Патенти з міткою «сенсорів»

Номер патенту: 107956

Опубліковано: 24.06.2016

Автори: Павлик Богдан Васильович, Слободзян Дмитро Петрович, Грипа Андрій Сергійович, Лис Роман Мирославович, Шикоряк Йосип Андрійович, Дідик Роман Іванович, Кушлик Маркіян Олегович

МПК: H01L 21/428, H01L 31/115

Мітки: спосіб, температури, обробки, транзисторних, сенсорів, радіаційної

Формула / Реферат:

Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, за яким їх опромінюють, а потім термовідпалюють, який відрізняється тим, що сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр, а температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв.

Номер патенту: 108581

Опубліковано: 12.05.2015

Автор: Кондратов Владислав Тимофійович

МПК: G01R 27/02, G01R 27/00

Мітки: резисторів, сенсорів, спосіб, понаднадлишкових, резистивних, супернадлишкових, опору, вимірювань

Формула / Реферат:

1. Спосіб понаднадлишкових вимірювань опору резисторів і резистивних сенсорів, оснований на формуванні нормованого за значенням струму , де  - похибка формування, пропусканні цього струму через зразковий резистор з нормованим значенням опору

Номер патенту: 95155

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Солнцев В'ячеслав Сергійович, Горбанюк Теятна Іванівна

МПК: H01L 21/223, B82Y 30/00, H01L 21/203 ...

Мітки: сенсорів, отримання, спосіб, плівки, наноструктурованої, оксиду, вольфраму, газових

Формула / Реферат:

Спосіб отримання наноструктурованої плівки оксиду вольфраму (WO3) для газових сенсорів шляхом термічного окислення вольфраму (W) в атмосфері кисню (O2), який відрізняється тим, що вольфрамову плівку товщиною 20-100 нм наносять на кремнієву підкладку (Si) р-типу методом магнетронного розпилення вольфрамової (W) мішені, після чого проводять процес термічного окислення при температурі 400-600 °C, швидкості потоку О2 10-20 см3/с та часу...

Номер патенту: 82990

Опубліковано: 27.08.2013

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна, Ворошило Галина Іванівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: магнітного, легованих, антимоніду, спосіб, індію, стійких, отримання, радіаційної, поля, сенсорів, мікрокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих мікрокристалів антимоніду індію для радіаційно-стійких сенсорів магнітного поля, згідно з яким кварцову ампулу, в якій послідовно розташовують очищену підкладку, з попередньо нанесеним на неї металом-каталізатором - золотом, джерело антимоніду індію та йод, вакуумують до тиску в ампулі не більше (0,9¸1,1)×10-4 Па, запаюють та розмішують у двозонній печі опору з нагрівом зони джерела вихідних компонентів...

Номер патенту: 77735

Опубліковано: 25.02.2013

Автори: Жовнір Микола Федорович, Черненко Денис Віталійович

МПК: H03H 9/00, H04Q 5/22

Мітки: сенсорів, поверхневих, акустичних, хвилях, перетворювач

Формула / Реферат:

Вхідний/вихідний перетворювач для сенсорів на поверхневих акустичних хвилях, що містить електроди, період слідування та ширина яких змінюється, який відрізняється тим, що перетворювач містить групи електродів різного періоду і є узгодженим фільтром для прийому та стиснення частотно-модульованого вхідного сигналу, а також, групи електродів виконані з можливістю зміни їх кількості та порядку слідування.

Номер патенту: 74253

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Шуригін Федір Михайлович, Макідо Олена Юріївна, Штабалюк Агата Петрівна, Ворошило Галина Іванівна, Кость Ярослав Ярославович, Большакова Інеса Антонівна

МПК: C30B 25/00

Мітки: плівок, основі, поля, сенсорів, спосіб, магнітного, виготовлення, індію, тонких, антимоніду

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення сенсорів магнітного поля на основі тонких плівок антимоніду індію, згідно з яким на готовій плівці створюють геометричну конфігурацію магнітного сенсора та наносять електроди хімічним або електрохімічним способом, до яких припаюють мідний провід, який відрізняється тим, що плівку з припаяним мідним проводом розміщують у вакуумну камеру, вакуумують до тиску в камері 1·10-6-1·10-5 Па, нагрівають до температури 200-250 °С,...

