фаз, що контактують одна з одною, а змішування здійснюють поступово протягом всього процесу вирощування за допомогою постійного електричного струму.

Номер патенту: 32124

Опубліковано: 12.05.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Коленчук Дмитро Миколайович

МПК: F03B 13/00

Мітки: комплекс, енергозрошувальний

Формула / Реферат:

Енергозрошувальний комплекс, що містить фундамент у вигляді залізобетонної плити, в який жорстко закріплені чотири вертикально встановлені стійки з швелерів, в них встановлений з можливістю зворотно-поступального руху робочий поплавець, з'єднаний зі штоком поршня циліндра, який жорстко прикріплений до напрямних швелерів і з'єднаний трубопроводом, оснащеним зворотними клапанами, з резервуаром-накопичувачем, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Шварц Юрій Михайлович

МПК: H05B 33/00

Мітки: структура, епітаксійна, фосфіду, галію, сенсорів, температури, діодних, типу, високотемпературних

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...

Номер патенту: 30725

Опубліковано: 11.03.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Коленчук Дмитро Миколайович

МПК: F03B 13/00

Мітки: хвильова, насосна, установка

Формула / Реферат:

Хвильова насосна установка, що складена з фундаменту, направляючих рейок і опорних стійок, поплавця, поршневого циліндра, зворотних клапанів, трубопроводу і накопичувальної ємності, яка відрізняється тим, що поршневий циліндр виконаний розвернутим на 180° навколо його геометричного центра таким чином, щоб зворотний клапан у поршневому циліндрі зайняв позицію на його верхній кришці поруч з живильним трубопроводом.

Номер патенту: 23655

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Скороход Володимир Васильович, Єрохін Сергій Юрійович, Коленчук Дмитро Миколайович, Поляшов Юрій Аркадійович

МПК: F03B 13/12

Мітки: насосна, хвильова, установка

Формула / Реферат:

Хвильова насосна установка, що містить робочий поплавець, встановлений з можливістю циклічного переміщення, яка відрізняється тим, що містить фундамент у вигляді залізобетонної плити, в якій жорстко закріплені чотири вертикально встановлені стійки з швелерів, в них встановлений з можливістю зворотно-поступального руху робочий поплавець, з'єднаний зі штоком поршня циліндра, який жорстко прикріплений до швелерів і з'єднаний трубопроводом,...

Номер патенту: 21855

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: H01L 21/208

Мітки: електроепітаксії, установка, рідиннофазної

Формула / Реферат:

Установка для рідиннофазної електроепітаксії, що містить кварцовий реактор, який встановлений в електричну піч для забезпечення контролю температури, два електроди, один з яких жорстко закріплений до верхньої пластини, джерела постійного струму, та касети, що має верхню пластину, яка одночасно є електричним контактом до розчинів-розплавів, середню ізолюючу пластину, яка є електричним ізолятором між верхньою та нижньої пластинами і має отвір...

Номер патенту: 14276

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Марончук Ігор Євгенович, Цибуленко Вадим Володимирович

МПК: H01L 21/208

Мітки: установка, рідкофазної, епітаксії

Формула / Реферат:

Установка для рідкофазної епітаксії, що містить касету в нагрівальному вузлі, яка виконана у вигляді розбірної конструкції, і має основу, прикріплену до основи пластину з ростовими комірками, що містить систему каналів і отворів, де ростові комірки мають змінні вкладиші для регулювання висоти ростових зазорів, де вкладиші виконані з пазами для розміщення фальшпідкладок, утримуючий підкладку слайдер, що має вікно над підкладкою і встановлений...