Патенти з міткою «гетероструктурний»
Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію р-типу провідності
Номер патенту: 91417
Опубліковано: 10.07.2014
Автори: Ткачук Андрій Іванович, Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Ворощенко Андрій Тарасович
МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 31/06 ...
Мітки: телуриду, гетероструктурний, омічний, шарів, кадмію, р-типу, провідності, полікристалічних, контакт
Формула / Реферат:
Гетероструктурний омічний контакт до полікристалічних шарів телуриду кадмію, що включає полікристалічний шар телуриду кадмію р-типу провідності, а також метал з високою роботою виходу, який відрізняється тим, що між металом та телуридом кадмію розміщується полікристалічний шар сильно легованого телуриду свинцю р-типу провідності, причому контактний метал є акцептором у телуриді свинцю.