Номер патенту: 69291

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Кущ Євгенія Геннадіївна, Коренєв Микола Михайлович, Камарчук Людмила Вікторівна, Поспєлов Олександр Петрович, Камарчук Геннадій Васильович

МПК: G01N 33/48, A61B 10/00

Мітки: допомогою, нових, синдромом, підлітків, газу, диспепсії, видихуваного, дослідження, неінвазивного, спосіб, шлунка, шляхом, функції, газочутливих, сенсорів, кислотоутворюючої, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб неінвазивного визначення кислотоутворюючої функції шлунка у підлітків із синдромом диспепсії шляхом дослідження їх видихуваного газу, який відрізняється тим, що як газочутливі сенсори використовують похідні солей 7,7,8,8-тетраціанохінодиметану (TCNQ), а реєстрація кривої відгуку сенсорів, що здійснюють протягом однієї хвилини, дає змогу визначити відношення максимуму кривої експозиції (Мах1) до максимуму кривої релаксації (Мах2), і...

Номер патенту: 65704

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Новоторцев Володимир Михайлович, Колотілов Сергій Володимирович, Павліщук Віталій Валентинович, Єременко Ігор Леонідович, Кіскін Михайло Олександрович, Бурковська Наталія Петрівна, Полунін Руслан Анатолійович, Сацька Юлія Анатоліївна

МПК: C07F 15/06

Мітки: містять, речовин, кількісного, кобальту, елементи, визначення, іі, донорні, полімеру, хімічних, основі, активні, детектування, координаційного, атоми, сенсорів

Формула / Реферат:

Активні елементи хімічних сенсорів на основі координаційного полімеру кобальту (II) структурної формули [CoA2BmC]n,де А є карбоксилатом структурної формули R1-CO2-, в якій R1 - алкіл С1-С12 лінійної чи розгалуженої будови;В є сполукою структурної формули R2-OH, де R2 вибраний із водню, алкілу С1-С12 лінійної чи розгалуженої будови;С є сполукою формули І

Номер патенту: 56672

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Олексенко Людмила Петрівна, Максимович Неллі Петрівна, Матушко Ігор Павлович, Бувайло Андрій Іванович

МПК: C01G 51/00

Мітки: сенсорів, адсорбційно-напівпровідникових, спосіб, матеріалу, кобальтвмісного, одержання, водню

Формула / Реферат:

Спосіб одержання кобальтвмісного матеріалу для адсорбційно-напівпровідникових сенсорів водню з діоксиду олова, який одержують з розчину хлориду олова (IV), висушують отриманий осад, термічно розкладають його в атмосфері повітря, просочують розчином хлориду кобальту (II), сушать та спікають в атмосфері повітря, який відрізняється тим, що як розчинник хлориду олова (IV) використовують етиленгліколь, а спікання проводять при температурах від...

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Дьяк Віталій Пилипович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/18

Мітки: n-p+-типу, спосіб, фосфіду, сенсорів, отримання, діодних, галію, високотемпературних, структур, епітаксійних, температури

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...

Номер патенту: 41161

Опубліковано: 12.05.2009

Автори: Бурлаєнко Наталія Андріївна, Гребенніков Володимир Миколайович, Цурупа Ігор Сергійович, Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Манорик Петро Андрійович, Трофимчук Ірина Миколаївна

МПК: G01N 27/00, G01N 29/00, G01N 31/22 ...

Мітки: дихлориду, застосування, толуол, хемосорбційного, покриття, сенсорів, п'єзоелектричних, біс-4-(3-фенілпропілпіридин)цинк(ii

Формула / Реферат:

Застосування як хемосорбційного покриття для п'єзоелектричних сенсорів на толуол біс-4-(3-фенілпропілпіридин)цинк(ІІ) дихлориду загальної структурної формули:.

Номер патенту: 40507

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Манорик Петро Андрійович, Бурлаєнко Наталія Андріївна, Цурупа Ігор Сергійович, Гребенніков Володимир Миколайович, Трофимчук Ірина Миколаївна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Погоріла Лідія Михайлівна

МПК: G01N 31/22, G01N 29/00, G01N 27/00 ...

Мітки: сенсорів, покриття, п'єзоелектричних, сорбційноактивне, толуол

Формула / Реферат:

Сорбційноактивне покриття п'єзоелектричних сенсорів на толуол, що складається з координаційної сполуки 3d-перехідного металу з органічним лігандом, яке відрізняється тим, що містить як координаційну сполуку 3d-перехідного металу з органічним лігандом біс-4-(3-фенілпропілпіридин)цинк(ІІ) дихлорид загальної формули ZnC28H30N2Cl2 й додатково містить дисперсний діоксид титану з розвиненою поверхнею, причому на одну масову частину...

Номер патенту: 31066

Опубліковано: 25.03.2008

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Шварц Юрій Михайлович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H05B 33/00

Мітки: сенсорів, епітаксійна, високотемпературних, діодних, фосфіду, структура, температури, типу, галію

Формула / Реферат:

Епітаксійна структура фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що містить підкладку n+-GaP, леговану телуром, на якій розташовані епітаксійний шар бази діода n-GaP і шар емітера p+-GaP, легований цинком, яка відрізняється тим, що шар бази містить ізовалентну легуючу домішку азоту з концентрацією (1¸3)´1018 см-3, товщина шару бази складає 5¸10 мкм, шару емітера - 15¸25 мкм, діапазон...

Номер патенту: 23727

Опубліковано: 11.06.2007

Автори: Швець Олексій Васильович, Павліщук Віталій Валентинович, Ільїн Володимир Георгійович, Колотілов Сергій Володимирович, Яковенко Анастасія Володимирівна, Касьян Наталія Володимирівна

МПК: G01N 31/22

Мітки: кислоти, стабільних, сенсорів, окисники, радикалів, внутрішній, спосіб, активного, органічних, нанесених, містять, отримання, відновники, основі, стандарт, інертні, елементу, носії

Формула / Реферат:

Спосіб отримання активного елементу для сенсорів на окисники, відновники та кислоти, що включає стадію приготування інертного носія та стадію іммобілізації органічного радикала на поверхні такого носія, який відрізняється тим, що до складу активного елементу при його приготуванні вводять стабільний внутрішній стандарт, що має незмінний спектральний відгук і/або магнітні характеристики.

Номер патенту: 72118

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Гребенніков Володимир Миколайович, Бурлаєнко Наталія Андріївна, ФЕДОРЕНКО МАЙЯ АЛЬБЕРТІВНА, Демешко Сергій Вікторович, Погоріла Лідія Михайлівна, ШУЛЬЖЕНКО ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ, Манорик Петро Андрійович

МПК: G01N 27/00, G01N 21/81

Мітки: вологочутливих, сорбційно-активне, покриття, п'єзоелектричних, сенсорів

Формула / Реферат:

Застосування як сорбційно-активного покриття вологочутливих п'єзоелектричних сенсорів натрієвої солі різнолігандної гетероядерної координаційної сполуки 3d-перехідних металів, що вибрані з групи мідь і нікель, з етилендіамінтетраоцтовою кислотою та з карбоновою або оксикарбоновою кислотою загальної емпіричної формули Na4[HmCu(Edta)2Ni(L)2].nH2O, де Edta - аніон етилендіамінтетраоцтової кислоти, L - аніон карбонової - бурштинової - кислоти або...

Номер патенту: 48612

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Фрідберг Емануіл Ізраілевич, Скрипник Юрій Олексійович, Дубровний Віктор Опанасович

МПК: G01K 15/00

Мітки: повірки, пристрій, бездемонтажної, сенсорів, температури, термоелектричних

Формула / Реферат:

Пристрій для бездемонтажної повірки термоелектричних сенсорів температури, що містить вхідні затискувачі для під’єднання термоелектричного сенсора, що повіряється, нормуючий підсилювач, персональну електронну обчислювальну машину, цифро-аналоговий перетворювач і аналого-цифровий перетворювач, вхід якого з'єднаний з виходом нормуючого підсилювача, а вихід під'єднаний до системної шини персональної електронної обчислювальної машини, вхід...

Номер патенту: 38893

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Лісовський Олександр Анатолійович, Скрипник Юрій Олексійович

МПК: G01N 27/04

Мітки: виміру, електропровідності, дисперсії, частотної, сенсорів, кондуктометричних, пристрій

Текст:

...частоти, другого входу з корпусом пристрою, підключення амплітудного детектора до виходу широкосмугового підсилювача, з'єднання виходу амплітудного детектора через фільтр верхніх частот із входом підсилювача низької частоти, а через фільтр нижніх частот з одним із входів ди ференціального підсилювача виключило вплив нерівномірності АЧХ широкосмугового підсилювача та амплітудного детектора на значення підсилюваного і детектованого сигналу,...

Номер патенту: 34593

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Мартиненко Федір Петрович, Карабун Петро Михайлович, Бакай Едуард Аполінарійович, Нікітіна Наталія Василівна, Каскевич Ольга Костянтинівна, Максимович Неллі Петрівна

МПК: A61B 5/00, G01N 27/26

Мітки: спосіб, матеріал, виготовлення, низькомолекулярних, сполук, органічних, hапівпровідниковий, сенсорів, адсорбційних

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий матеріал для адсорбційних сенсорів низькомолекулярних органічних сполук, який містить оксид олова (IV) і оксид сурми - матеріали, що утворюють пористу матрицю і паладій, який відрізняється тим, що у складі оксидів, які утворюють пористу матрицю, матеріал додатково містить оксид алюмінію (III), а паладій введений у вигляді металу, який закріплений на стінках пор, причому інгредієнти взяті в такому співвідношенні (в...